Прямой доступ к памяти

При оценке технического совершенства микропроцессоров учитывают следующие параметры среднее время выполнения команды (быстродействие процессора) число команд (гибкость применения МП) и регистров (вычислительная способность МП) адресуемую емкость памяти мощность рассеяния (характеристика, учитываемая при эксплуатации) число уровней питающих напряжений (упрощается схема и снижается стоимость системы) возможности системы прерываний, прямого доступа в память микропрограммирования наличие резидентного Ассемблера, управляющей программы, компиляторов с языков высокого уровня. [c.39]

Для хранения данных в процессе их сбора пригодна только память прямого доступа, так как для записи в другие виды памяти необходимы специальные программы. В настоящее время имеется широкий выбор элементов памяти на интегральных схемах, различающихся объемом памяти, длиной слова и скоростью доступа. Некоторые примеры элементов памяти прямого доступа приведены в табл. 5.1. [c.236]

Оперативная память объемом 64 К слов (имеются различные блоки памяти с продолжительностью цикла 1 или 1,8 мкс) с помощью одного канала для быстрой передачи данных присоединена к диску с фиксированной головкой емкостью 500 К слов, имеющему среднее время выборки 1 мс и время передачи одного слова информации 13 мкс. Через другой канал прямого доступа главная память соединена с диском емкостью 5 млн. слов (среднее время выборки 80 мс, время передачи одного слова 16 мкс). [c.63]

Центральная память. Быстродействующая память с прямым доступом от центрального процессора. [c.295]

Она позволяет выполнять дублирование (копирование) файлов, входящих в ИБД, на другую память прямого доступа и их восстановление (при этом дефектные наборы удаляются из ИБД с предупреждением пользователя), полную или выборочную выгрузку ИБД на магнитную ленту и восстановление с магнитной ленты, полное или выборочное отображение наборов, содержащихся в ИБД, и их физических адресов, удаление из ИБД ненужных разделов и наборов, распечатку свободных мест в ИБД и т. д. [c.162]

Помимо процесса в состав ядра УВК входят устройства оперативной памяти (УОП), согласователи ввода—вывода (СВВ), канал прямого доступа в память (КПДП) и коммутаторы (КМР), обеспечивающие внутрисистемную связь между устройствами УВК СМ-2. [c.155]

Обычно используемая полупроводниковая память бывает трех типов а) RAM — память прямого доступа (адресуемая память), статическая и динамическая б) ROM — память, используемая только для чтения в) EPROM — стираемая программируемая память для чтения. [c.236]

Используя различные комбинации этих элементов в качестве базовых блоков, можно построить систему памяти, удовлетворяющую любым конкретным требованиям. Например, быстродействующая система сбора данных, описанная Косгровом [66] и другими, использует 16-битовую параллельную память для чтения и записи размером 4096 слов, обеспечивающую максимальную скорость ввода данных в 2 МГц для 16-битового слова. В основанной на микропроцессорах системе, описанной в статье [65], применена память прямого доступа объемом 1024 байтХ8 бит для временного хранения данных от спектрометра с целью последующего их вывода на перфоленту. Аналогично организована память 16ХЮ24 бит, которая рассмотрена в статье [86]. Она может хранить до 32 полярограмм. В ли- [c.236]

Для этих файлов записи должны быть неблокированными фиксированной длины. При региональной организации файлов внешняя память (пакет магнитных дисков) делится на ряд областей записи, которые нумеруются последовательно начиная с нуля. К каждой области записи может быть получен только прямой доступ с помощью так называемого ключа записи. В случае файла REGIONAL(l) область может содержать только одну запись, поэтому ключом записи является номер соответствующей области. В случае файлов REGI0NAL(3) одна область может содержать несколько записей, поэтому для поиска нужной записи в области наряду с номером используется логический ключ, формируемый в программе. Отметим, что файлы REGI0NAL(3) позволяют более эффективно использовать память. [c.310]

УЗТ осуществляют путем однократных измерений эхоимпульсным методом с записью фиксируемых толщин в память прибора и последующей обработкой на ЭВМ. Толщину стенок измеряют дискретно по окружности каждого элемента (не менее четырех измерений в отдельных точках) ФА и КГ. В случае отсутствия прямого доступа к устью обсадной колонной головки допускается проводить замер толщин в резьбовой части головки через пьедестал. В местах, где толщина стенки элементов ФА и КГ изменяется более чем на 10 % от максимально зафиксированной, измерения выполняют с шагом не более 3 мм (на заранее подготовленной площадке размером 30x30 мм ). За результат измерения принимается минимальное показание прибора. [c.230]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология