Уравнение эмиссии для полупроводников

Уравнение эмиссии для полупроводников. [c.334]

УРАВНЕНИЕ ЭМИССИИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ " [c.337]

Метод замедляющего поля был применен к полупроводящим фотокатодам [6]. Поскольку обычно большая часть электронов с наибольшими энергиями, возбужденных в полупроводнике фотонами, выходит с фотоэлектрического порога 1, расположенного под уровнем ионизации более глубоко, чем еф. их максимальная кинетическая энергия при эмиссии меньше на величину еб = = Е1 — еф, чем у электронов, эмиттированных из металла с такой же работой выхода (см. рис. 31, а). Замедляющее напряжение Ус, необходимое для того, чтобы помешать таким электронам достичь коллектора [уравнение (26)], в этом случае определяется выражением [c.160]

Первые указания на только что выведенное уравнение зиис-сии оксидного катода и на связь механизму его эмиссии с ме низмом электропроводности полупроводника были даны Фа ром [302] и Рейманом Уравнение эмиссии (ИЗ), а та уравнение (109) для внутренней работы выхода были выве Хейнце я Вагенером [162], тогда как уравнение эмиссии (114) за несколько лет до этого было получено Шоттки [310] с мощью подробного термодинамического разбора эмиссио1 Ы[х процессов в оксидном катоде 2). . [c.341]

При помош,и масс-спектрометра AEI Хониг и Вулстон [17, 77] исследовали возможность применения лазера для получения иопов, нейтральных атомов и электронов, вылетаюш их с твердой поверхности пробы под действием лазерного луча. Светом лазера энергией - 1 дж облучали металлы, полупроводники и спеченные изоляторы. Диаметр зоны воздействия лучом лазера составлял 20—100 мк, глубина 1000 мк. Оказалось, что термоионная эмиссия подчиняется закону Лангмюра — Саха [уравнение (1)] и образуются только однозарядные ионы. Испарившиеся нейтральные соединения ионизировались электронами, получаемыми в низковольтном дуговом разряде. Образованные таким путем иопы состояли из материала мишени и газового фона. Ионные токи составляли 10 а (10 ионов на лазерную вспышку) при этом возникали пространственные заряды, приводящие к расширению большинства линий на фотопластинке. Авторы определили, что соответствующими методами можно обнаружить примеси в пределах 10 %, [c.346]

Кроме того, несколько раньше аналогичное уравнение б11 независимо выведено для тока эмиссии оксидного кат Козляковской ), воспользовавшейся для этой цели теорией электронных полупроводников Арсеньевой и Бронштейна ) [c.341]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология