ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ КАТАЛИЗА НА МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Начало современной теории полупроводников, как полагают Бэкер и Дженкинс [152], было положено Вильсоном в 1930— 1931 гг. [159], который тогда уже применил зонную теорию для объяснения электропроводности. В дальнейшем, в 30—40-х годах, в развитии этой теории приняли участие многие физики, в том числе Иоффе [160], Вагнер, Мотт и другие (см. [161— 164]). Связь же между полупроводниковыми и каталитическими свойствами впервые была отмечена в конце 30-х годов Вагнером и Хауффе [164], а затем более подробно описана (с привлечением материала о влиянии освещения) Рогинским (см. стр. 212 и рис. 2, 3). Попытки создания количественной электронной теории катализа начинаются только с конца 40-х годов. При этом на первый план выступают работы Рогинского, Волькенштейна, Теренина, Борескова, Бонч-Бруевича, Мясни-кова, Ляшенко (СССР), Гарнера, Даудена (Англия), Жермена, Эгрена (Франция), Будара, Тамару, Гомера (США), Вагнера, Хауффе, Зурмана, Шваба (ФРГ), Белянского, Дереня (ПНР), Коутецкого (ЧССР) и других. В 50-х годах появляется масса работ как по полупроводниковому катализу, так и по катализу на металлах и сплавах. Можно сказать, что начинается период подлинной электрификации теории катализа (Баландин) [71]. [c.241]

В последнее время была предложена цепная теория катализа (Семенов, Воеводский), согласно которой катализатор, обладая свободными валентностями, может действовать как свободный радикал, возбуждая образование цепей и участвуя в их развитии. Цепную теорию катализа можно рассматривать как распространение электронной теории катализа на полупроводниках (и металлах) на класс цепных реакций. [c.460]

Еще в 30-х годах С. 3. Рогинским было сделано наблюдение о том, что металлы и полупроводники, обладающие электронной проводимостью, катализируют реакции окисления. Дальнейшее развитие его привело к созданию электронной теории катализа на полупроводниках. Одним из ее основных положений является постулат о существовании на поверхности полупроводниковых окисных катализаторов адсорбированных заряженных частиц, обладающих свойствами свободных радикалов. В частности, в случае реакции каталитического окисления обычно предполагается образование адсорбированных радикалов кислорода 0 и 0 . Образование этих частиц долгое время подтверждалось данными косвенных электрических измерений. В настоящее время их удается наблюдать также и с помощью метода ЭПР. [c.77]

Малые примеси к активной фазе катализатора (металла, полупроводника), как это объясняется электронной теорией катализа, могут резко повышать ее каталитическую активность и влиять на селективность каталитического процесса. Вокруг чужеродного атома, внедрившегося в поверхность катализатора, образуется зона напряжений, спадающих от центра к периферии, обладающих различной избыточной энергией, широким набором дополнительных локальных уровней энергий адсорбции. Тем самым повышается вероятность возникновения участков, оптимально соответствующих условиям данной реакции. Это обычный механизм промотирования катализаторов. Эффективность промотирующего действия добавок (активаторов, промоторов) растет с интенсивностью вызываемых ими нарушений решетки. Поэтому особенно эффективным нередко оказывается промотирование весьма малыми количествами таких веществ, которые при более высоких их содержаниях отравляют катализатор. Промотор может содействовать течению гетерогенно-каталитической реакции, способствуя адсорбции реагирующих веществ или десорбции продуктов с поверхности катализатора. Так, добавка оксида калия к железному катализатору синтеза аммиака способствует десорбции образующегося аммиака с поверхности. [c.306]

Электронная структура оксидных катализаторов — полупроводников отличается от структуры металлов наличием энергетического разрыва (запрещенной зоны), отделяющего нижнюю валентную зону, полностью заполненную электронами, от верхней незаполненной зоны проводимости. Энергетический разрыв невелик, и в полупроводниках при какой-либо активации (повышение температуры, излучения) происходит переход электронов из валентной зоны в зону проводимости. Освободившиеся при этом переходе энергетические уровни в валентной зоне рассматриваются как дырки в энергетическом спектре кристалла. Свободные электроны и дырки с точки зрения электронной теории катализа рассматриваются как свободные валентности твердого катализатора, участвующие в поверхностном химическом взаимодействии с реагирующими веществами. Молекулы, адсорбированные на поверхности полупроводника, рассматриваются как примеси, нарушающие строго периодическое строение кристаллической решетки, но составляющие с ней единую систему, так как волновые функции решетки и молекул, сидящих на ее поверхности, перекрываются. [c.225]

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕОРИЯ КАТАЛИЗА НА МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.98]

Электронная теория катализа, исходя из того, что работающая поверхность всякого катализатора представляет собой полупроводник (поскольку поверхность любого, даже совершенно чистого металла, соприкасающегося с воздухом, всегда покрыта хотя бы тончайшей окисной пленкой), связывает активность и селективность твердых катализаторов с параметрами, определяющими свойства кристаллического вещества в целом. [c.236]

Первичным актом гетерогенного катализа, как известно, является слабая или прочная адсорбция по меньщей мере одного из реагирующих веществ [1, 2]. С точки зрения электронной теории катализа, химическая адсорбция осуществляется путем взаимодействия электронов сорбента и сорбата. Если при этом изменяется электронное состояние катализатора, то тем самым обнаруживается связь между каталитическими и электрическими свойствами последнего. Такая связь обнаружена в ряде исследований. Р. Зурман и Г. Цеш [3] нашли соотнощение между изменением работы выхода на металлах при адсорбции атомов водорода и каталитической активностью металлов в отношении реакции рекомбинации этих атомов. Вагнер (4] рассмотрел обмен электронами между реагентами и катализатором при изучении электропроводности и предложил схему разложения закиси азота на окисных катализаторах. Исходя из того, что селективность катализатора определяется положением уровня Ферми, К. Хауффе [5] рассмотрел механизм ряда реакций на поверхности полупроводников. Связь между типом проводи- [c.81]

Вторжение электрона в катализ началось еще в конце второго десятилетия нашего века. К этому периоду относятся работы Л. В. Писаржевского, идеи которого оказали значительное воздействие на направление теоретических исследований в области катализа. Л. В. Писаржевский предполагал, что каталитическая активность металлов непосредственно связана со свободными электронами в металле, удары которых, как он думал, могут активировать молекулы реагирующих веществ. В настоящее время ряд трудных теоретических вопросов катализа успешно разъяснен с помощью электронных представлений о структуре твердых тел. Две существенные особенности гетерогенного катализа сыграли роль отправных точек для развития электронной теории катализа. Первая заключается в том, что огромное число активных твердых катализаторов — это металлы переходного типа или полупроводники, вторая — бесспорно установленный факт тесной связи между активностью и неоднородностью поверхности катализатора. Различные дефекты кристаллов катализаторов — химические и физические — не только сильно влияют на активность, но, как правило, и являются теми местами, на которых развертывается каталитический процесс. Химические дефекты возникают, например, при внедрении атомов примеси в кристаллическую решетку основного вещества физические дефекты получаются в результате разнообразных нарушений правильного пространственного расположения атомов в решетке. В отдельных узлах иногда отсутствуют атомы — решетка имеет пустые узлы. В других случаях атомы смещаются в междуузлия или образуют дополнительные скопления на поверхности и т. д. [c.439]

Создал основы для построения электронной теории катализа на металлах и полупроводниках. Установил (1950-е) причины отравления и промотирования полупроводниковых катализаторов, показав случаи промотирующего действия типичных ядов и отравления типичными промоторами . Создал (1950-е) теорию модифицирования как фрагмент общей хим. концепции катализа. [c.380]

Такие исследования приобрели особое значение в последнее время в связи с существованием двух различных точек зрения на природу каталитического действия соединений переходных элементов в реакциях окислительно-восстановительного типа. С одной стороны, электронная теория катализа [1], основываясь на том, что хорошими катализаторами этих реакций являются полупроводники (главным образом окислы переходных металлов), связывает каталитическую активность с их электрофизическими свойствами — типом проводимости, шириной запрещенной зоны, работой выхода электрона и др. С другой стороны, в последние годы получает все большую популярность точка зрения [2], согласно которой каталитическая активность определяется в первую очередь электронной структурой отдельных ионов переходных металлов на поверхности катализатора. По сути дела здесь предпринимается попытка перенести в гетерогенный катализ представления химии комплексных соединений — теорию кристаллического поля и теорию поля лигандов. [c.56]

Для теории катализа особенно важным является то обстоятельство, что атомы или молекулы, хемосорбированные на поверхности кристалла, могут также рассматриваться как дефекты решетки, вызывающие появление донорных и акцепторных приповерхностных примесных уровней. Подробней этот вопрос будет рассмотрен в следующем параграфе. Теория электронного состояния полупроводников развита гораздо лучше, чем теория металлов. Это объясняется тем, что в полупроводниковых кристаллах концентрация свободных электронов и дырок невелика, что позволяет в первом приближении пренебрегать [c.27]

К настоящему времени широко известна теория электронного механизма катализа, протекающего по окислительно-восстановительному типу. Согласно этой теории, в процессе синтеза аммиака водород, являющийся донором электронов, передает их металлу катализатора и присутствующим в нем полупроводникам (некоторые промотирующие окислы). Азот в данном случае является акцептором электронов и, воспринимая их от катализатора, приобретает повышенную активность. [c.211]

Рассмотрен катализ металлами и полупроводниками с точки зрения электронной теории. Для пояснения различных процессов перехода электронов обсуждены некоторые конкретные реакции. [c.198]

Эта концепция дает новые модели и для промежуточных форм катализа (включая и переходные комплексы) и позволяет привлечь к изучению хемосорбции и катализа закономерности больших и хорошо изученных разделов химии комплексных и хелатных соединений и кристаллохимии. Однако механический перенос этих закономерностей на хемосорбцию и гетерогенный 1 атализ был бы такой же крайностью, как использование одних лишь коллективных макроскопических характеристик твердого тела (уровень Ферми, загиб зон, величина электропроводности и т. д.) во многих построениях электронной теории катализа на полупроводниках [27, 28]. Вызывает сомнение реальность универсальных рядов каталитической активности у металлов и сплавов или окислов элементов различной валентности с экстремумами при определенном числе -электронов (например, при одном или пяти -электронах) у атома (иона) комплексообразующего элемента. Это вытекает из следующих соображений а) обычно нет уверенности даже в сохранении поверхностным ионом металла объемного числа -электронов на 1 атом б) даже при правильной оценке валентности и числа -электронов у соответствующего элемента на поверхности данного образца совсем не обязательно считать (как это делают обычно), что экстремальная каталитическая активность появляется при числе -электронов, соответствующем экстремальным значениям энергии ионизации (сродства) или связи лигандов с центральным ионом в) для некоторых окислов прямыми опытами показано, что активные центры образованы ионами металла, имеющими валентность, резко отличающуюся от стехиометрической. Неудивительна поэтому противоречивость результатов последних экспериментальных работ [29], которые не могут служить серьезным подтверждением предсказапий, основанных на аналогии с прочностью комплексов. В частности, можно указать, что один из дауденов-ских максимумов (для №0 и С03О4), по-видимому, обусловлен частичным восстановлением до металлов. [c.25]

Описание химической связи в металлах, ионных и молекулярных кристаллах, комплексных соединениях в настоящее время основывается все еще на различающихся между собою модельных представлениях. Мы вправе ожидать, что различные типы химической связи, существующие в твердых телах, могут проявляться и в явлениях гетерогенного катализа. Это положение находит свое отражение в существующих теориях катализа. В мультиплетной теории [1] на первое место выдвигается представление о валентно-химической связи, в то время как в электронной теории катализа на полупроводниках [2]— адсорбционно-химическая связь, в образовании которой играют роль электроны проводимости и электронные дырки. Эти представления о природе химической связи, обусловливающей образование переходных активированных комплексов на поверхности катализатора, не являются, конечно, единственными, или даже г,11авными характеристиками соответствующих теорий. Так, в мультиплетной теории, несомненно, важнейшей стороной является стереохимия катализа — пространственные соотношения и принцип структурного соответствия между расположением атомов в реагирующих молекулах и симметрией атомов на поверхности катализатора. [c.86]

Разработанная Волькенштейном, Хауффе и другими электронная теория катализа на полупроводниках, а также представления о заполнении -зоны, примененные Дауденом для объяснения каталитических свойств переходных металлов и сплавов, показали важную роль коллективных свойств твердого тела в явлениях катализа. [c.5]

Одновременно с этими исследованиями авторами работы и Андриановой вместе с сотрудниками Института электрохимии АН СССР [20] было выполнено примыкающее к этому направлению работ исследование катализа на полупроводниковых системах, представлявших собой порошки металлов, поверхность зерен которых покрыта сплошной пленкой фталоцианина того же металла толщиной 10" — 10 см. Синтез таких полупроводниковых систем осуществлялся высокотемпературной обработкой порошков металлов парами фталонитрила. Порошки железа, никеля, кобальта и меди, обработанные фталонитрилом, оказались, по данным Т. И. Андриановой, высокоактивными катализаторами окисления кумола при практической неактив-ности самих металлов в этой реакции и существенно более низкой активности фталоцианинов соответствующих металлов (рис. 2). Аналогичный результат был получен для системы железо — фталоци-анин железа в реакции разложения перекиси водорода. Таким образом, металлическая подложка, неактивная в рассматриваемых случаях, существенно повышает активность фтало-цианиповой пленки, чехлом покрывающей поверхность металлических зерен. Полученные в работе результаты были объяснены эффектом, предсказанным электронной теорией катализа иа полупроводниках [21] -- сдвигом уровня Ферми на поверхности фталоцианинового чех-ла при толщине последнего пе выше глубины экранирования. [c.99]

Классификация Рогинского [1 ] основана на том, что на катализаторах первого класса получаются радикалоподобные, а на катализаторах второго класса — ионоподобные соединения она дает общий, и потому качественный, ответ на вопрос о селективности. В ее первоначальной форме эта классификация идентифицировала первый класс как электронные проводники (металлы и полупроводники), а второй класс — как твердые тела, в которых нет свободных электронов (изоляторы), и это подразделение послужило основой для так называемой электронной теории катализа, развитой, в частности, Волькенштейном [2] на основе чисто физической модели твердого тела. Однако ценность классификации Рогинского не связана с одной этой частной теорией. [c.14]

Электронные теории катализа объясняют каталитическое дей ствие металлов и полупроводников наличием свободных электро нов проводимости, принимающих участие в окислительно-восста новителъных превращениях на поверхности катализатора. [c.56]

Как уже говорилось в начале доклада, в основе каждой теории должно лежать определенное физическое явление или особое качество объекта. Но третий- член триады — электрон — пока еще не прикреплен ни к какому специальному явлению 1в области катализа. В, большинстве работ по электронной теории катализа (т, е. в основном по катализу на полупроводниках) в качестве ф изического обоснования теории приводится просто апелляция к электронному строению твердого тела. Считается, что поскольку (В твердых телах могут появляться свободные электроны (в металлах они имеются всегда, в полупроводниках они появляются под влиянием нагрева, освещения и т. п.), переходя в зону проводимости, и, поскольку на таких телах часто идет катализ, то естественно эти два свойства полагать связанными друг с другом. Подобный взгляд физически сопряжен именно со свободными, т. е. бегающими по решетке, электронами, а их существование необходимо связано с решеткой. Поэтому если для катализа не нужна кристаллическая решетка, то, следовательно, не нужен и электрон из зоны проводимости. Но мы видели, что каталитическое действие вещества может быть полностью отделено. от его собственной решетки и даже вообще от какого-либо носителя (см. 1выше о катализе в парах цинка и кадмия подробней в докладе М. Н. Данчевской). Эти факты показьивают, что такие типичные полупроводники, как ZnO, dO, ZnS и пр., для своего действия в качестве катализаторов не нуждаются в электронной проводимости, но лишь в электронных оболочках самих действующих атомов. [c.196]

Электронная теория катализа. Работы Л. Б. Писаржевского. Взгляды Ф. Ф. Волькенштейна. Электронная теория адсорбции на полупроводниках и металлах. Работы Миньоле. Методы определения строения реальных позерхностей. Рентгеноструктурный метод, электронография, электронный микроскоп. Адсорбционные методы. Радиоактивные методы. Методы физико-химического анализа. Строение важнейших носителей. Силикагель. Активированный уголь. Работы Ринеккера. [c.218]

Электронная теория катализа — это, в первую очередь, теврия полупроводникового катализа. Область ее применения — окис-лительно-восстановительные реакции. Результаты электронной теории могут быть перенесены и на диэлектрики. К металлам электронная теория не применима. Следует учесть, однако, чтэ в условиях окислительного катализа все металлы покрыты оксидной пленкой. Кислород, водород, азот очень быстро и прочно поглощаются металлами уже при низких температурах, покрывая поверхность пленкой бинарного соединения. Таким образом, в большинстве случаев металлы покрыты полупроводниковой пленкой, и реакция, катализируемая металлом, в действительности протекает на поверхности полупроводника,. [c.227]

Естественно, что с точки зрения квантовой механики простейшим является процесс адсорбции атома, а ему аналогичным — образование радикала на поверх1ности. Поэтому реакции с участием атомов и радикалов рассмотрены в электронной теории наиболее подробно. Несмотря на это, отсюда еще нельзя сделать вывод, будто результатом электронной теории катализа явилось доказательство преимущественно радикального механизма гетерогенных каталитических реакций на металлах и полупроводниках. Дело об-. / стоит проще радикальные механизмы реакций относятся к тому типу задач, которые в теории полупроводников допускают сейчас сколько-нибудь строгое рассмотрение методами теории твердого тела. Более сложные механизмы не удается пока анализировать методами квантовой механики, и это не позволяет сравнить теоретически эффективности различных путей каталитической реакции. [c.134]

Электронные схемы катализа на металлах разработаны пока еще недостаточно. Кроме теории Даудена [168], других теорий,, которые бы связывали так же стройно каталитическую активность с электронным строением металлов, как это сделано применительно к полупроводникам, пока не существует. По-видимому, первая брешь в стене, отделяющей нас от электронной теории катализа на металлах, пробита такими работами, как исследования Борескова [212], Бонч-Бруевича [170], Сокольского-[213], Гороховатского [214] и других [215]. [c.249]

Основше положения электронной теории катализа развиваются в применении к по. гупроводникам, поскольку, во-первых, теория полупроводников сегодня болеё развита, чем теория металлов, а во-вторых, к полупроводникам относится большинство применяемых в практике катализаторов. Поэтому превде всего остановимся на энергетической характеристике полупроводников. [c.276]

Автор книги является одним из родоначальников электронного направления в катализе за границей. Его работы (1952 г.) по теории граничного слоя в адсорбции были исходными для целой серии теоретических исследований зарубежных авторов. Эта серия обычно объединяется под общим названием Rands hi httheorie der Adsorption , Данное направление вслед за Жерменом плодотворно развивалось Карлом Хауффе и его школой. В настоящей книге электронным представлениям в хемосорбции и катализе уделено значительное место. Попутно автор совершает короткие экскурсы в теорию металлов и теорию полупроводников, Заметим, однако, что электронные представления автора отражают лишь первые шаги электронной теории катализа, бурно развивающейся в настоящее время как в СССР, так и за границей. [c.5]

Мысль о том, что коллективные электронные свойства металлов, сплавов или полупроводников каким-то образом тесно связаны с каталитической активностью этих твердых тел, послужила основой для развития представлений о так называе.мом электронном факторе в катализе. Предельно упрощая, можно сказать, что в электронной теории катализа определяют соотношения между каталитической активностью и электронной структурой в объемной фазе твердого тела. Прежде всего, чтобы понять, почему считалось, что такое соотношение действительно может иметь место, необходимо напомнить о некоторых свойствах металлов и нолупроводников. [c.268]

В связи с обсуждением этого вопроса необходим О оценить возможность применения электронной теории катализа Волькен-штейна [23] и других авторов [24] к этим проблемам. Несмотря на перспективность существующей электронной теории, она не может быть применена к окисным системам переходных металлов. Это объясняется тем, что эта теория основывается на обычной зонной теории полупроводников. Безусловно, электронная теория полезна для интерпретации многих явлений, связанных с нолуцро-водниковыми катализаторами, которые подчиняются зонной теории. То же самое можно сказать о существующих взглядах на приложение обычной теории полупроводников к электрохимическим явлениям [25]. [c.326]

Заметим, что современная электронная теория катализа имеет дело с катализаторами, которые принадлежат к классу полупроводников. Результаты электронной теории, развитой применительно к полупроводникам, могут быть полностью перенесены на диэлектрики, но не могут быть автоматически перенесены на металлы. Дело в том, что электронная теория катализа базируется в значительной степени на представлениях зонной теории твердого тела, с которой мы оперируем в теории полупроводников. Применение же зонной теории, основанной на одноэлектронном приближении, к металлам, особенно к переходным металлам, и особенно к описанию химических процессов, протекающих на поверхности металла, нельзя считать в настоящее время теоретически обоснованным. Теория хемосорбции и катализа на металлах, как, строго говоря, и теория металлов вообще, требует принципиально многоэлектронного подхода к задаче. С позиций многоэлектронной теории, однако, вопросы хемосорбцни и катализа до сих пор почти не рассматривались. Решение же задач подобного рода в рамках зонной теории в случае металлов является теоретически необоснованным, и результаты, получаемые при этом, нельзя считать заслуживающими доверия, [c.15]

Первый цикл советских работ по электронной теории катализа оборвался со смертью Л. В. Писарл евского. Затем на протяжении более чем десяти лет по электронному механизму катализа не появлялось новых идей и обобщений ни у нас, ни за границей. Этот период покоя в электронной теории катализа, напротив, оказался очень продуктивным для развития электронной теории твердого тела. Наряду с развитием теории металлов (сверхпроводимость, теория магнитных свойств, теория сплавов и др.) был создан, в значительной мере трудами нашей советской физической школы А. Ф. Иоффе, новый, богатый приложениями раздел учения о твердом тело — физика полупроводников, теоретические основы которого были сформулированы Я. И. Френкелем и его учениками. Было установлено, что электрические свойства полупроводников регулируются микропримесями, отдающими и захватывающими электроны, а так ке отклонениями химического состава кристаллов от стехиометрии. Содержание и размещение микропримесей в твердом теле определяют концентрацию в нем электронов и электронных дырок и локальные изменения этой концентрации. [c.6]

По существу, целью всех многочисленных теорий катализа, которые начали появляться еще в прошлом столетии, было предвидение каталитического действия. Но, пожалуй, началом решения этой задачи следует считать рекомендации по подбору катализаторов, которые содержались в мультиплетной теории А. А. Баландина, теории активных центров X. С. Тэйлора и 3. К. Ридила, в классификации каталитических процессов С. 3. Рогинского, а затем в ряде электронных теорий. В результате появились более или менее общие и проверенные выводы о специфическом характере каталитического действия определенных, правда, довольно обширных групп катализаторов, например, для реакций гидро- и дегидрогенизации, окисления, галогенироваиия — металлы и оксиды металлов— полупроводники для реакций гидратации — дегидратации, гидрогалогенирования, алкилирования алкилгалогенидами — бренстедовские и льюисовские кислоты и основания. Но подбор [c.248]

Противоречивы сведения о влиянии проводимости на процесс катализа. Разбиение катализаторов на три группы по их проводимости (работы Даудена) и попытки связать проводимость (через плотность электронов и электронные характеристики металлов) с каталитической активностью не дали желаемых результатов. Наряду с установлением корреляций между заселенностью -зон никеля электронами и активностью металлов и сплавов обнаружено, в первую очередь на полупроводниках, что энергия активации умень-щается по мере того, как увеличивается концентрация электронов в поверхностной зоне (работы Шваба по окислению окиси углерода иа 2пО), И совершенно необъяснима с позиций теории Даудена 10 147 [c.147]

Заслушанные на совещании теорегические доклады и дискуссия, развернувшаяся по ним, выявили наряду с существенным расхождением взглядов их сближение е весьма важном пункте все они сходятся в том, что ответственным за катализ является атом или небольшая атомная группа, либо адсорбированная на инертном носителе, или решетке материнского вещества( теория ансамблей), либо включенная в эту решетку (теория мультиплетов), либо возникшая в результате захвата электрона катионом решетки (электронная теория) эти атомы характеризуются в различной степени искаженной -функцией валентного электрона (различной степенью его размазанности) и обладают либо устойчивым (металлы), либо статистически-равновесным валентным состоянием (полупроводники). Но в самом каталитическом акте они в обоих случаях выступают как ненасыщенные атомы со свободными спин-В алентностями. [c.200]

Мультшшетная теория катализа, рассматривая взаимоотношения молекул разного строения с группами атомов поверхности, практически не учитывает влияния свойств объема катализатора на свойства его поверхности. Твердое тело — коллективное электронное хозяйство. Адсорбция веществ на новерхпости металлов, полупроводников и изоляторов изменяет расшределение электронов в твердом теле, а в основе каждой химической -связи лежит электронное взаимодействие. Существует следуют,а я классификация химических связей [c.82]

ЛИШЬ В слое малой глубины, прилегающем к поверхности. Физические и химические свойства этого граничного слоя в хемосорбционной системе очень похожи на свойства граничного слоя в кристаллических выпрямителях, изученные Шоттки [19], Моттом [20] и Давыдовым [21]. Это сходство навело на мысль о применении теории электронного равновесия между металлом и полупроводником в кристаллических выпрямителях к системам, включающим полупроводник и прилегающий к нему хемосорбционный слой. Хемосорбционное равновесие было теоретически рассмотрено с этой точки зрения Эгреном и Дюга [22], Хауффе и Энгелем [16] и Вейссом [23]. Энгель, Хауффе [17] и Вейс [24] провели анализ теоретических выводов, касающихся кинетики процессов хемосорбции и катализа. В следующей главе мы рассмотрим механизм образования граничного слоя при хемосорбции, следуя трактовке Энгеля и Хауффе [17]. [c.247]

Многие металлы в больпшнстве случаев бывают покрыты, как известно, нлен1 рй бинарного соединения, т. е. оказываются одетыми в полупроводниковый чехол. Таким образом, хемосорбционные и каталитические процессы, которые мы считаем протекающими на поверхности металла, па самом деле протекают часто на поверхности полупроводника (что неоднократно подчеркивалось рядом авторов, см., например, [1, 2]) и в этом случае могут рассматриваться в рамках электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках. [c.192]