Зонные структуры полиморфных модификаций кристаллического

ЗОННЫЕ СТРУКТУРЫ ПОЛИМОРФНЫХ МОДИФИКАЦИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО [c.151]

Энергетические зоны Ш-нитридов (для трех полиморфных модификаций представлены на рис. 1.2 (расчет методом ЛМТО [73]) и образуют квазиостовную подполосу N25- o tohhhu, полностью занятую гибридную полосу M s,p,d)—N2p-THna (М = В, А1, Ga, In), отделенную от зоны проводимости запрещенной щелью. Величина последней, как и типы переходов (прямой, непрямой) в ряду нитридов изменяются в широком диапазоне ( 6,2-А),0 эВ) в зависимости от состава катионной подрешетки и типа кристаллической структуры [73—75, 86, 90—116]. Энергетические распределения плотностей состояний (ПС) атомов-компонентов по основным полосам валентной зоны (ВЗ) и зоны проводимости (ЗП) для e-AIN приводятся на рис. 1.3. Важно отметить, что в области ВЗ нитридов А1, Ga, In присутствует определенный вклад занятых 3d—5d-состояний катионов методические аспекты необходимости учета -орбиталей этих элементов, свободных в их атомарном состоянии, для корректного воспроизведения фундаментальных электронных свойств нитридов подробно обсуждаются, например, в [c.11]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология