Предельный ток диффузии в полупроводниках

В настоящем разделе рассматривается случай, когда ограниченный подвод носителей тока из полупроводника обусловливает появление предельного стационарного тока электролиза. Этот случай отчасти аналогичен электролизу, контролируемому диффузией, где величина тока зависит от скорости подвода ионов к электроду. [c.423]

В формулах (6.140) — (6.147) энергии Пк, гт и г имеют постоянные значения, соответствующие Т = 0. Поэтому предельные рещения (6.140), (6.143) и (6.146) для макроскопических коэффициентов диффузии содержат экспоненциальную зависимость от температуры. Этот теоретический результат хорошо подтверждается всей совокупностью экспериментальных данных, часть которых для чистых металлов, элементарных полупроводников и оксидов металлов изображена на рис. 6.16 и 6.17 в координатах Аррениуса. [c.220]

Во многих практически важных случаях в кристаллы элементарных полупроводников вводятся одновременно две различные легирующие примеси например, при изготовлении транзисторных структур методами диффузии. При легировании элементарного кристалла двумя различными примесями имеют дело с трехкомпонентной системой. По сравнению с двухкомпонентными системами М плюс примесь I и М плюс примесь И, в трехкомпонентной системе поведение обеих примесей претерпевает заметные изменения. Так, должны измениться их коэффициенты распределения при росте кристалла, их предельные растворимости (концентрации) и их температурная зависимость, коэффициенты диффузии и т. д. [c.190]

Величина предельного тока процесса анодного растворения германия п-типа определяется поверхностной концентрацией дырок, которая в свою очередь зависит от образования пространственного заряда и от скорости диффузии из глубины полупроводника к его поверхности. При прохождении анодного тока через элек- [c.36]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология