Цезий монокристаллический

Джонсон И Шокли [224] нашли, что на поверхности монокристаллической нити вольфрама, ориентированной гранью 110 перпендикулярно оси нити и испускающей электроны при 2000° К, видны грани 111 и 100 . Это наблюдение находится в согласии с величинами работ выхода, приведенными в табл. 5. Если нагревать вольфрам до более низких температур в парах цезия, то на люминесцентном экране появляются другие грани, кристаллографический тип которых зависит от температуры. Например, при 900° С видны грани 211 , а при 850° С — грани ПО . Грани 211 адсорбируют цезий более прочно, чем грани ПО . При 700° К количество цезия, адсорбированного на этих двух гранях, уже превышает его количество, необходимое для получения максимальной эмиссии, и поэтому максимальной эмиссией Б этих условиях обладают другие окружающие их грани. Однако грани 100 и 111 еще не появляются, что, по-видимому, объясняется тем, что они не адсорбируют цезий при данной температуре и данном давлении паров цезия. Эти результаты полностью соответствуют значениям работ выхода, приведенным в табл. 5. Таким образом, чем выше работа выхода, тем сильнее адсорбируется цезий. Аналогичные,результаты были получены иа сферических монокристаллах вольфрама [225]. [c.125]

Совместное действие Рр и рад. было весьма убедительно доказано в вышеупомянутой работе Джонсона и Шокли, которые исследовали распределение термоионной эмиссии с зоны [011] монокристаллической вольфрамовой проволоки в парах цезия. [c.354]

Рис. 13. Распределение термоионной эмиссии электронов с поверхности зоны [011] монокристаллической проволоки вольфрама, находящейся в парах цезия.

Образцы плавленой поликристаллической и монокристаллической MgO были испытаны в жидком s. При петрографическом исследовании этих образцов найдено, что после испытаний монокристаллы периклаза остались без изменений, на них обнаружены лишь очень тонкие порядка 15—20 л/с прерывистые пленки, вероятно, карбоната цезия на поверхности образцов, погруженных в жидкий цезий [500]. [c.238]

Наблюдается сильная эмиссия с трех плотноупакованиых плоскостей монокристаллического рения в парах цезия [c.455]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология