Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Есина Маркова и дискретность заряда

    При рассмотрении структуры двойного слоя мы предполагали равномерное распределение зарядов на поверхности. Есин и Марков [32] ввели понятие дискретности заряда, учитывающее тот факт, что адсорбция сопровождается вытеснением имеющегося на поверхности иона. Иначе говоря, сначала должно возникать вакантное место, на которое затем адсорбируется новый ион. Поэтому дискретность расположения ионов [c.21]


    Обратимся теперь ко второму методу оценки ф( и начнем с рассмотрения эффекта дискретности заряда во внутренней плоскости. В разделе 1а отмечалось, что аномальный сдвиг потенциала нулевого заряда при изменении концентрации аниона для сильной специфической адсорбции был приписан влиянию дискретности заряда. Автором этой идеи Есин и Марков [2] считают Фрумкина [37], и к этому можно добавить, как отметил Парсонс [34], что де Бур [38] независимо развил подобные представления для адсорбции на границе металл — газ. Грэм [35] вновь рассмотрел эту проблему, а также дал анализ предыдущих работ Есина и Шихова [39] и Эршлера [40]. Четкий и ясный обзор был сделан Парсонсом [34]. Общий анализ эффекта дискретности был выполнен Макдональдом и Барлоу [65], которые недавно описали методы расчета этого эффекта [66]. [c.80]

    Значительно большее, чем можно было ожидать, смещение потенциала нулевого заряда при повышении концентрации специфически адсорбирующегося электролита Есин и Марков [43] приписали образованию слоев дискретных зарядов в двойном слое. Такую модель разработали Есин и Шихов [45]. Эти же проблемы обсуждал Парсонс [46]. [c.28]

    Дальнейшее усовершенствование теории двойного электрического слоя связано с учетом дискретного характера зарядов, что приводит к нелинейной зависимости потенциала в плотной части двойного слоя от расстояния. Наличие дискретного заряда вызывает аномально высокий сдвиг точки нулевого заряда при изменении концентрации в присутствии сильно адсорбирующихся ионов. Это явление открыли О. А. Есин и Б. В. Марков. Оно получило название эффекта Есина — Маркова. [c.237]

    Найдите, при каких условиях эта производная должна быть равна кТ1е. Есин и Марков установили экспериментально, что этот коэффициент может быть меньше кТ1е. Этот эффект рассматривается как проявление дискретности заряда на поверхности [10]. На каких представлениях основзн этот вывод  [c.197]


Смотреть страницы где упоминается термин Есина Маркова и дискретность заряда: [c.29]   
Двойной слой и кинетика электродных процессов (1967) -- [ c.80 , c.82 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Дискретность

Есина—Маркова

Марков

Маркович



© 2025 chem21.info Реклама на сайте