Импеданс кристаллизации

Поэтому обратную величину импеданса кристаллизации можно выразить в комплексном виде [c.355]

Интегрируя уравнение (2. 475) после подстановки в него выражения для л из уравнения (2. 476), окончательно получают для импеданса кристаллизации [c.357]

В результате электрохимического превращения по реакции перехода при Яо Жо переменный ток будет вызывать периодические колебания концентрации ад-атомов, почти равномерно распределенных но всей поверхности за исключением очень узких участков на ступенях роста. Существенного накопления или расходования атомов на ступенях роста не происходит. Поэтому следует учитывать, что омическая или емкостная компоненты импеданса кристаллизации не зависят от частоты. Величина представляет собой сопротивление перехода, а — емкость [c.359]

При рассмотрении различных сопротивлений и импедансов поляризации сопротивления перехода (см. 54), импеданса диффузии (см. 61, 62), импеданса реакции (см. 71, 72), импеданса кристаллизации (см. 77) и фарадеевского импеданса (см. 81) предполагалось, что плотность тока является линейной функцией перенапряжения. Это предположение приближенно справедливо только при малых величинах перенапряжения т] I < КТ пР. [c.397]

Рис. 153. Отделение компонентов импеданса реакции (или импеданса кристаллизации) Лр (или Лй) и 1 /а>Ср (иди 1/(оСи) от фарадеевского импеданса 2ф для гетерогенной замедленной реакции (кристаллизации) (<о/2и — частота)

Импеданс кристаллизации Zk на рис. 153 (гетерогенная реакция) представлен заштрихованным участком. Положение максимума [1/(й)С1,)]макс по уравнениям (3. 72) и (3. 73) онределяется величинами [c.481]

Это уравнение будет соответствовать уравнению (2. 3176), если использовать емкостные составляющие импеданса кристаллизации (импеданса реакции) в области высоких частот. [c.707]

Порядок величины равновесной концентрации с д установил Лоренц из частотной зависимости импеданса кристаллизации Zц на Ад в растворе [А (КНз)21 . Если принять коэффициент шероховатости поверхности 0 = 3, то из Сад следует, что степень равновесного покрытия Эад серебряного электрода ад-атомами составляет примерно 1% (см. рис. 300). [c.707]

Лоренц вывел уравнение для импеданса кристаллизации как функцию частоты ю, плотности тока обмена о, коэффициента поверхностной диффузии В и расстояния между параллельными ступенями роста. Флейшман и Фёрск также вывели эту [c.355]

Это выражение аналогично по форме и идентично выражению, которое было получено Лоренцом Так как величина согласно уравнению (2. 474), имеет комнлексное значение, то и импеданс кристаллизации Zк представляет собой комплексную величину. Хотя разделение на реальную и чисто мнимую части и возможно, но это приводит к довольно сложным выражениям. Поэтому это разделение не нужно проводить полностью, только уравнению (2. 477) необходимо придать более наглядную форму. [c.357]

При наличии одной замедленной реакции или кристаллизации кривая зависимости емкостной компоненты 1/((вСф) от 1/]Ам состоит из линейного хода 1/(саСд), на который накладывается колоколообразная кривая емкостной компоненты импеданса реакции 1/(ю, Ср) или импеданса кристаллизации 1/(( С к) с максимумом (см. рис. 93 или 95, а также 152 или 153). Если замедлены и реакция и кристаллизация, то суммарное значение емкостной компоненты составляется из двух таких функций. При этом кривая ем-, костной компоненты импеданса кристаллизации имеет форму, характерную для замедленной гетерогенной реакции. Максимум 1/(саС) для замедленной гетерогенной реакции (кристаллизации) лежит при частоте со = к, а для гомогенной реакции при ю = = кУЗ. Поэтому наложение замедленных гомогенной реакции и кристаллизации можно распознать по двум отдельным максимумам при (Ор и (Ок- В этом случае разделение обеих компонент сравнительно просто. При не столь сильном различии (Ор и максимумы сливаются. В принципе и в этом случае возможно разделение на основе хода зависимости 1/((вСр) 1/(шСк) от ну (О. Снижение омических компонент перенапряжения реакции и кристаллизации происходит в интервале частот, на который приходится максимум 1/((йС) (ср. приведенные выше рисунки). [c.444]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология