Тонкая структура растянутого края поглощения

ТОНКАЯ СТРУКТУРА РАСТЯНУТОГО КРАЯ ПОГЛОЩЕНИЯ (EXAFS) [c.427]

Изменения коэффициента поглощения в случае металлов или окислов относительно простой кристаллической структуры могут на 500 эв превышать энергию основного края поглощения. Эту растянутую тонкую структуру Крониг [8] объяснил флуктуацией плотности электронных состояний, характерных для кристаллической решетки. Например, металлы с плотноупакованпой кубической кристаллической структурой дают очень сходную растянутую тонкую структуру соответствующие максимумы и минимумы находятся при величинах энергии (измеренных в электрон-вольтах от основного края), зависимость которых от параметров решетки а выражается уравнением [c.125]

Согласно преобладающим воззрениям на происхождение тонкой структуры в рентгеновских спектрах /(-края поглощения, косселевская структура, найденная в пределах 2 или 3 эв от основного края поглощения, обусловлена переходами на свободные оптические уровни она отчетливо видна только в случае одноатомных газов. Крониговскую структуру или растянутую тонкую структуру, обнаруженную в диапазоне на 100—500 эв выше основного края, считают обусловленной переходами на высокоэнергетические электронные состояния в кристалле, т. е. объясняют ее, исходя из длины волны фотоэлектрона и периода кристаллической рещетки. Она наблюдается только в случае металлов и соединений, имеющих простейщие кристаллические структуры. [c.126]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология