Дефектность шетки

В общем случае образование дефектов в различных подре-шетках происходит с различной затратой энергии. Однако избыточная дефектность одной из подрешеток при общей электро-тгейтральнрстп кристалла возможна только за счет изменения стехиометрического состава и заряжения (точнее — нейтрализации) части дефектов. Поскольку образование дефектов и электронное возбуждение обусловлены тепловым движением частиц в кристалле, нестехиометричность кристаллов химических соединений является таким же правилом, как и дефектность решеток простых веществ. [c.242]

Многим карбидам и боридам свойственны дефектные структуры со значительным отклонением от стехиометрии. Соединения с гцк-структурой содержат атомы углерода, беспорядочно заполняющие октаэдрические пустоты. При максимальном заполнении достигается структура типа МаС1 с двумя гцк-подре-шетками. Сильно неоднородная структура характерна для боридов, содержащих изолированные атомы бора, пары атомов, [c.43]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология