Электропроводностей отношение щри высоких напряжениях

По оси ординат отложено отношение электропроводности при высокой напряженности поля к электропроводности при слабом поле для одной и той же ча- [c.213]

Мы видели,, что в верхней части формирующего геля возникает область повышенной напряженности поля, в которой оказываются и успевшие перейти в гель белки. Естественно, что они мигрируют в ней относительно быстро. Так же быстро идет переход белков из буфера препарата в формирующий гель. Впрочем, белки мигрируют все же медленнее, чем ионы глицина, так как отношение заряда к массе у белков меньше. Описанные явления постепенно распространяются на весь формирующий гель. Ионы хлора, отступая, очищают весь объем этого геля. Вплотную за ними к границе с рабочим гелем подходит глицин. Теперь весь формирующий гель находится в зоне повышенной напряженности поля. В этом поле ускоренно движутся белки, уже перешедшие из исходного раствора препарата в формирующий гель. Никакого их концентрирования пока не происходит оно начнется лишь тогда, когда впереди идущие молекулы белка достигнут границы рабочего геля. Тем временем линия раздела ионов хлора и глицина уйдет уже в рабочий гель, где замена одних ионов на другие не вызовет увеличения напряженности поля. Дело в том, что здесь молекулы глицина оказываются при pH 8,9, который обеспечивается степенью ионизации и высокой концентрацией Триса. При этом pH большая часть нейтральных молекул глицина снова превращается в ионы. Эти нейтральные молекулы оказались в рабочем геле в силу статистического характера миграции глицина, который был описан выше. Электропроводность Трис-глицинового буфера в верхней части рабочего геля оказывается столь же высокой, как и Трис-НС1 (этого добились подбором pH 8,9 и концентрации всех компонентов системы). Напряженность электрического поля в рабочем геле соответственно остается низкой, и это обстоятельство играет решающую роль в концентрировании белков. [c.69]

Балансирование мостика достигается приведением к нулю напряжения между двумя противоположными углами мостика. Это имеет место в том случае, когда отношение импедансов двух соседних ветвей мостика равно отношению импедансов другой пары ветвей. Обычно применяемые для измерений диэлектрической проницаемости емкостные мостики имеют две ветви с сопротивлениями, которыми задается необходимое отношение ветвей, и две емкостные ветви. Б таких мостиках самоиндукция минимальная, и благодаря симметричности частей мостика ее влияние исключается. Все же поскольку измеряемый объект обладает заметной электропроводностью и поскольку омические сопротивления схемы могут быть несколько неодинаковыми, в емкостные ветви включаются особые безиндукцнонные катушечные сопротивления (либо небольшие последовательно, либо высокоомные параллельно). Параллельное включение высоких сопротивлений порядка [c.24]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология