Поверхность приповерхностные зоны

Поверхностные реакции, подобные коррозионным процессам, могут далеко проникать вглубь материала. В материале возникают определенные структуры, выходящие далеко за рамки размерностей физической поверхности. Они обусловливают специфические механические, оптические и электрические свойства материала. Поэтому исследование таких систем не ограничивается анализом только внешнего атомного слоя, но также требует анализа приповерхностных зон гораздо большей толщины. [c.312]

Различия второй категории связаны главным образом с тем, что реальные сорбенты не вполне соответствуют модели идеальной неполярной поверхности по нескольким причинам. Во-пер-вых, степень модификации силанольных групп может быть различной, и не всегда допустимо пренебрегать возможностью прямой сорбции на силикагелевой матрице. Так, в [97] указано, что концентрация силанольных групп на поверхности силикагеля составляет 8—9 мкмоль/м , в то время как из-за пространственных затруднений плотность модификации алкильными группами не превышает 4 мкмоль/м . Во-вторых, влияние может оказывать структура частично упорядоченного слоя органических лигандов. Этот слой не плоская неполярная поверхность, а скорее разрыхленная приповерхностная зона, заполненная, наряду с модифицирующими лигандами, молекулами растворителя. Способность молекул разделяемых веществ сорбироваться на ее поверхности либо внедряться между отдельными радикалами лигандов, очевидно, будет зависеть от структуры последних. К сожалению, явления такого рода плохо предсказуемы, так что целенаправленно создать обращенно-фазовый сорбент, отличающийся по селективности в желаемом направлении, нелегко. Исследования в этом направлении тем не менее проводятся. Остановимся на некоторых достигнутых результатах. [c.59]

Немецкие требования дифференцируют пределы допустимости в зависимости как от местоположения дефекта в поковке, так и от ориентации дефекта. Так, недопустимы дефекты, обнаруженные в приповерхностных зонах поковки. Допускаются протяженные несплошности, в некоторых случаях до 120 мм, ориентированные параллельно цилиндрической поверхности обечайки, в то же время недопустимы дефекты протяженностью > 10 мм в направлении толщины стенки. [c.391]

Полевая ионизация (автоионизация) возникает вблизи поверхности металлического острия-эмиттера, имеющего на конце радиус закругления 10 м, при наложении электрического потенциала порядка нескольких киловольт между острием (анодом) и вторым электродом (катодом) значительно большего размера. Образующийся при этом в приповерхностной зоне острия градиент 10 В/м способствует ионизации молекул газа [3, 15—17]. [c.51]

ГУВ — нефте-, водо- и рассолопроводы. Этот подтип загрязнения вместе с подтипом 1УБ оказывает наиболее интенсивное неблагоприятное воздействие на зоны аэрации и активного водообмена, являющиеся областями формирования и накопления пресных питьевых вод. Длина нефтепроводов в АНК Башнефть составляет около 3000 км, а промысловых водопроводов — 1200—1300 км. Более 30% трубопроводов отработали амортизационный срок [Габитов, Мустафин, 2003]. При порывах (частота порывов в республике изменяется от 0,1-1,0 до 10-19 на 1 км трубы в год [Абдрахманов, 1993], такие же данные по НГДУ Бавлынефть [Анисимов, Пухов, 1988]) указанных водоводов в пределах только одного нефтяного месторождения на поверхность и в приповерхностную зону поступает от нескольких десятков до нескольких сотен тысяч кубических метров пластовых рассолов с минерализацией 200-250 г/л. Разливаются на поверхность десятки кубометров нефти. Происходит интенсивное загрязнение пресных подземных вод хлоридами кальция, натрия, магния, металлами (Вг, В, 8г и др.), нефтью и нефтепродуктами, ПАВ, ингибиторами коррозии и пр. на длительный срок (до десятков и сотен лет). [c.141]

В промышленной части города, где нефтеперерабатывающие, нефтехимические, химические и другие промышленные предприятия образуют гигантский источник загрязнения природной среды, в подземных водах, как указывалось, обнаруживаются аномально высокие концентрации многих химических соединений (органических и неорганических). Исследования показывают, что наиболее интенсивному воздействию геологическая среда подвергнута с поверхности до глубины 15-20 м. Диоксины и тяжелые металлы в почвогрунтах на территории промышленных предприятий концентрируются в приповерхностной зоне (до 5-7 м). В интервале глубин от 5—7 м до 20 м содержание их значительно уменьшается. Жидкие органические загрязнители и водорастворимые соли проникают практически на всю зону активной циркуляции. [c.176]

При расчете энергии образования новых поверхностей раздела при росте трещин, согласно таким взглядам, необходимо учитывать помимо поверхностной энергии также и энергию, затрачиваемую на изменения в приповерхностной зоне у разрыва, т. е. на развитие пластической деформации, сопровождающей разрущение [507, 571, 637—642]. При этом оказывается, что энергия деформирования, как правило, намного больше поверхностной энергии [571]. Поэтому в формулу Гриффита для расчета предела прочности считается необходимым подставлять не поверхностную энергию W oB, а работу Лд, затрачиваемую на пластическую деформацию при образовании единицы поверхности раздела [571]. Некоторые исследователи отмечают, что в приповерхностном слое у разрыва имеется большое количество микротрещин, и поэтому полагают, что работа образования приповерхностного слоя затрачивается как на его пластическое деформирование, так и на его разрушение [637—642]. Вопрос о соотношении энергий, затрачиваемых здесь на деформирование и разрушение приповерхностного слоя, дискутируется в литературе [571, 637— 642] и не имеет пока общепринятого решения. Такая модифицированная теория Гриффита может претендовать даже на объяснение температурной и скоростной зависимости прочности, если в нее вводить представления о зависимости Лд от Т и ё. [c.494]

Адсорбированные на катализаторе молекулы можно рассматривать как находящиеся на поверхности кристалла примеси, приводящие к появлению на ней избыточных зарядов. В силу электронейтральности кристалла в целом такой заряд нейтрализуется соответствующим обратным по знаку зарядом в приповерхностной области кристалла. В этой области (так называемой области пространственного заряда ) происходит искривление энергетических зон кристалла и формируются дырочные и электронные квазиуровни Ферми, определяющие энергетическое состояние этих объектов в приповерхностной зоне в реальном примесном (легированном) полупроводнике. [c.32]

Пограничный слой Дебая — Френкеля. В этом параграфе мы рассмотрим диффузионный поток вещества в приповерхностном слое кристалла перпендикулярно его поверхности. В этой области могут наблюдаться аномальные значения коэффициентов диффузии, отличные от коэффициентов диффузии в объеме . В случае ионных кристаллов подобные отклонения обусловлены объемными зарядами в приповерхностной зоне. Соответствующая теория была развита Я. И. Френкелем [25] и другими [26, 27] [c.105]

В ряде случаев наблюдается явление, обратное поверхностной сегрегации, — обеднение приповерхностной зоны атомами легирующих элементов (см. рис. 4.11,6). В этом случае свойства поверхности определяются свойствами основного элемента. На рис. 4.11, в показана ситуация, когда примесные элементы скапливаются вблизи границы раздела. В отличие от сегрегации зона высокой концентрации атомов не локализуется на самой поверхности. В случае металлов так проявляется азотирование. Рис. 4.12, г иллюстрирует четвертый пример изменения состава поверхностного слоя. Оно обусловлено образованием на поверх- [c.102]

Реакция глубокого моря на перпендикулярный к берегу экмановский перенос также имеет существенные последствия, особенно в том случае, когда экмановский поток направлен от берега. В сторону открытого моря переносится легкая поверхностная вода, а замещается она у берега поднимающейся с нижних уровней плотной холодной водой, богатой питательными веществами (так называемый апвеллинг). При подъеме питательных веществ в освещенную Солнцем приповерхностную зону наступает быстрое размножение микроорганизмов, поэтому эти районы совпадают с важными рыбопромысловыми районами. Практически половина рыбопромысловых районов находится в прибрежных районах, занимающих крошечную долю поверхности океана. Явление апвеллинга рассмотрено в разд. 10.11. [c.75]

Измерения показывают, что деформация вертикальных профилей скорости наблюдается лишь в приповерхностной части потока и связана с влиянием пограничных слоев бг развивающихся на боковых поверхностях трения. Развитие этих пограничных слоев происходит более интенсивно в приповерхностной зоне (рис. 1.8), поэтому здесь их влияние наиболее ощутимо. [c.22]

Возникновение плотностных потоков вблизи поверхностей осаждения вызывает потоки противоположного направления в приповерхностной части слоя воды, что создает вихревые зоны. Это, в свою очередь, является одной из причин появления вертикальных составляющих скорости потока в конце участка осаждения. Распределение концентраций взвеси в горизонтальном отстойнике при этих условиях показано на рис. П-1, а. [c.49]

В идеальном случае энергетическое состояние носителей тока на поверхности и в объеме полупроводника одинаково, что согласно зонной модели эквивалентно отсутствию изгиба энергетических зон в приповерхностной области (рис. 71, а). После приложения внешнего поля с плюсом на металлическом электроде и минусом на кремнии п-типа электроны из объема подтягиваются к поверхности, их поверхностная концентрация увеличивается, и в поверхностном слое возникает отри- [c.123]

При перемене полярности электроны уходят с поверхности в глубь кристалла, возникает обедненный приповерхностный слой, что соответствует изгибу энергетических зон вверх (рис, 71, б). При этом на [c.124]

Для полупроводника р-типа, покрытого слоем термического окисла, энергетические зоны также изгибаются вниз вследствие обеднения поверхности дырками (что эквивалентно обогащению поверхности электронами), ч в приповерхностном слое может возникнуть инверсионный слой п-типа (рис. 72, б). Изучение изгиба энергетических зон и области пространственного заряда удобно проводить на МОП-струк-турах (металл—оксид—полупроводник), представляющих собой конденсатор, одной из обкладок которого служит металлический электрод, напыленный на поверхность окисла, другой — полупроводниковая подложка, а слой 5102 служит диэлектриком. Емкость МОП-конден-сатора зависит от полярности и величины приложенного внешнего напряжения, поскольку первоначально существующий в системе изгиб зон может при этом увеличиваться или уменьшаться. [c.125]

Направление перехода электрона зависит от положения уровня Ферми в объеме полупроводника и энергетического уровня хемосорбированной молекулы. Положение уровня Ферми определяет концентрапию дырочного и электронного газа в твердом теле. При хемосорбции, когда электрон или дырка переходят из твердого тела на адсорбированную молекулу, поверхность полупроводника заряжается, и в приповерхностном слое возникает заряд противоположного знака. В результате такого процесса наблюдается искривление энергетических зон вблизи поверхности полупроводника. [c.67]

Причину интенсифицирующего воздействия перемешивания на процессы переноса поясним на примере растворения твердого зерна / в жидкости (рис.5.26). Растворение происходит при возникновении градиента концентраций С/Ап растворяемого вещества в приповерхностной зоне чем круче идет концентрационная кривая у поверхности зерна, тем быстрее растворение. В первые моменты времени (т]) контакта зерна с жидкостью этот фадиент достаточно велик — растворение идет быстро. С течением времени (тз > Т2 > Т]) слои жидкости, прилегающие к поверхности зерна, начинают насыщаться растворяемым веществом — фадиент понижается, и растворение замедляется. Перемешивание жидкости способствует переносу к поверхности зерна свежих (слабо насыщенных) порций жидкости в результате фадиент возрастает (штриховая линия, отмеченная пикто-фаммой 4), а значит интенсифицируется процесс растворения. [c.437]

Спекающие добавки вводили в растворенном виде, например в форме нитрата кальция затем они разлагаются с образованием высокодисперсных окислов, равномерно распределенных по поверхности частиц спекаемого глинозема. В процессе спекания на поверхности этих частиц образуется реакционная зона, где локальная концентрация добавки значительно превышает среднюю ее концентрацию в глиноземе. Соответственно в этой приповерхностной зоне резко понижается температура плавления глинозема, что способствует взаимному припеканию частиц глинозема при сравнительно низких температурах. В результате образуется прочный каркас из припекшихся частиц, который сохраняется и после того, как добавка (по истечении некоторого времени) равномерно распределится по объему глинозема. Таким образом, введение малого количества хорошо диспергированной добавки увеличивает прочность глиноземного носителя, не приводя к заметному понижению термостабильности его пористой структуры. [c.64]

Как известно, для кинетики начального селективного растворения разработан подробный математический аппарат, основанный на теории нестационарной объемной диффузии. Другие же стадии растворения пока еще не получили удовлетворительного кинетического описания. Это составляет задачу нового научного направления, формиру бщегося на стЫ ке теоретической электрохимии, физико-химии поверхности и металловедения и призванного дать непротиворечивую теорию явлений на границе сплава с коррозион юй средой. Очевидно, что, будучи основанной на фундаментальных электрохимических принципах, такая теория должна еще учесть структурно- фазовый состав сплава, строение межфазной границы и приповерхностной зоны, механические напряжения в сплаве и прочее. [c.193]

Источники влияния подтипа 1VB на зону пресных вод, как уже отмечалось, это трубопроводы различного назначения. При порывах рассоло- и нефтепроводов в приповерхностную зону и на поверхность поступает от десятков до нескольких десятков тысяч кубических метров пластовых рассолов или нефти. Значительная часть трубопроводов на месторождениях находится в сильно изношенном состоянии. В начальной стадии эксплуатации, например, Туймазинского месторождения (1944-1958 гг.) аварийных порывов из-за коррозии не было (ППД осушествлялось пресной водой). В последующем аварийность увеличилась следующим образом в 1959—1968 гг. — 326 аварий, 1969-1975 гг. — 3276,1976—1978 гг. — 4421. (ельная частота порывов резко увеличивается в зависимости от длительности эксплуатации трубопроводов (рис. 57). Наибольшая частота порывов (более 75-90%) приходится на трубы со сроком службы более 10-15 лет. [c.222]

Все эти явления определяют поведение примеси при росте частиц твердой фазы. В процессе роста примесь взаимодействует с компонентами среды с образованием комплексов различного состава, участвует в окислительно-восстановительных, гидролитических и соль-ватационных процессах, протекающих в среде [35—38], при этом в материнской фазе образуются различные формы примеси, которые, не прекращая взаимных превращений, взаимодействуют с дочерней фазой. Каждая форма адсорбируется на поверхности растущих частиц и затем десорбируется, взаимодействует с поверхностными ловушками (ступенями, выходами на поверхность дислокаций и межблочных границ, скоплениями точечных дефектов [26 39, с. 8]) или переходит в приповерхностную зону твердой фазы. [c.19]

Указанные виды имеют аналоги в классификационной схеме явлений адсорбции стабильными кристаллами. Аналогом первого вида является вторичная адсорбция, а второго — первичная и молекулярная адсорбция по Ратнеру [25—27]. Наличие таких аналогов не исключает необходимости введения термина эписегрегация, отражающего специфику сорбции примеси на поверхности растущих кристаллов. Закономерности эписегрегации совпадают с закономерностями первичной и вторичной адсорбции, если соосаждение протекает без нарушения равновесной структуры и состава приповерхностной зоны твердой фазы. В противном случае адсорбция нестабильной поверхностью специфична и ее целесообразно именовать специальным термином. [c.39]

Приповерхностные зоны материнской и дочерней фаз характеризуются особыми свойствами [19—24]. Протяженность таких зон зависит от природы компонентов системы. Если в кристаллах или жидкости имеются свободные носители зарядов, то они часто локализуются в непосредственной близи от границы раздела фаз. Носители же компенсирующего заряда располагаются в приповерхностных зонах диффузно на расстоянии, соизмеримом с дебаевским радиусом экранирования, который меняется от 10 до 10 А при переходе от кристаллизантов металлов к диэлектрикам [18—20]. Неравномерное распределение носителей заряда приводит к электрической и механической поляризации приповерхностной зоны, что должно сказаться и на распределении примеси. Если в системе нет свободных зарядов или невозможна их локализация на границе раздела фаз, то протяженность приповерхностной зоны жидкой фазы зависит от дипольного момента ее молекул и поляризующего действия кристаллов. Эта зона обнаружена, например, на поверхности стеклянных и металЯических пластин, смоченных водой [21]. Особыми свойствами отличается вода между кристаллами в концентрированных суспензиях, что проявляется в отклонении их поведения от закона Дарси [22] и в замедленной диффузии ионов в растворах между кристаллами таких суспензий [23]. Протяженность слоя воды, обладающего особыми свойствами, точно не установлена, однако [c.61]

Свойства поверхности кристалла при Т <Тс анализировали с позиций классической и квантовохимической теории связи. Расчеты показали, что в приповерхностной зоне ионных кристаллов на ионы действует несимметричное электрическое поле, которое должно смещать катионы слоя 8 к слою Г на 1—15% от параметра решетки [46, 47]. Тенденция к смещению анионов под действием несимметричного поля частично компенсируется их поляризацией, в результате чего анионы смещаются к слою Г значительно меньше, а в некоторых случаях даже удаляются от него, например, как в кристаллах фторида лития и хлорида натрия [47]. Асимметрия поля вблизи поверхности кристаллов является также при- чиной тангенциального смещения ио-нов, а именно, сближения противоио-нов с образованием квазимолекуляр-ных пар , расположенных правильными рядами, что приводит к увеличению степени ковалентности связи в слое 8 [48, 49]. В случае ковалентных и металлических кристаллов слой и ряд глубинных монослоев смещаются от центра кристалла [50—52], что связано с ослаблением связи, в частности, из-за регибридизации молекулярных орбита-лей в поверхностном слое [51]. Степень смещения слоев согласно квантовомеханической теории должна быстро убывать по мере перехода к более глубоким слоям кристалла (рис. 4.5). [c.65]

При нарастании полимолекулярных слоев примесь может попасть в объем кристалла не только после перехода в приповерхностную зону террас, но и непосредственно с торцов ступеней. Условия же сорбции торцами и террасами различны как из-за разной молекулярной конфигурации граней торцов и террас, так и из-за особенностей кинетики сорбции примеси торцами и террасами. Чтобы выявить эти особенности, рассмотрим захват примеси кристаллом, на поверхности которого имеется зшелон ступеней, образованных откладывающимися полимолекулярными слоями. Различные участки приповерхностной зоны торца каждой ступени находятся в разном состоянии. Участок у основания торца взаимодействует со слоем Фольмера соседней террасы (рис. 4.15) и при росте кристалла переходит непосредственно в объем твердой фазы. Участок в середине торца взаимодействует со средой и при росте кристалла также [c.86]

Поведение примеси в этом режиме исследовано мало. Однако накопленные данные позволяют представить течение миграционного режима следующим образом [94, с. 52—63 95, с. 216—220, 96]. Любой свежеобразованный участок слоя Панета первоначально захватывает примесь по законам адсорбции. При включении данного участка в объем приповерхностной зоны твердой фазы его состояние меняется, что вызывает дополнительное накопление примеси данным участком, если локальный коэффициент равновесного распределения в объеме больше, чем на поверхности, или выделение части примеси в раствор в противоположном случае. По мере роста рассматриваемый участок все более отдаляется от границы раздела фаз, при этом его состояние непрерывно меняется. Интенсивность [c.94]

Месторождения Японии. Общие запасы вулканогенной серы в Японии составляют около 60 млн. т. В течение последних 50 лет в Японии было разведано и разрабатывалось свыще 100 месторождений. Сейчас эксплуатируется около 30 рудников, ежегодная добыча серы на которых составляет 200—250 тыс. г. Месторождения разделяются на две группы образованные на земной поверхности и образованные в приповерхностной зоне (метасоматические). В первую группу входят сублимационные ( хана иво и хигучи иво ), осадочные (кратерно-озерные) и серные потоки. [c.40]

Соосаждение происходит при выделении твердой фазы из пересыщенного раствора. Формирующиеся в процессе кристаллизации коагулянта твердые частицы вовлекают примесь в процессы, сопровождающие кристаллизацию на всех ее стадиях. Примеси могут < орбироваться на поверхности растущих кристаллов, взаимодействовать с поверхностными ловушками (ступенями, выходами на поверхность дислокаций и межблочных границ, скоплениями точечных дефектов [160, с. 8]) или переходить в приповерхностную зону твердой фазы [142, с. 19]. [c.100]

Основная схема контроля поковок — эхометодом, продольными волнами, прямым совмещенным преобразователем (ГОСТ 24507—80). Если имеется донная поверхность, параллельная поверхности ввода, применяют также зеркально-теневой метод. Он помогает обнаруживать рыхлоты и другие дефекты, дающие слабое отражение в обратном направлении. При этом, чтобы не увеличивать объем сканирования, отмечают как дефектные только те участки, в которых донный сигнал уменьщается до уровня фиксации эхометода, хотя чувствительность зеркально-теневого метода при этом довольно низкая. Для уменьщения мертвой зоны приповерхностный слой дополнительно контролируют РС-преобразователем, а объекты небольшой толщины (50 мм и менее) —только РС-преобразователем. [c.200]

Рассмотрим изменение зарядового состояния поверхности кремния п-типа, покрытого слоем термически выращенного 5102. Окисел, примыкающий к границе раздела 51—510а, сильно дефектен по кислороду, причем концентрация кислородных вакансий достаточно резко убывает к поверхности окисла. Поскольку с кислородными вакансиями ассоциирован положительный заряд, максимальный у границы раздела, то наблюдается обогащение электронами приповерхностного слоя кремния. Это обогащение приводит к изгибу энергетических зон вниз (рнс. 72, а) даже при отсутствии внешнего поля. Поскольку пространственный заряд сконцентрирован в очень небольшом слое вблизи границы 5 1 — Оз, то возникающее при этом собственное электрическое поле весьма значительно, что и приводит к сильному искривлению зон в приповерхностном слое полупроводника. Обычно до п-вырождения дело не доходит, но при наличии в окисле значительного количества положительных ионов примеси (особенно щелочных металлов) искривление зон настолько велико, что иногда может наблюдаться металлизация поверхности. Это, в частности, является причиной тангенциальных (поверхностных) утечек в полупроводниковых приборах. [c.125]

Дальнейшее развитие теории ДЭС идет в основном по линии построения еще более сложных моделей, включающих диффузное распределение заряда и потенциала не только в жидкой, но и в приповерхностном слое твердой фазы (внутренней обкладке). Для ионных кристаллов это связано с изменением энергии образования дефектов (иоНов внедрения и вакансий) вблизи поверхности, для оксидов и гидроксидов — с адсорбцией ионов в пористом слое ( гелеобразном слое), характерном, например, для стекол для высокополимерных ионитов — с адсорбцией ионов в матрице, постепенно уменьшающейся в глубь фазы ионита. Несмотря на видимое различие причин, для всех этих представлений характерна замечательная общность следствий, а именно некоторая часть скачка потенциала приходится на твердую фазу, и поверхностный потенциал г зона границе раздела (а тем более — потенциал ilJi) оказывается меньшим, чем межфазная разность потенциалов Д<р. [c.207]

Обширной областью использоваиия п л а ст ф ци ру го щег а действия среды является применение поверхностно-активных веществ при обработке металлов давлением при волочении, штамповке, в процессах прокатки. Пластифицирование поверхностных слоев обрабатываемого металла при введении в смазки поверхностно-активных компонентов существенно уменьшает величину усилий, которые необходимо прилагать для осуществления этих процессов, приводит к улучшению качества поверхности и уменьшению степени наклепа (уровня внутренних напряжений) в приповерхностных слоях металла Здесь, как и в процессах резания, одновременно проявляется и универсальное экранирующее действие адсорбционных словв о И1 препятствуют сцеплению (возникновению фазовых контактов) между поверхностью инструмента и обрабатываемого материала за счет своей невытесняе-мости из зоны контакта, особенно в условиях хемосорбции. [c.344]

Сварной стык в подошве и шейке рельса прозвучивают многократно отраженным лучом, благодаря чему обеспечивается выявление дефектов, расположенных у поверхности, по которой перемещают преобразователь, т.е. исключается таким образом влияние мертвой зоны на выявляемость дефектов в приповерхностном слое. Сварной стык в головке рельса прозвучивается только прямым лучом. [c.639]

В предкритической области горения, как показал анализ в предыдущих рЛделах главы, время сгорания возмущений, генерируемых процессом горения, часто оказывается меньше или сравнимо со временем растекания возмущений. Колебания поверхности горения при одновременном движении волн возмущения создают конвективное перемешивание слоя жидкости некоторой толщины, прилегающего к поверхности горения. Возмущения поверхности усиливают теплообмен в поверхностном слое и способны расширить прогретый слой за счет дополнения кондук-тивной теплопередачи конвективной [38]. Если слабая турбули-зация поверхности жидкости способна усилить поступление паров в газовую фазу, что может наблюдаться у веществ с горячим пламенем, то интенсивное перемешивание приповерхностного слоя может настолько охладить прогретый слой, а также зону химической реакции, что нарушатся условия теплового равновесия и горение затухнет. [c.213]

Во втором случае скорость диффузии вещества настолько мала, что реакционная зона ограничена узким приповерхностным слоем, распространяющимся на некоторую 1 лубину от наружной поверхности частицы. Такую модель называют модэлью непроницаемого ядра , или сужающегося ядра , она показана на рис. ХУ-2. [c.408]

Для окислов п.-типа (VaOs, ZnO) концентрация свободных электронов в приповерхностном слое будет уменьшаться вследствие перехода электрона от твердого тела к хемосорбированной молекуле. Для окислов р-типа (NiO, СнгО) концентрация дырок в слоях, расположенных вблизи поверхности, будет возрастать при хемосорбции акцепторных молекул. Направление перехода электрона зависит от положения уровня Ферми в кристалле и энергетического уровня хемосорбированной молекулы. Положение уровня Ферми определяет концентрацию дырочного и электронного газа на поверхности. При хемосорбции, когда электрон или дырка из твердого тела переходит на адсорбированную молекулу, поверхность полупроводника заряжается, и в приповерхностном слое возникает объемный заряд противоположного знака. В результате такого процесса наблюдается искривление энергетических зон вблизи поверхности полупроводника [162 J. Вследствие искривления зон положение уровня Ферми на поверхности кристалла сдвинуто по сравнению с положением его в объеме на величину Ае. Такое изменение положения уровня Ферми сопровождается изменением концентрации свободных электронов и дырок и вызывает изменение электропроводности Аа чем больше As, тем больше Аст. Работа выхода электрона ф — есть расстояние от уровня Ферми до уровня, соответствующего значению потенциала в пространстве над твердым телом. Изменение работы выхода Дф = —Ае (если пренебречь влиянием динольного момента у нейтральной молекулы). Работа выхода электрона изменяется в зависимости от степени заполнения поверхности адсорбированными молекулами. Увеличение работы выхода наблюдается при адсорбции акцепторных, а уменьшение — при адсорбции донорных молекул на поверхности полупроводника. Согласно [c.54]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология