Контраст с твердотельным детектором

Предположим, что вторичная эмиссия одинакова для обоих элементов. При рассмотрении лишь отраженных электронов будет существовать контраст в. сигнале, измеряемом между областями I л 2. Если мы будем использовать детектор типа сцинтиллятор — фотоумножитель, на который подано отрицательное напряжение смещения, или твердотельный детектор, то [c.136]

Направленность эмиссии отраженных электронов может оказывать влияние на контраст от атомного номера за счет установки детектора по отношению к образцу. При нормальном падении пучка отраженные электроны распределены по косинусу, так что детектор, расположенный под большим углом выхода, будет захватывать большую долю отраженных электронов, чем детектор, регистрирующий сигнал при меньшем угле выхода. Таким образом, кольцевой твердотельный детектор, расположенный над образцом под большим углом выхода, будет более эффективным при отображении контраста от атомного номера, чем детектор, установленный под малым углом выхода. [c.139]

Рис. 4.57. Разделение компонент контраста с помощью парного твердотельного детектора отраженных электронов.

Особые свойства (зависимость от энергии, эффективность сбора и т. д.) детекторов электронов, таких, как твердотельный детектор или детектор Эверхарта — Торнли, могут значительно изменять контраст от атомного номера по сравнению со значениями, предсказываемыми расчетами контраста. Единственный сигнал, который дает контраст, подобный рассчитанному из уравнения (4.15), это сигнал поглощенного тока. Это в частности справедливо, если образец находится под полол<ительным напряжением смещения для возврата вторичных электронов, так что только процесс отражения влияет на сигнал поглощенного тока. Контраст в режиме поглощенного тока нечувствителен к траекторным эффектам, так как единственным требованием, налагаемым на величину поглощенного тока, является то, чтобы электрон покидал образец направление же, в котором он вылетает, не имеет значения. [c.140]

При использовании упругорассеянных электронов важно отделить эффекты, обусловленные рельефом, и эффекты, обусловленные зависимостью интенсивности рассеяния от атомного номера для химически сложного объекта. Для анализа изображения можно использовать твердотельные парные детекторы — полупроводниковые кристаллы, устанавливаемые симметрично относительно электронного зонда над образцом (см. рис. 22.10). Специальное суммирующее устройство позволяет отделить эффекты, обусловленные рельефом, от эффектов контраста, создаваемых различиями в химическом составе. [c.566]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология