Перенапряжение при наложении гомогенного

Перенапряжение диффузии без наложения гомогенного химического равновесия в предшествующей или последующей стадии (стационарное состояние) [c.185]

Электродная реакция первого порядка протекает с наложением перенапряжения гомогенной химической реакции и диффузии. Вычислить константы скорости замедленной химической реакции, если известно, что она квазипервого порядка, Пт = 4-10-зА.с -см-2 [c.125]

Перенапряжение диффузии при наложении установившетося гомогенного химического равновесия [c.204]

При наличии одной замедленной реакции или кристаллизации кривая зависимости емкостной компоненты 1/((вСф) от 1/]Ам состоит из линейного хода 1/(саСд), на который накладывается колоколообразная кривая емкостной компоненты импеданса реакции 1/(ю, Ср) или импеданса кристаллизации 1/(( С к) с максимумом (см. рис. 93 или 95, а также 152 или 153). Если замедлены и реакция и кристаллизация, то суммарное значение емкостной компоненты составляется из двух таких функций. При этом кривая ем-, костной компоненты импеданса кристаллизации имеет форму, характерную для замедленной гетерогенной реакции. Максимум 1/(саС) для замедленной гетерогенной реакции (кристаллизации) лежит при частоте со = к, а для гомогенной реакции при ю = = кУЗ. Поэтому наложение замедленных гомогенной реакции и кристаллизации можно распознать по двум отдельным максимумам при (Ор и (Ок- В этом случае разделение обеих компонент сравнительно просто. При не столь сильном различии (Ор и максимумы сливаются. В принципе и в этом случае возможно разделение на основе хода зависимости 1/((вСр) 1/(шСк) от ну (О. Снижение омических компонент перенапряжения реакции и кристаллизации происходит в интервале частот, на который приходится максимум 1/((йС) (ср. приведенные выше рисунки). [c.444]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология