Дефектные и избыточные тетраэдрические фазы

ДЕФЕКТНЫЕ И ИЗБЫТОЧНЫЕ ТЕТРАЭДРИЧЕСКИЕ ФАЗЫ [c.43]

Рис. 8. Схема образования тройных-аналогов бинарных дефектных и избыточных тетраэдрических фаз.

Для тройных соединений алмазоподобной группы вопрос о ширине области гомогенности имеет свой собственный аспект (см. разд. Г и Д). Образование и протяженность областей гомогенности с дефектными и избыточными тетраэдрическими фазами, а также фаз с переменной валентностью в тройных системах несомненно находятся в прямой зависимости от положения атомов в периодической системе. [c.192]

До сих пор изучено небольшое число соединений из типов, приведенных в табл. 10 в особенности это относится к избыточным фазам, где обычно ограничивались (при синтезах) сочетаниями элементов первых периодов. Характерно, что в состав избыточных фаз входят не только элементы, участвующие в построении обычных и дефектных тетраэдрических фаз, но и другие, например литий, натрий, висмут. По этому признаку, а также по ряду других (малая способность к образованию фаз переменного состава и т. п.), избыточные фазы стоят несколько особняком, отличаясь от обычных и дефектных тетраэдрических фаз. [c.53]

В данной работе рассматриваются температуры плавления ковалентных полупроводников с тетраэдрической координацией атомов, связи в которых осуществляются, как известно, электронами в 5р -гибридных состояниях. Этот обширный класс полупроводниковых соединений подразделяется на три группы нормальные, дефектные и избыточные полупроводниковые фазы [I]. В катионной и анионной подрешетках соединений, принадлежащих к первой группе, одинаковое количество атомов , А В "ХГ, А В ХГ, А В Х и т. д.). В дефектных фазах количество катионов в ячейке меньше, чем число анионов, что предопределяет наличие вакантных узлов в катионной подрешетке кристаллов этой группы (Вг Хз А Вг хУ A Bs Xs и т. д.). [c.305]

Руководствуясь правилами построения аналогов, соответствующими приведенным в 2, можно вывести формулы четверных и более сложных тетраэдрических дефектных и избыточных фаз. Однако в этом нет необходимости, поскольку они будут представлять собой комбинации двойных и тройных фаз, исчерпывающий перечень которых дан в табл. 10. Как видно, табл. 10 может служить для выбора направления поисков новых полу- [c.53]

С. 3. Рогинский отмечает также, что все алмазоподобные полупроводники имеют один и тот же каталитический спектр , хотя и со значительными количественными различиями в активности [575]. Это положение существенно для подкрепления мысли о том, что в группе алмазоподобных полупроводников (а возможно и во всем семействе веществ с тетраэдрическими связями, включая дефектные и избыточные фазы) существует далеко идущая и распространяющаяся на многие свойства общность. Примером этой общности свойств могут служить результаты исследования кинетики растворения соединений типа А В упоминавшиеся выше, а также и многочисленные исследования других свойств. [c.192]

Среди бинарных соединений можно указать на целую группу полупроводниковых веществ типа А В , обладающих тетраэдрическим расположением атомов в структуре с той лишь разницей, что 7з узлов решетки, заполняемых атомами — катионами , остается вакантной, почему их называют дефектными. Можно также привести примеры избыточных тетраэдрических фаз (СпгЗе и др.), где атомы катионы заполняют все тетраэдрические пустоты кубической упаковки анионов , а также фазы типа АдВЗ (Ь1зВ1 и др.), где заполнены и октаэдрические пустоты. . [c.43]

Все это дает основание наряду с группой алмазоподобных полупроводников рассматривать крнсталлохимически родственные им дефектные и избыточные тетраэдрические фазы с отличным от четырех средним числом валентных электронов на атом. Отсюда возникает вопрос о пределах изменения среднего числа электронов на атом, в которых еще можно ожидать образования дефектных или избыточных тетраэдрических фаз с полупроводниковыми свойствами, а вслед за ним вопрос о возможных Т1шах дефектных или избыточных сложных веществ с тетраэдрическим (в основе) расположением атомов в структуре. [c.43]

Однако противопоставление структур кубических некубическим, как это было сделано в одной из первых публикаций по электронным свойствам daAsa, оказалось несостоятельным, в то время как рассмотрение дефектных, нормальных и избыточных тетраэдрических фаз с точки зрения постепенного заполнения пустот в плотнейшей упаковке неметалла, по-видимому, имеет перспективы. С этой точки зрения daAsj — член кристаллохимической группы избыточных тетраэдрических фаз. [c.205]

Синтез этих веществ, за исключением нитрида, производится обычным способом в эвакуированной и запаянной кварцевой ампуле. Их физико-химические свойства мало известны. Сравнительно недавно было обнаружено, что одно из этих веществ, 2пСеАз2, образует твердые растворы замещения с германием и переходит при этом в структуру цинковой обманки [340]. Можно с уверенностью предполагать, что это свойство давать области гомогенности с элементом четвертой группы присуще многим из соединений типа А В с . С общей точки зрения на образование тетраэдрических фаз представляет больщой интерес вопрос о щирине области гомогенности этих соединений гГЬ разрезам, соединяющим дефектные и избыточные бинарные фазы. Однако этот вопрос находится еще только в начальной стадии исследований. [c.137]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология