Момент количества движения атомов и ионов

Эффект приложения магнитного поля к атому или одноатомному иону приводит к усилению вращения электронов вокруг оси, имеющей направление поля и проходящей через ядро. Это вращение, называемое прецессией Лармора, характеризуется угловой скоростью еН12тс. Момент количества движения электрона с радиусом вращения р относительно оси вдоль направления поля и с угловой скоростью еН12тс равен еНр 12с] магнитный момент электрона связан с моментом количества движения фактором — е 2тс и, следовательно, равен —Таким образом, для мольной диамагнитной восприимчивости можно записать следующее выражение [c.811]

Как и при измерении магнитной восприимчивости, здесь наблюдаются два основных случая. В первом—энергия, связанная с кристаллическим полем, намного больше спин-орбитального взаимодействия электронов. Это наблюдается у переходных элементов, обладающих -электронами, и когда -электроны находятся в поле кристалла. Основным результатом является такая компенсация орбитального момента количества движения электронов, что магнитные свойства определяются в первую очередь спином неспаренных электронов. Во втором случае расш,енление Штарка, вызванное полем кристалла, является незначительным возмущением, по сравнению со спин-орбитальным взаимодействием. Это наблюдается у лантанидных элементов, у которых 4/-элек-троны экранированы от электрических полей валентными электронами. В этом случае полный момент количества движения / сохраняется, и ион в кристалле ведет себя как свободный атом. [c.503]