Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Закономерности образования единичных кристаллов

    Закономерности образования единичных кристаллов [c.392]

    Рост кристаллов в условиях массовой кристаллизации в сущности не отличается от роста единичных кристаллов. Поэтому сведения, полученные нри изучении закономерностей роста монокристаллов, могут быть использованы при описании процесса образования кристаллов в условиях массовой кристаллизации. Однако коллективный рост кристаллов имеет и свои особенности. [c.73]


    В условиях массовой кристаллизации учет зависимости скорости роста от перемешивания раствора усложнен особыми обстоятельствами. К их числу прежде всего относится возможность перемещения кристаллов по объему раствора, наряду с вращением их вокруг соответствующих осей. Естественно, это затрудняет учет скорости движения фаз относительно друг друга. Поэтому изучение характера зависимостей L / (оэ) и т. п. приходится проводить на примере роста единичных кристаллов, максимально учитывая при этом особенности коллективного роста. Конечно, это позволяет получить лишь приближенные представления о ходе процесса. Однако, сочетая данные о росте с другими данными по кристаллизации, можно составить достаточно четкие представления о механизме и закономерностях образования кристаллических осадков. [c.83]

    Переход к условиям образования поликристаллических осадков наступает — при заданной величине электролитической ячейки — уже при умеренных силах тока (для выделения серебра из 3 н. раствора AgNOз это происходит при токе в 1-10 ав случае катода с площадью до 1-10 см ). Вместо единичных кристаллов возникает система из многих кристаллов. При этом, очевидно, расширяется объем диффузионного пространства, из которого черпаются ионы металла для разряда, т. к. поверхность роста увеличивается за счет умножения растущих кристаллов и суммарное сечение диффузионного потока ионов возрастает. Согласно экспериментальным данным [12], в этом случае выполняется уже обобщенная закономерность постоянства отношения силы тока (/) к сумме растущих поверхностей кристаллов = к, где к — постоянная величина в данном [c.228]


Смотреть главы в:

Теоретические основы электрохимии -> Закономерности образования единичных кристаллов

Теоретические основы электрохимии -> Закономерности образования единичных кристаллов




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте