Энергия образования дефекта

Уравнение (УП1.49) используют для определения на опыте энергии образования дефектов Е, если известно, что преобладающую роль играет какой-либо один тип дефектов. Приращение общей энергии кристалла, связанное с разупорядочением решетки, Ь.и = = 2л . г, менее чувствительно к дефектам кристалла, чем изменение теплоемкости. Если опять ограничиться дефектами одного вида, то приращение теплоемкости, обусловленное появлением дефектов решетки, [c.277]

Эти широкие обобщения были сформулированы при грубой оценке доли, вносимой различными видами энергии. Первое точное вычисление энергии образования дефектов дано в классической [c.41]

Энергия активации процесса образования точечных дефектов зависит от их типа, химической природы вещества и его структуры, поэтому, хотя в решетке любого немолекулярного кристалла присутствуют одновременно все виды точечных дефектов, одни из них (с меньшей энергией активации) обычно преобладают над другими. Энергия образования дефектов по Шоттки при прочих равных [c.85]

Для реальных кристаллов дефектность структуры обычно намного превосходит вычисленную теоретически. При этом речь идет не о биографических неравновесных дефектах, а о тепловом равновесии в реальной решетке. Поэтому константы равновесия (Vn.4) — (Vn.6) сохраняются в прежнем виде, но необходимо объяснить неожиданно низкие энергии образования дефектов в реальных кристаллах. < [c.115]

Энергия образования дефектов по Шоттки несколько выше, чем по Френкелю. Так, в щелочно-галоидных кристаллах энергия образования дефектов по Шоттки и Френкелю составляет соответственно 2 и 1,5 эВ. [c.169]

Энергия активации и обычно невелика в сравнении с и равна 4—10 кДж/моль. Энергия образования дефектов W соизмерима с энергией решетки и, следовательно, близка по величине к энергии сублимации кристалла — растворителя. [c.163]

Равновесные концентрации дефектов по Френкелю или Шоттки (возможно также наличие в кристалле дефектов обоих типов) определяются величинами свободных энергий образования дефектов. Получим соответствуюш,ие зависимости в предположении, что дефекты можно считать невзаимодействующими. Поскольку в системе действуют медленно убывающие с расстоянием кулоновские силы, данное предположение допустимо лишь при очень малой равновесной концентрации дефектов (строго говоря, при с- -0). И все же для реальных ионных кристаллов при температурах заметно ниже температур плавления приближение дает удовлетворительные результаты. [c.335]

Величину Яр можно отождествить со свободной энергией образования дефекта. [c.335]

Точечные дефекты в ионных кристаллах. Аналогичные дефекты (см. раздел 1 настоящего ) существуют и в кристаллах с ионной связью. В отличие от дефектов металлического кристалла дефекты в ионных кристаллах несут на себе определенный заряд. На рис. 259, а показаны дефекты (обозначенные пунктирными кружками), связанные с появлением вакансий (дефекты Шотки), а на рпс. 259, б — дефекты, возникшие от попадания отдельных ионов в междоузлие (дефекты Френкеля). Из-за наличия в структуре положительных и отрицательных ионов на вакансию, обозначенную на рис. 259, а стрелкой 1, может попасть только анион, а стрелкой 2 — катион. Энергия образования дефектов Шотки в щелочногалоидных кристаллах порядка 2 эв, дефектов Френкеля — 1,5 эв. [c.257]

Энергия образования дефектов определяется наиболее просто, если известна величина энергии связи между парой частиц в кристалле. Однако для металлов за счет коллективного взаимодействия электронов и ядер энергию системы нельзя представить в виде простой суммы энергий связи соседних частиц. В этом случае можно лишь ввести понятие эффективной энергии связи, ф, определяемой результирующим значением всех сил, действующих на частицу в направлении ее ближайшего соседа. Если в объеме кристалла выделить =6-10 атомов, то определением ф может служить уравнение [c.113]

Обратимся сначала к дефектам по Шоттки и металлическим активным центрам типа / -центров. Для расчета энергии образования дефектов обратимся опять к эффективным энергиям связи по определению [c.121]

Таблица 5.1. Составляющие энергии образования дефектов Шоттки в галогенидах щелочных металлов и Ag l (в эВ) [55]

О. М. Полторак в работе [50] предложил учитывать понижение дифференциальной теплоты сублимации % как общую причину роста дефектности поверхности реальных кристаллов. Уменьшение величины X для реальных кристаллов связано с их макроскопической неравновесностью — малым размером частиц или мозаичным строением граней, наличием дислокаций, неравновесностью форм огранения кристаллов и т. п. Для некоторой части вещества теплота сублимации окажется сильно пониженной и в такой же мере снизится энергия образования дефектов поверхности. Некоторые области реальных кристаллов служат как бы источниками дефектов. Благодаря этому равновесие [c.115]

Здесь В = е Д5° — изменение энтропии, связанное с изменением колебательного спектра при образовании дефектов решетки. Энергию образования дефекта всегда можно представить в виде разности К—е , причем энергия сублимации реального кристалла [c.117]

Энергия образования дефектов решетки [c.40]

Энергия образования дефекта [c.100]

Механохимическая активация при измельчении. В процессе измельчения в результате механического воздействия мелющих тел происходит активация сырьевых компонентов и частично даже начинают осуществляться реакции, обычно реализуемые при повышенных температурах, например декарбонизация. Механохимическая активация сырьевых компонентов затем проявляется в период спекания. Активация сырьевых компонентов за счет механических воздействий столь значительна, что в мельнице возможно, хотя и в очень незначительных размерах, взаимодействие кальцита с кварцем. В результате механических воздействий и аккумулирования материалом энергии образования дефектов в кристаллах происходит снижение как теплоты (от 170 до 92 кДж/моль), так и температуры диссоциации и декарбонизации, достигаемое при длительном помоле нескольких процентов. [c.151]

Каталитические свойства металлоксидных анодов во многом определяются термодинамическими характеристиками оксидной фазы — энергиями связи кислорода на поверхности и в объеме, энергией образования дефектов, обусловленных нестехиометрией, энергиями активации движения ионов кислорода в решетке. Представления, развиваемые для каталитических процессов, во многом оправданы и для электрокатализа чем выше энергия связи кислорода в оксиде, тем больше энергия активации окислительного процесса. [c.9]

Здесь Л) и Лг — константы, включающие энергии образования дефектов и колебательные вклады Вх и В2 — константы, включающие энергии взаимодействия дефектов. [c.89]

Уравнение (IX, 15) используется для определения на опыте мольной энергии образования дефектов Е, если известно, что преобладающую роль играет какой-либо один тип дефектов. [c.240]

Из таблицы видно, что энергия решетки компенсирует основную часть работы, затрачиваемой на образование пары вакансий, так что для энергии образования дефектов Шоттки получаются значения 2 эВ. [c.134]

Дальнейшее развитие теории ДЭС идет в основном по линик построения еще более сложных моделей, включающих диффузное распределение заряда и потенциала не только в жидкой фазе, но и в приповерхностном слое твердой фазы (внутренней обладке). Для ионных кристаллов это связано с изменением энергии образования дефектов (ионов внедрения и вакансий) вблизи поверхности для окислов и гидроокисей — с адсорбцией ионов в пористом [c.187]

Дальнейшее развитие теории ДЭС идет в основном по линии построения еще более сложных моделей, включающих диффузное распределение заряда и потенциала не только в жидкой, но и в приповерхностном слое твердой фазы (внутренней обкладке). Для ионных кристаллов это связано с изменением энергии образования дефектов (иоНов внедрения и вакансий) вблизи поверхности, для оксидов и гидроксидов — с адсорбцией ионов в пористом слое ( гелеобразном слое), характерном, например, для стекол для высокополимерных ионитов — с адсорбцией ионов в матрице, постепенно уменьшающейся в глубь фазы ионита. Несмотря на видимое различие причин, для всех этих представлений характерна замечательная общность следствий, а именно некоторая часть скачка потенциала приходится на твердую фазу, и поверхностный потенциал г зона границе раздела (а тем более — потенциал ilJi) оказывается меньшим, чем межфазная разность потенциалов Д<р. [c.207]

Между энергиями образования дефектов Шоттки (в галоге-н Тдах щелочных металлов), а также вакансий (в металлах) и температурами плавления этих веществ существует линейная корреляция, как это показано на рис. 13.8 для галогеиидов лития. Такая корреляция вполне объяснима, поскольку температура плавления характеризует энергию, необходимую для полно= го разрушения кристаллической решетки, и, следовательно, зависит от энергии последней. В то же время энергию образования дефекта Шоттки или вакансии можно приравнять энергии, необходимой для разрушения чрезвычайно малой области кристалла и удаления атома пли пары противоположно заряженных ионов из структуры. Таким образом, и в результате плавлеиия, и при образовании дефектов разрушаются связи. К сходству между этими двумя процессами можно добавить, что некоторые [c.18]

В общем случае этот множитель иевелик и неточность его определения вызывает меньшую погрешность величины, чем неизбежная ошибка при определении энергии образования дефектов реальных кристаллов. [c.113]

Рассмотрим дефекты по Шоттки и активные центры типа Лцент-ров. Для расчета энергии образования дефектов, как и прежде, воспользуемся эффективными энергиями связи, по определению равными [c.122]

Определение энергий образования дефектов энергий взаимодействия дефектов ( ) и частот колебаний ионов V в кристаллической решетке нестехиомет-рической фазы представляет самостоятельный интерес в связи с тем, что энергетические характеристики де- [c.90]

Модель для СеОг-д . Рассматриваются два типа дефектов анионные вакансии Vz, имеющие средний заряд Z относительно нормального места и электростатически уравновешивающие их восстановленные катионы М со средним зарядом относительно нормального катионного места z. Понятие среднего заряда используется в связи с тем, что кристалл может содержать дефекты с разными зарядами и в связи с тем, что пары дефектов типа —М для простоты рассматриваются эквивалентными U+. Общая энергия, необходимая для создания ансамбля дефектов, складывается из трех частей усредненной по составу энергии образования дефектов Ef (энергии, необходимой для того, чтобы перенести атом кислорода из кристалла в газовую фазу и образовать вакансию и z/z восстановленных катионов), энергии притяжения разноименных дефектов Eve и ку-лоновской энергии отталкивания одноименных дефектов [c.94]

Интересные работы выполнены по термодинамике дефектов в ионных кристаллах. А. Г. Боганов с сотрудниками разработали метод расчета электростатической энергии для сложных дефектных решеток и констант Маделунга, что дает возможность в предельном случае оценить и энергию образования дефекта. [c.11]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология