Бонч-Бруевич

Начало современной теории полупроводников, как полагают Бэкер и Дженкинс [152], было положено Вильсоном в 1930— 1931 гг. [159], который тогда уже применил зонную теорию для объяснения электропроводности. В дальнейшем, в 30—40-х годах, в развитии этой теории приняли участие многие физики, в том числе Иоффе [160], Вагнер, Мотт и другие (см. [161— 164]). Связь же между полупроводниковыми и каталитическими свойствами впервые была отмечена в конце 30-х годов Вагнером и Хауффе [164], а затем более подробно описана (с привлечением материала о влиянии освещения) Рогинским (см. стр. 212 и рис. 2, 3). Попытки создания количественной электронной теории катализа начинаются только с конца 40-х годов. При этом на первый план выступают работы Рогинского, Волькенштейна, Теренина, Борескова, Бонч-Бруевича, Мясни-кова, Ляшенко (СССР), Гарнера, Даудена (Англия), Жермена, Эгрена (Франция), Будара, Тамару, Гомера (США), Вагнера, Хауффе, Зурмана, Шваба (ФРГ), Белянского, Дереня (ПНР), Коутецкого (ЧССР) и других. В 50-х годах появляется масса работ как по полупроводниковому катализу, так и по катализу на металлах и сплавах. Можно сказать, что начинается период подлинной электрификации теории катализа (Баландин) [71]. [c.241]

Основным источником энергии СВЧ является специальный электронный прибор, называемый магнетроном. Конструкция первого магнетрона была предложена Хеллом в 1921 г. [22]. Развитие радиолокации в предвоенные годы способствовало прогрессу в этой области. Особенно следует отметить создание советскими инженерами Н. Ф. Алексеевым и Д. Е. Маляровым под руководством М. А. Бонч-Бруевича серии мощных многорезона-торных магнетронов сантиметрового диапазона [23]. Ценность этих инженерных разработок была очень высока. В 1959 г. известный английский писатель Чарльз П. Сноу в лекции под названием Две культуры (М. Прогресс, 1973), рассказывая о черном чемоданчике , доставленном перед войной в США, указал, что он содержал три предмета, превышающие по своей стоимости любые произведения искусства, когда-либо доставляемые на континент. Одним из этих предметов был магнетрон. В настоящее время разработаны и эксплуатируются наряду с магнетроном и другие электронные приборы клистроны, лампы бегущей и обратной волны, твердотельные устройства [17-19,22]. [c.85]

В. Д. Бонч-Бруевич писал Его очень беспокоила сосредоточенность нашей промышленности около Петрограда и на юге — в Юзов-ке, а также топлива — в Баку и Донском крае. [c.20]

Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. Под ред, и. Л, Бонч-Бруевича, Мир , М,, 1969. [c.80]

Бонч-Бруевич В. А. В кн. Физика твердого тела. Под ред. [c.317]

Впервые этот вопрос был исследован Ф. Ф. Волькенштейном [1, 2] и В. Л. Бонч-Бруевичем [3]. В принятой ими модели все ионы решетки трактовались как точечные заряды и задача сводилась к одиоэлектронной. Нами эта задача рассматривается как многоэлектронная. Под коллективом электронов понимается совокупность электронов внешних оболочек ионов и валентный электрон адсорбированяого атома А. Остальные электроны вместе с ядрами образуют остов решетки, т. е. ионы, многозарядные ионыион адсорбированного атома А . Ионы М Я и предполагаются точечными. На желательность многоэлектронной постановки задачи обратил наше внимание Н. Д. Соколов. [c.132]

В заключение я хотел бы поблагодарить В. Л. Бонч-Бруевича за полезные советы и замечания. [c.137]

Ф. Ф. Волькенщтейн [63] и В. Л. Бонч-Бруевич [242] показали, что при химической адсорбции на заряженных поверхностях кристаллов полупроводников должно происходить образование определенных электронных уровней. Если эти уровни лежат выще поверхностной зоны, то состояние адсорбции окажется неустойчивым при расположении электронных уровней ниже поверхностной зоны адсорбция энергетически выгодна. [c.64]

Представления о переменном числе микродефектов как адсорбирующих центров получили развитие и в дальнейших работах Ф. Ф. Волькенштейна и В. Л. Бонч-Бруевича [159, 382, 383] с точки зрения электронной структуры поверхности. [c.83]

В. Л. Бонч-Бруевич и Ф. Ф. Волькенштейн [382], а также Ш. М. Коган и В. Б. Сандомирский [284, 285] рассматривают природу энергетической неоднородности с точки зрения разных типов связей и электронных дефектов. [c.86]

В. Л. Бонч-Бруевич. Успехи физ. наук, 56, 55, 1955. [c.565]

В. Л. Бонч-Бруевич. Ж- физ. химии, 25, 1033, 1951. [c.566]

Рассмотренная модель применима при однократной ионизации примеси, однако и в этом случае водородоподобпая теория локальных уровней в полупроводниках является лишь первым приближением. Она основана на предположении о чисто кулоповском взаимодействии электрона (дырки) с заряженным центром. Бонч-Бруевич [111] показал, что в большинстве случаев эта модель не оправдывает себя, поэтому необходимы ионравки, учитывающие отклонения от [c.34]

Глубину локальных уровней г + адсорбированных атомов для кристалла типа MgO квантово-механически расчитал Бонч-Бруевич 1114]. Эта величина уменьшается с ростом диэлектрической постоянной кристалла (точнее величины е = где 8 и eg — диэлектрические проницаемости решетки адсорбента и газовой или жидкой фазы соответственно. Вследствие взаимодействия электронов г + падает с ростом концентрации примеси в кристалле, результатом же взаимодействия электронов с фононамн является понижение V 6 ростом температуры. Расчет показывает, что величина г + << А т. е. глубина залегания локальных уровней адсорбированных атомов заметно меньше локальных уровней, обусловленных аналогичными примесями или структурными дефектами. [c.36]

Из сказанного выше ясна возможность появления, как при наличии в кинетическом уравнении чисто концентрационных множителей [А], [В], [X] и т. д., так и в их отсутствии, дробных устойчивых степеней, не связанных ни с неоднородностью, ни с отталкиванием, так же как и имитация отравления широко неоднородных поверхностей. Это справедливо и для некоторых других частных механизмов полупроводникового катализа. На возможность сходных эффектов в кинетике указывает и Г. К. Бо-ресков [39], не связывая их со спецификой полупроводникового катализа. В ином аспекте это уже отмечалось В. Л. Бонч-Бруевичем и Ф. Ф. Воль-кенштейном [32]. Новым и характерным является возможность ускорения (промотирования) посторонними адсорбированными веществами. [c.17]

За последние десять лет по механизму каталитического действия полупроводников появилась целая серия работ советских и зарубежных исследователей (Ф. Ф. Волькенштейн [1], С. 3. Рогинский [2], В. Л. Бонч-Бруевич [3], Хауффе [4], Вейсц [5], Эгрен [6], Такаиси [7]). Появилось также много экспериментальных работ. Все они развивают основное электронное направление в адсорбции и катализе. [c.111]

Электронные схемы катализа на металлах разработаны пока еще недостаточно. Кроме теории Даудена [168], других теорий,, которые бы связывали так же стройно каталитическую активность с электронным строением металлов, как это сделано применительно к полупроводникам, пока не существует. По-видимому, первая брешь в стене, отделяющей нас от электронной теории катализа на металлах, пробита такими работами, как исследования Борескова [212], Бонч-Бруевича [170], Сокольского-[213], Гороховатского [214] и других [215]. [c.249]

Долг автора — принести благодарность своим учителям акад. Я. К. Сыркину и проф. М. Е. Дяткиной. Автор признателен также проф. В. Л. Бонч-Бруевичу, ободряющая поддержка которого сыграла свою роль в написании книги, и Е. М. Шусторовичу, который прочел книгу до ее выхода в свет и чьи дружеские советы способствовали ее улучшению. [c.4]

Бонч-Бруевич А. М,, Применение электронных ламп в эксперимен- [c.159]

Введение в кинетику гетерогенных каталитических реакций (1964) -- [ c.61 , c.64 , c.67 , c.83 , c.86 , c.217 , c.219 , c.242 , c.382 , c.565 , c.566 , c.568 ]

Развитие учения о катализе (1964) -- [ c.241 , c.243 , c.249 ]

Развитие учения о катализе (1964) -- [ c.241 , c.243 , c.249 ]

Гетерогенный катализ в органической химии (1962) -- [ c.57 ]

Основы предвидения каталитического действия Том 1 (1970) -- [ c.5 , c.133 , c.140 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология