Дислокации в металлическом цинке

Рост кристаллов по механизму винтовой дислокации, по-видимому, имеет место при образовании из паровой фазы нескольких типов кристаллических осадков, например при образовании нитеобразных кристаллов, подобных металлическим усам (см. Набар-ро и Джексон [80]). Из паровой фазы усы растут своими торцами, на каждом из которых имеется винтовая дислокация, простирающаяся параллельно окончанию уса. Усы таких металлов, как кадмий, цинк и серебро, растут на подложках из пирекса и из кварца при осаждении из паровой фазы только в том случае, если пересыщение ниже некоторой критической величины, которая может соответствовать критической величине пересыщения для двухмерного образования центров кристаллизации [81, 82]. Было найдено, что в последовательно проводимых опытах усы обычно начинают расти на одних и тех же участках субстрата (в данном случае пирекса или кварца) это позволило сделать предположение. [c.327]

В настоящее время еще неясно, однако, могут ли быть представления, развитые нами применительно к пластифицирующему действию органических поверхностно-активных сред, непосредственно, без учета каких-либо дополнительных факторов, приложимы к случаю пластифицирующего действия металлических расплавов. Именно, определенные трудности возникают при сопоставлении активационных энергий процесса для органических сред температурно-скоростная зависимость эффекта привела нас к значению и 0,5 эв, что хорошо согласуется с энергией образования новой моно-атомной ячейки свободной поверхности при перемещении конца дислокационной линии вдоль поверхности кристалла. В случае же цинк — олово пластифицирующее действие наблюдается при значительно более высоких температурах и малых скоростях растяжения. Это означает, по-видимому, что в данном случае активационная энергия процесса значительно выше, и что в качестве элементарного акта надо рассматривать уже не образование моноатомной ячейки на поверхности, а нечто более сложное, например, неконсервативное перемещение при обходе концом дислокации того или иного дефекта на контуре плоскости скольжения (в сочетании с образованием одной или сразу нескольких новых моноатом-ных ячеек поверхности) эффект может быть связан и с облегчением действия подповерхностных источников дислокаций [ИЗ, И7, 138]. [c.224]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология