Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Степень теплового беспорядка

    Здесь проявляется двойственность в действии дисульфидных сшивок. Мы уже видели, что благодаря мостикам уменьшается степень спирализации, так ка№ в местах сшивок упорядоченная структура нарушена. С другой стороны, наличие сшивок укрепляет структуру оставшихся спиральных участков и делает их менее подверженными разрушению тепловым движением. Понять это обстоятельство нетрудно. Точка фазового перехода, или плавления, внутримолекулярного кристалла определяется термодинамическим соотношением С7—Г5=0. Как говорилось вьпие, выигрыш энтропии на звено цепи при переходе порядок—беспорядок [c.83]


    В настоящех статье рассматриг.ается адсорбция газовых молекул на поверхности кристалла в случае, когда число адсорбционных центров меняется с температурой. Адсорбционные центры трактуются нами как дефекты поверхности, т. е. как локальные нарушения строго периодической структуры решетки. Конкретная природа этих дефектов для дальнейшего несущественна. Общее число дефектов характеризует беспорядок на поверхности кристалла, т.е. степень отклонения реальной поверхности от идеального состояния. Общий беспорядок складывается из необратимого биографического беспорядка, обусловленного способом приготовления поверхности и свойственного поверхности, так сказать, от рождения , на который накладывается дополнительный тепловой беспорядок, увеличивающийся с нагреванием. Таким образом, число адсорбционных центров, согласно развиваемым в статье представлениям, растет с температурой, начиная от некоторого минимального значения, сохраняющегося при нуле температуры и характеризующего биографическую-) долю беспорядка.  [c.360]

    Равновесные концентрациг дефектов А, В, С, В, со ответствующие некоторой тем пературе Т, связаны уравнениями [3,1] и [12,1], или, что то ж самое, [3,2] и [12,2]. Здесь число X характеризует первоначальный (био графический) беспорядок на поверхности кристалла, а число У = X X -степень нарушения стехиометрии в поверхностном с.таое кристалла. В част ном случае дефекты С могут совсем отсутствовать (г = 0). В этом случа весь беспорядок имеет чисто биографическое происхождение число адсорС ционных центров не будет меняться с температурой (теория Лэнгмюра В другом частном случае при У = О могут совсем отсутствовать дефект типа А (X = 0), тогда адсорбционные центры появляются на поверхност при нагревании исключительно за счет распада дефектов С. Весь бест рядок имеет чисто тепловое происхождение. [c.370]


Смотреть страницы где упоминается термин Степень теплового беспорядка: [c.364]    [c.101]    [c.88]    [c.88]   
Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.294 , c.295 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте