Мощность рассеяния резистора

Номинальной мощностью рассеяния резисторов называют максимально допустимую мощность, которую резистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке и определенной температуре окружающей среды без изменения своих параметров. [c.316]

Основные параметры резисторов СП приведены в табл. 2.13. Резисторы СП выпускаются с допустимым отклонением от номинального сопротивления 10 и 20%, номинальная мощность рассеяния резисторов СП указывается для 25 °С, с увеличением температуры окружающего воздуха необходимо снижать нагрузку в соответствии с графи- [c.103]

При определении переходного сопротивления покрытий используют источник постоянного напряжения (напряжение на выходе 30 В и более), вольтамперметр М 253 (класс точности 0,4) микроамперметр М 95 (класс точности 1,5) переменный резистор (нормальное сопротивление до 1,5 кОм, мощность рассеяния 1 Вт) электрический провод типа ПГВ сечением 0,75 мм , металлический электрод-бандаж шириной не менее [c.212]

НИЯ ДО 10 Вт, миниатюрные резисторы с номинальным значением сопротивления до 5-10 Ом и малой мощностью рассеяния в пределах 0,01—0,125 Вт, высокочастотные резисторы и т. д. [c.8]

Другим важным параметром резистора является номинальная мощность рассеяния. Это — максимальная допустимая мощность, рассеиваемая резистором при [c.9]

Варисторы — нелинейные полупроводниковые резисторы объемного типа, сопротивление которых изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Основной характеристикой является вольт-амперная, основными параметрами — коэффициент нелинейности, классификационные ток и напряжение, номинальная мощность рассеяния, температурный коэффициент тока (приводятся в справочниках). Варисторы имеют различное конструктивное оформление стержни, диски и т. д.), выполняются на основе карбида кремния или селена, покрываются защитными лаками. [c.13]

Фоторезисторы — полупроводниковые резисторы, изменение электрического сопротивления которых происходит под действием электромагнитного излучения. Светочувствительный элемент фоторезистора выполняется из полупроводниковых материалов на основе сернистого или селенистого свинца и кадмия в виде тонкой пленки на стеклянной подложке или прессованной таблетки. Основными характеристиками фоторезистора являются спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная и частотная. К основным параметрам относятся кратность изменения сопротивления, темповой и световой фототок, номинальная мощность рассеяния, рабочее напряжение, постоянная времени и др. Фоторезисторы выпускаются в пластмассовых и металлических корпусах, а конструктивное исполнение некоторых типов позволяет устанавливать их в стандартные ламповые панели. [c.13]

Резисторы С5-7 (рис. 62, 63) — постоянные. Изготавливаются в металлических корпусах номинальная мощность рассеяния 25 и 50 Вт. Габаритные размеры резисторов С5-7 в сравнении с равноценными по мощности остеклованными резисторами ПЭВ меньше примерно в 2 раза, а вес в 3 раза. Резисторы имеют повышенную мощность рассеяния с единицы объема. Например, удельная мощность рассеяния с единицы объема у резисторов С5-7 мощностью 25 Вт составляет 5.7 Вт/см , а у резисторов ПЭВ [c.145]

По второму способу эмалируемое изделие нагревают до высокой температуры и посыпают порошком эмали, который, оплавляясь, прилипает к поверхности изделия. В радиопромышленности стеклоэмали употребляют главным образом для покрытия проволочных резисторов типа ПЭВ больших номиналов мощности рассеяния. Однако употреблять эмали можно шире, особенно ссли применять метод вихревого напыления. Эмаль надежно защищает от коррозии металлические части аппаратуры. [c.226]

В аппаратуре связи применяют разнообразные резисторы с номинальными значениями сопротивления от нескольких ом до 10 ом, с номинальной мощностью рассеяния от десятых долей до 500 вт. [c.315]

Коэффициентом нагрузки К называют величину, характеризующую электрическую нагрузку резистора, которая находится из отношения мощности рассеяния реальной (Р) к мощности рассеяния номинальной [c.318]

Гнп резистора Предельные значения мощности рассеяния, вт Пределы сопротивления, ом [c.321]

Резисторы типа УЛИ имеют следующие данные мощность рассеяния Р = 0,1-т-1 ст, R = ол -г- 1 Мом [c.325]

Резисторы типа УНУ-Ш — углеродистые, незащищенные, ультравысокочастотные, шайбовые. Предназначены для работы в высокочастотных цепях, при температурах от —60 до 70° С. Выпускаются на номинальную мощность рассеяния от 0,1 до 0,25 ет и на пределы сопротивления от 4,5 до 75 ом, на импульсное напряжение от 25 до 120 в. [c.325]

Тип резистора Мощность рассеяния, вт Пределы сопротивления раб, предельное рабочее напряжение при 33 тор [c.326]

Промышленностью СССР изготовляют резисторы типа МОУ (металлоокисные ультравысокочастотные) и типа МОН (металлоокисные, низкоомные). Первые применяют в качестве поглотительных омических элементов, с номинальной мощностью рассеяния от 0,1 до 200 вт. Пределы номинальных сопротивлений резисторов от 4,3 до 150 ом. Резисторы типа МОУ-Ш выпускают с мощностью рассеяния 0,15 и 0,5 ет. ТК у сопротивлений МОУ не превышает 0,0005 град- , а у МОУ-Ш — не более 0,0015 грс . [c.327]

Номинальная мощность рассеяния этих резисторов — [c.327]

Мощность рассеяния указывается только для резисторов типа КИМ (КИМ-0,125 КИМ-0,05), а для резисторов КЛМ и КВМ не указывается. Параметры для композиционных резисторов указаны в табл. 8.6. [c.330]

В последнее время все шире применяют рениевые тонкопленочные резисторы. Основным преимуществом рения перед другими материалами, используемыми для изготовления тонкопленочных резисторов, являются устойчивость при высоких температурах, что позволяет изготовлять резисторы с высокой мощностью рассеяния при высокой температуре высокая стабильность пленок невысокий температурный коэффициент сопротивления незначительное изменение сопротивления от толщины, что облегчает изготовление высокоомных резисторов с малым разбросом сопротивления. В том случае, когда необходимо получить высокостабильные пленки с большим поверхностным сопротивлением (порядка нескольких тысяч ом на квадрат) и низким температурным коэффициентом сопротивления, применяют тантал, вольфрам и рений. [c.49]

Миллиамперметр А и резистор / 1 подбираются с -учетом величины тока в лампе, допускаемой техническими условиями. Напряжение источника питания [/в должно быть на несколько десятков вольт больше напряжения зажигания лампы в качестве источника питания можно использовать как гальваническую батарею, так и выпрямитель с фильтром. Напряжение на лампу подают через потенциометр. Можно использовать как высокоомный лабораторный потенциометр, так и переменные резисторы типа СП с допустимой мощностью рассеяния 2 вт. [c.40]

Несмотря на то, что наличие более чем одного компонента на подложке еще более усложняет задачу, однако и в этом случае были сделаны попытки предсказать, хотя бы приблизительно, распределение температуры на подложках с тонкопленочными схемами. Для решения данной пробле.мы Пик [76] воспользовался сведением всех резисторов в один эквивалентный прибор. Его модель не дает температур отдельных резисторов, а определяет положение и температуру самой горячей точки. На основании своих исследований он заключил, что наиболее эффективное рассеяние мощности происходит на меньших по размерам резисторах. [c.532]

По некоторым своим параметрам эти резисторы превосходят практически все остальные выпускающиеся типы. Они имеют меньшую плотность тока в проводящем слое, лучшие условия рассеяния выделяющейся мощности, выдерживают большие эксплуатационные электрические и механические перегрузки, обладают большей влагоустойчивостью. Однако требуется значительно расширить температурный диапазон их работы, шкалу номинальных значений сопротивлений, увеличить удельные нагрузки, срок службы, надежность. Количественное сопоставление требований и существующих в настоящее время возможностей выпускающихся резисторов типа ТВО и СПО приведено в таблице. Как следует из этих данных, по многим параметрам объемные резисторы далеки от предъявляемых требований, о объясняется ограниченными возможностями токопроводящей фазы объемных резисторов, которой все еще является сажа. Например, для получения высоких номиналов в токопроводящую композицию вводится менее 1 % сажи, что приводит к плохому ее распределению и, как следствие, к невысокому выходу готовых изделий в заданный номинал. Так, выход годных резисторов СПО с плавностью по омметру на крайних номиналах составляет всего 5—8%, тогда как на средних — около 70%. [c.170]

Р — допускаемая мощность электрической нагрузки, Вт — номинальная мощность рассеяния, Вт 1 — для резистора типа МТ i — для резисторов типов ОМЛТ, МЛТ, МУН и МГП. [c.8]

Рис. 1-3. Зависимость допускаемой мощности электрической нагрузки (в процентах от номинальной мощности рассеяния) от атмосферного давления для резисторов типов МТ, ОМЛТ, МЛТ, МУН и МГП.

Резисторы С5-10 (рис. 61) — нагружаемые. Изготавливаются с мощностью рассеяния 160, 250 и 500 Вт. Удельная мощность рассеяния составляет 0.7 Вт/см . Габаритные размеры резистороя С5-10 приведены в табл. 42. [c.144]

Мощность катодной станции на выходе, Вт, Wk. = Iw.Mk. - Мощность рассеяния регулировочных резисторов, Вт, с учетом возможных отклонений фактических сопротивлений в цепях УКЗ от расчетных следует выбирать по току наиболее нагруженного анода W pj = /LmaxZpi. Если максимальное падение напряжения в цепи УКЗ больше стандартного напряжения катодной станции при соответствующем номинальном токе, необходимо в зависимости от конкретных условий и с учетом экономических соображений увеличить площадь сечения дренажных кабелей, уменьшить сопротивление растеканию анодов, либо выбрать катодную станцию с меньшим номинальным током и соответственно изменить расстояния между УКЗ. [c.137]

I Отношение номинальной мощности рассеяния Р к величине теплоотдающей поверхности 8 называется удельной нагрузкой резистора, вт1см . [c.317]

Резисторы типа УНУ — углеродистые, незащищенные, ультравысокочастотные. Предназначены для работы при температурах от —60 до +125° С, а также в условиях тропического влажного климата. Выпускают мощностью рассеяния от 0,1 до 100 вт на номинальные сопротивления 7,5-ь100 ом на импульсные напряжения при атмосферном давлении 64 тор и 5 тор, соответственно, от 70 до 12 500 в и от 70 до 8750 в. [c.325]

Тип резистора Номинальная мощность рассеяния ном- в Номинальное сопротивле- ном т ном С . 1 Интервал рабочих температур, °С Предельное рабочее напряжение, в Начальный скачок со-противле- ния % Уровень собстрен-ных шумов, мкВ/В, не более Диаметр корпуса, мм [c.104]

Отечественной промышленностью выпускается серия высоковольтных резисторов на основе электропроводящих полимерных материалов—это резисторы типов КЭВ, СЗ-5, СЗ-6, СЗ-9, СЗ-12, СЗ-14 (Рнбы=0,5 и 1 Вт). Резисторы типов КЭВ, СЗ-6, СЗ-12, СЗ-14 Рвом — =0,5 и 1 Вт) предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов, а резисторы СЗ-5 и СЗ-9, кроме того, могут эксплуатироваться в цепях импульсного тока. Конструкции высоковольтных резисторов приведены на рис. 2.33, основные характеристики резисторов- приведены на рис. 2,34,а —в. Основные габаритные размеры резисторов Ь и В определяются номинальной мощностью рассеяния, номинальная мощность определяет также и предельные рабо- чие напряжения, так, для резисторов КЭВ с Рвом от 0,5 до 40 Вт предельные напряжения составляют 2,5—60 кВ. Минимальная наработка для различных видов высоковольтных резисторов лежит в диапазоне от 5000 до 15 000 ч, срок сохраняемости резисторов—12 лет. [c.117]

Из проведенных исследований может быть выведен ряд критериев для выбора подложек и конструирования микросхем. Они сводятся к следующему поскольку главное значение имеет высокая теплопроводность желательными материалами для подложек являются очень плотные окиси алюминия и бериллия. Предпочтительными являются металлические пластины, изолированные окисными эмалевыми или форфоровыми слоями. Применимы также очень тонкие стеклянные пластины, смонтированные на эффективных теплоотводах. Элементы, рассеивающие мощность, должны быть размещены как можно ближе к теплоотводам и равномерно распределены по всей подложке. В случае тонкопленочных резисторов с отношением размеров < 1 применяют металлические контакты большой площади, помогающие рассеивать мощность, В общем, проводники должны иметь высокую теплопроводность, а соединения — низкое тепловое сопротивление. Это означает, что для тонкопленочных внутрисхемных соединений они должны быть как можно шире и толще. Наконец, необходимо предупреждать образование промежуточных (межслойных) окислов. Хотя эти выводы и были сделаны в основном для квазистационарного рассеяния мощности, однако они справедливы также для импульсного режима работы. Переходные апряжения, накладывающиеся на нормальное рабочее напряжение, являются дополнительным осложняющим фактором. Тонкопленочные приборы часто имеют малые времена нарастания сигнала и не могут достаточно быстро рассеять внезапный пик мощности. Во избежание разрушения цепи рекоме.чдуется конструировать схему из расчета не на среднюю мощность, а на предполагаемую пиковую мощность, [c.533]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология