Энтропия дефектообразования

Таким образом, для расчета энтальпии и энтропии дефектообразования достаточно знать ДЯ°(М02), ДЯ°(МО), Л5°(МОг), Л5°(М0) и зависимость предельной нестехиометрии кристалла Mi+6 О2 от температуры. [c.91]

Уравнение (2.46) позволяет также оценить энтропию дефектообразования [А5в = 16,7 Дж/(моль-К)]. Энергия Гиббса разупорядочения для интервала 1073<Г<1423 К [c.95]

Отметим то обстоятельство, что при образовании дефектов -изменение энтропии кристалла происходит не только за счет изменения конфигурации рассматриваемой системы, но и вслед- ствие того, что дефект оказывает влияние на частоты колеба- НИЙ атомов V, находящихся вблизи дефекта. Если (как обычно и бывает) в результате дефектообразования частоты колебаний окрестных атомов снижаются до v, то это дает положительную [c.22]

ТО ДКа/А5 = х/р, что даст нам оценку энтропии дефектообразования. Можно показать, что это соотношение верно для любой модели, в которой ДС зависит только от V. Из равенства ДУаАО = Х следует также А8 = к АС, где к — постоянная. [c.217]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология