О механизме каталитического действия полупроводников (Ф. Ф. Волькенштейн)

Механизм каталитического действия поверхности полупроводников исследован Волькенштейном [18] . В основе его теории лежит представление о хемосорбированных частицах как о поверхностных примесях, составляющих единую квантово-механическую систему со всей кристаллической решеткой катализатора. Согласно этим представлениям, существуют две формы хемосорбции одновалентного атома или радикала на поверхности кристалла [c.22]

За истекшие годы наши знания о процессах испарения и конденсации в сильной степени углубились и расширились. С целью интерпретации перемещения электронов при химических реакциях были развиты электронные представления и разработаны такие теории, как зонная, валентной связи, кристаллического поля и поля лигандов, причем последняя служит введением в теорию простетических групп в энзимах. Шваб дал формулировку электронных механизмов каталитических процессов для металлов. Вагнер, Гарнер и Волькенштейн распространили их на полупроводники. Подобным же образом в результате широких исследований полупроводниковых окисей и сульфидов было предложено при изучении механизма действия катализаторов перейти от рассмотрения кооперативных свойств твер- [c.10]

За последние десять лет по механизму каталитического действия полупроводников появилась целая серия работ советских и зарубежных исследователей (Ф. Ф. Волькенштейн [1], С. 3. Рогинский [2], В. Л. Бонч-Бруевич [3], Хауффе [4], Вейсц [5], Эгрен [6], Такаиси [7]). Появилось также много экспериментальных работ. Все они развивают основное электронное направление в адсорбции и катализе. [c.111]

Связь этой концепции с гипотезой плоских цепей в катализе не стол очевидна. Из чисто физической концепции адсорбции па полупроводниках в качестве одного из выводов, как это было показано в докладе Ф. Ф. Волькенштейна, вытекает возможность появления радикалов и атомов непосредственно на поверхности. Эти формы, однако, нельзя считать полными аналогами свободных атомов и радикалов. Это как бы. иолурадикалы , по своим свойствам находящиеся между свободными и насыщенными радикалами. Однако еще не доказано, что появление таких форм на поверхности должно приводить к плоским цепям в катализе. Следует обратить внимание на работы, опубликованные в самое последнее время за границей, в которых из модели, весьма сходной с предложенной Ф.Ф. Волькенштейном, удалось получить характерную кинетику активированной адсорбции, объяснить линейную связь между логарифмом предэкспоненциального множителя и энергией активации и т. д. Очень желательно продолжить теоретический анализ действия добавок на каталитическую активность. В частности, как показано недавно в совместной работе Ф. Ф. Волькенштейна и моей, на поверхности полупроводника адсорбированные атомы или молекулы, разорванные на атомы и радикалы, могут существовать более чем в двух формах (одноэлектронная, двуэлектронная и ионная связи). Уже трех форм достаточно для появления в адсорбции и катализе при электронном механизме характерных явлений модифицирования. [c.158]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология