Интегральная схема

Применение кремния и его соединений. Кремний — ведущий современный полупроводниковый материал, который широко применяется в электронике и электротехнике для изготовления интегральных схем, диодов, транзисторов, тиристоров, фотоэлементов и т. д. Технический кремний — легирующий компонент в производстве стали (например, трансформаторная сталь), [c.213]

Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи ди( к )узии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в различных участках пластины полупроводникового материала, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [c.150]

Большое число применений фоторезистов кратко описано в разд. 8.5. Одно из важнейших приложений они находят в производстве электронных интегральных схем, где резисты используются для обозначения участков нанесения покрытия на кремниевой подложке, на которых в последующем образуются сопротивления, конденсаторы, диоды и транзисторы готовой схемы, а также металлические проводники, соединяющие между собой элементы, изолирующие и пассивирующие слои. В процессе производства сложной схемы может быть несколько десятков стадий переноса изображения, травления, легирования или других операций. Каждая стадия должна выполняться в пространстве с точностью не хуже сотен нанометров. Для получения необходимой точности используются фотографические методы, хотя УФ-излучение может быть дополнено более коротковолновыми рентгеновскими лучами, пучками электронов или ионов в случае необходимости размещения большого числа компонентов в малом пространстве. Применяемые в настоящее время фоторезисты в основном построены на полимерных системах. Те, которые используются в полупроводниковой промышленности, представляют собой улучшенные варианты фоторезистов для приготовления фотопластинок. В этом разделе будут описаны три типичные системы фоторезистов. [c.256]

В значительно меньшем объеме используются схемы с частичным рециклом аммиака, и полностью вышел из употребления однопроходный процесс. Процесс с рециркуляцией горячих газов и интегральная схема находятся в стадии отработки. [c.267]

Рис. 59. Последовательность этапов изготовления элементов интегральной схемы

Дальнейшее совершенствование производства карбамида заключается в создании интегральных схем, объединяющих производство карбамида, аммиака и нитрата аммония, повышении единичной мощности установок, внедрении технологических схем со стриппинг-процессом. [c.276]

Единая система ЭВМ (ЕС ЭВМ) представляет собой комплекс стационарных ЭВМ третьего поколения, характеризующийся следующими свойствами широкий диапазон производительности ЭВМ (от 10 тыс. до 2 млн. операций/с), что обеспечивает возможность решения большого класса задач программная совместимость всех моделей комплекса снизу вверх (от малых моделей к большим) широкое использование интегральных схем в качестве элементной базы комплекса расширенная номенклатура внешних уст- )ойств наличие мощной системы математического обеспечения. [c.132]

Применение интегральных схем и в первую очередь устройств постоянной памяти и программируемых логических матриц привело к тому, что программы стало целесообразнее хранить не на [c.233]

ЕС ЭВМ представляет ряд программно-совместимых моделей вычислительных машин третьего поколения, разрабатываемых в рамках сотрудничества социалистических стран [73]. К отличительным особенностям этих машин следует отнести 1) использование новых элементов для технической реализации устройств — интегральных схем — элементов, выполненных на полупроводниковых кристаллах эти элементы отличаются более высокой надежностью, компактностью и быстродействием 2) применение блочного принципа организации вычислительной машины (вычислительной системы), охватывающего комплекс общих вопросов ее построения и допускающего широкие возможности набора функциональных блоков исходя из области применения системы [c.154]

Лекция 4. Цифровые интегральные схемы. [c.255]

Третий этап начинался в 60-х годах. Вычислительные машины третьего поколения создаются на интегральных схемах, их надежность и быстродействие возросли еще больше, габариты резко сократились. [c.50]

При изготовлении ра зличных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р—/ переходы областей эмиттер — база и база — коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р — -переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты планарной технологии отличаются способами изоляции активных элементов (диодов, транзисторов, резисторов) друг от друга. Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р — л-переходом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции. [c.97]

Аналоговые интегральные схемы/Под ред. Д ж. К о н н о л и. — М. Мир, 1977. [c.285]

В значительной мере благодаря успехам химии создаются новые области промышленности, например получение топлива для атомной энергетики, полупроводниковая техника, производство интегральных схем, электрохимическая обработка металлов, крио-, плазмохимические и мембранные технологии и др. [c.431]

Четвертая группа периодической системы включает два типических элемента — углерод и кремний — и подгруппы германия и титана. По значимости тех элементов, которые входят в состав IV группы, с ней не может сравниться никакая другая группа системы. Углерод является основой органической химии, главным органогенным элементом, следовательно, необходимым компонентом организма всех живых существ. Второй типический элемент группы — кремний — главный элемент неорганической химии и всей неживой природы. По целому ряду экстремальных свойств титан и сплавы на его основе являются уникальными конструкционными материалами, которые широко применяются в авиа- и судостроении, космической технике. Еще в большей мере титан — металл будущего. Со времени создания первого твердотельного транзистора на германии (1948), произведшего целую революцию в радиоэлектронике, в течение 10 лет германий оставался доминирующим полупроводниковым материалом, уступив первое место опять же представителю IV группы — кремнию. В настоящее время интегральные схемы на основе кремния являются основой компьютеров, микропроцессоров, логических устройств и т. п., без чего нельзя представить себе современную научно-техническую революцию. [c.179]

Так, например, алюминий, являющийся пленочным проводником (пассивный элемент) на кремниевой подложке в интегральных схемах при температуре 90° С, полностью растворяется в кремнии примерно за 10 тыс. ч. То же самое можно 532 [c.532]

В планарной технологии полупроводниковых кремниевых приборов и интегральных схем широко применяются оксидные пленки на базе 5102. Они используются как маскирующее покрытие в фотолитографических и диффузионных процессах, в качестве разделительной изоляции, для пассивации готовых структур и других целей [c.109]

Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р, Бургера и Р. Донована, Мир, 1969, с. 45—181. [c.139]

Трудности контактирования и монтажа НК в настоящее время в основном решены [10] и, по-видимому, появилась возможность получать на основе НК интегральные схемы или их отдельные блоки, применяя при этом те же технологические операции, основанные на принципах селективности. [c.504]

Сравнительно легко можно создать совершенные НК с низким уровнем внутреннего трения и высокой упругостью. Их уже используют для контроля работы интегральных схем и других целей. [c.505]

Со временем в местах контактов образуется ряд хрупких соединений золота с алюминием ( пурпурная, или черная, чума ), что приводит к увеличению контактного сопротивления, проявляющееся в снижении быстродействия логических интегральных схем и в других явлениях. Процесс образования пурпурной чумы ускоряется под действием кремния как катализатора (несовместимость материалов ). Поэтому приходится отказываться от золотых выводов для присоединения к пленкам алюминия и предпочитать им другие, например алюминиевые, получающиеся термокомпрессионным методом в атмосфере инертного газа. [c.282]

Германий и многие его соединения используются для изготовления полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интегральных схем, тонкопленочных резисторов, фоторезисторов). Оксид германия(IV) ОеОг применяют для получения специального оптического стекла и стекловолокна. [c.185]

Дополнительно очищают кремний зонной плавкой. Монокристаллы кремния с соответствующими добавками служат для изготовления различных полупроводниковых устройств (выпрямителей переменного тока, фотоэлементов и пр.). Из кремниевых фотоэлементов (преобразователи световой энергии в электрическую), в частности построены солнечные батареи, обеспечивающие питание радиоаппаратуры на космических аппаратах. Монокристаллы кремния служат матрицей для изготовления интегральных схем в микроэлектронике. [c.444]

МЫ С поперечным питанием можно было бы назвать интегральными схемами. [c.157]

Существует также способ получения растворов КАС по так называемой интегральной схеме. По этой технологии используют непосредственно плав карбамида, а непрореагировавший аммнак нейтрализуют азотной кислотой на отдельной установке. Полученные плавы карбамида и нитрата аммония смешивают и к полученной смеси растворов добавляют ингибитор коррозии. [c.246]

В США свыше 50% составляют жидкие азотные удобрения (безводный аммнак, азотные растворы). Широко применяются жидкие азотные удобрения в Канаде, Мексике, Франции, В США эксплуатируются установки получения растворов солей по так называемой интегральной схеме (смешение раствора селитры, полученной нейтрализацией газов дистилляции, с раствором карбамида после дистилляции). [c.427]

Кассетные конструкции аппаратуры чаще всего применяются при проектировании устройств на навесных элементах, микромодулях и интегральных схемах, которые располагаются на одинаковых монтажных платах (кассетах) с одной или обеих сторон. [c.297]

Особо чистый кремний применяют для изготовления рабочих элементов полупроводниковых устройств (интегральные схемы ЭВМ, солнечные батареи и др.). Разработана технология изготовления интегральных схем, позволяющая размещать иа 1 см поверхности пластиики, вырезанной из монокристалла кремпнп, десятки тысяч транзисторов и сопротивлений, связанных друг с другом в единую схему. [c.376]

Особо чистый кремний применяют для изготовления полупроводниковых устройств (инте1рольные схемы ЭВМ, солнечные батареи и др ). Разработана технология производства интегральных схем, позволяющая размещать на I см поверхности пластинки, вырезанной из монокристалла кремния, десятки тысяч транзисторов и других радиоэлементов. [c.382]

С помощью метода МНПВО стало возможным изучение свойств тонких и сверхтонких диэлектрических слоев, выполняющих различные функции в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (маска при диффуз ии, пассивация пове зхности, прослойка в МДП-структурах и т. д.). [c.147]

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]

Последовательность операций при изготовлении интегральных схем. Для изготовления интегральных схем (ИС) большое значение имеет подготовка поверхности кремниевых подложек. Сдиток моно-кристаллического кремния ориентируют в заданном направлении и разрезают на пластины металлическими дисками, режущая кромка которых содержит алмазный абразив. Пластины затем подвергают плоскопараллельной механической двусторонней шлифовке абразивными микропорошками на основе карбида кремния с размером зерна порядка 10 ч- 20 мкм. После этого пластины механически полируют при помощи алмазных паст, представляющих собой суспензию алмазного микропорошка с размером зерна 0,5—2 мкм в минеральном вязком масле. Окончательная толщина механически обработанных пластин должна составлять 00 -н 400 мкм. [c.96]

Получение более или менее постоянной записи света и тени с помощью фотографии представляет наиболее хорошо известный из прикладных фотохимических процессов. Фотография относится к одному из методов получения фотоизображения, в котором для записи и копирования изобразительной информации используются кванты света. Помимо фотографии другие широко распространенные приложения фотоизображения включают копирование деловых бумаг (ксерокопию) и изготовление различных видов печатных форм. Если рисующий свет изменяет свойства (например, растворимость) материала, используемого для защиты некоторой подложки, то последующей обработкой можно перенести изображение на первоначально защищенную шаблоном поверхность. Такие материалы называются фоторезистами. Они чрезвычайно важны в производстве печатных форм, интегральных схем и печатных плат для электронной промышленности, в изготовлении мелких компонентов типа сеток электрических бритв, пластин затворов фотоаппаратов и многих других изделий. В настоящее время большое внимание привлечено к получению изображения с целью создания полностью оптических запоминающих устройств, отличающихся от магнитных тем, что запись и считывание информации осуществляются электромагнитным излучением видимой части спектра. Хорошо развиваются сейчас приложения оптического считывания к видео- и аудиотехнологиям ( компакт-диски ), а также в области оптического считывания — записи в запоминающих устройствах для компьютеров. [c.242]

Комбинации диодов и транзисторов в одной монокристалли-ческой пластине кремния стали основой так называемых интегральных схем [17, на использовании которых базируется развитие электронно-вычислительной техники. Непрерывное совершенствование методов создания р—п-переходов и использование новых материалов способствует повышению надежности полупроводниковой электроники [17—19]., [c.464]

Получены Г., содержащие в молекуле неск. хим. элементов, отличающихся степенью окисления их структура аналогична структуре соответствующих силикатов-полевых шпатов, сподумена, монтмориллонита, пермутита и др. Наиб. практич. значение имеют германиевые гранаты АдВ ОезОу, где А-Са, М 2п, Ре и др., В-А1, N6, Оа, Зп, РЗЭ и др. Гранаты обладают св-вами диэлектриков их используют в электронно-вычислит. устройствах, магн. интегральных схемах (в осн. в кач-ве подложек). [c.530]

В качестве управляемых Д. используют сегнетоэлектрики (титанат бария, ниобат лития, сегнетокерамика и др ). В микроэлектоонных устройствах на полупроводниках, в частности больших и сверхбольших интегральных схемах на кремнии и арсениде галлия, используются в качестве как пассивных, так и активных элементов тонкие (0,002-2,0 мкм) аморфные диэлектрич. пленки ЗгОз, SIзN4, бор- и фосфорсиликатных стекол. Перспективными являются диэлектрич. пленки оксида алюминия, нитридов бора и галлия. [c.109]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология