Дислокация

Рис. 16.5. Развитие спирального роста кристалла, вызванное единичной винтовой дислокацией

При низких температурах эффективны механизмы, основанные на скольжении дислокаций, которое может облегчаться в присутствии поверхностно-активных сред. Теория адсорбционного пластифицирования [291] объяснила эти эффекты на основе представлений о снижении потенциального барьера, препятствующего выходу дислокаций на поверхность с образованием на поверхности ступеньки, и об облегчении начала работы приповерхностных источников дислокаций благодаря снижению свободной поверхностной энергии. Это дает возможность ориентировочно оценить те условия, в которых аналогичные эффекты могут иметь место в природе. Это та область режимов деформации, когда в наборе активационных энергий- преобладают компоненты, связанные с поверхностным барьером [255],. равным Ь а, где Ь — вектор Бюргерса и о — свободная поверхностная энергия минерала. В этом случае отношение скоростей деформации в присутствии активной среды и на воздухе равно [c.88]

НЫХ образований, подобных двухмерным зародышам. Аналогично катодному осаждению металла его анодное растворение облегчается при появлении дефектов и нарушений в структуре решетки, в том числе и дислокаций. [c.477]

На рис. 16.5 показана винтовая дислокация, в результате которой на поверхности грани появляется мономолекулярный выступ. Присоединение уже первого структурного элемента к краю дислокации приводит к выигрышу эн( ргии 2а н обеспечивает появление повторяющегося шага с выигрышем энергии За. За счет присоединения новых элементов дислокационный выступ будет продвигаться в направлении I. Одновременно с этим у центра дислокации О появится другой выступ, перпендикулярный к ее первоначальному направлению, также способный к дальнейшему росту, но уже в направлении 2. У нового центра дислокации вновь возникают благоприятные условия для реализации повторяющегося шага в направлении 3 и таким образом спустя некоторое время после включения тока первоначальная дислокация разовьется в спиральный фронт роста. На иоверхности грани может быть не одна, а боль- [c.338]

Т1 и Т2 - температуры нагрева щается от дислокаций и [c.88]

Кристаллическая поверхность твердого тела неоднородна. На ней всегда имеются микроскопические участки, занятые химически активными группами атомов и так называемые поверхностные активные центры, служащие центрами адсорбции. Одной из причин их появления может служить выход разных кристаллических плоскостей на поверхность. Роль такого центра может играть также поверхностный атом основной кристаллической решетки со свободной связью. Появление активных центров может быть связано с неустранимыми дефектами поверхности, например с местом выхода на поверхность дислокаций, где кристаллическая решетка сильно возмущена и где в результате этого возникают очень активные поверхностные атомы. Причиной неоднородности поверхности могут стать способ и характер предварительной ее обработки, приводящей к образованию на монокристаллах ступеней, уступов, широких террас и других подобных дефектов, а также микроскопические примеси постороннего вещества, загрязняющего поверхность. [c.181]

Применение смазочных материалов с высокой химической активностью способствует образованию вторичных структур, благоприятствует появлению хемо-механического эффекта, выражающегося в изменении физико-химических свойств и тонкой структуры твердого тела под влиянием химических (электрохимических) реакций, протекающих на его поверхности. В процессе этих реакций образуется дополнительный поток дислокаций. [c.249]

Реальный кристалл отличается от идеального тем, что в результате условий его генезиса имеются различные нарушения решетки. К таким нарушениям относится дислокация, т. е. различные искажения плоскостей решетки по сравнению с геоме-- [c.339]

Рис. 62. Схема краевой дислокации.

Урало-Эмбенские месторождения представляют сравнительно небольшие купола, по-разному ориентированные, но с преобладанием меридионального или близкого к нему направления длинной оси купола (Доссор). Купола нарушены чрезвычайно сложной системой дизъюнктивных дислокаций в виде сети трещин, в расположении которых по отношению к куполу наблюдается известная закономерность. [c.245]

Если ядро штока не достигает поверхности, картина дизъюнктивных дислокаций получается более дифференцированная. В этом случае выделяются главные взбросы с очень большой амплитудой порядка 1000—1500 м. По ним поднимающаяся часть, лежащая непосредственно над штоком, отделяется от окружающей поверхности. Простирание этих взбросов различно на сводах оно совпадает с простиранием пород, на крыльях оно или выдерживает прямолинейный характер, или охватывает дугообразно поднятый участок. Таких главных взбросов на отдельных куполах имеется по два-три. Между ними-то и располагаются характерные для эмбенских куполов грабены, генетически представляющие собою отставшие в своем восходящем движении участки. Далее на погребенных куполах развита сеть радиальных трещин, по которым участки поднятых крыльев бывают смещены друг относительно друга, причем амплитуда их быстро уменьшается по мере продвижения от сводовой части к крыльям. [c.245]

Но для большинства минералов поверхностный барьер мало отличается от энергии активации движения дислокации сквозь решетку, равной энергии активации образования перегиба на линии дислокации, если сопротивление оказывает главным образом сила Пайерлса. Например, для оливина обе величины близки к 200 кДж/моль. Поэтому не удивительно, что для ионных и ионно-ковалентных кристаллов, в которых сила Пайерлса велика, адсорбционное пластифицирование проявляется лишь при действии сред, обладающих достаточно большой поверхностной активностью. Так, вода, понижающая поверхностную энергию фторида лития на 30%, а хлорида натрия — на 75%, практически не влияет на движение дислокаций в первом случае, но вызывает ярко выраженный эффект (увеличе- [c.88]

Суш ественным источником неоднозначности и неопределенности кинетики и механизма реакций с участием твердых тел, даже в случае монокристаллов, является фактор неоднородности, т. е. различие свойств атомов и ионов, расположенных на вершинах, ребрах и гранях кристал-пов различия свойств атомов и ионов граней с разными индексами различия, обусловленные дефектами — вакансиями, междоузельными атомами и ионами, дислокациями, ионами с аномальной валентностью, примесными центрами, растворенными в кристаллах или адсорбированными на их поверхности [14]. [c.12]

Пассивационные и концентрационные эффекты играют важную роль в процессах роста кристаллов, однако они не исчерпывают всех причин, вызывающих отклснение реальной картины кристаллизации от идеализированной модели Фольмера. Отклонения от модели Фольмера объясняются и нарушениями идеальной структуры кристалла, т. е. дефектами кристаллической решетки, и в первую очередь появлением участков с расположением структурных элементов, отличным от их расположения в идеальной решетке данного кристаллического тела, так называемых дислокаций. [c.338]

До сих пор еще пе ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум иоследним. Существование адатомов (или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста (дислокации, двухмерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния Ха, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации Асив.с1х,1, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаж-деыии металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях (или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций (малые илотности тока), когда число зародышей невелико. [c.342]

Наклепом называется упрочнение мет алла под дейсгвием пласги-ческой деформации. Пластическое деформирование ведет к образованию сдвигов в криет аллах, к дроблению блоков мозаичной структуры, а при значительных степенях деформаций наблюдается заметное изменение формы зерен, их расположения в ггространстве, причем между зернами возникают трещины, что приводит к повышению плотности дислокаций. Одновременно этот процесс порождает искажения кристаллической решетки, что создает многочисленные препятствия перемещению дислокаций. Все это вместе приводит к увеличению запаса свободной энергии. [c.87]

На реальной поверхности, во-первых, находятся центры с ра.чличным энергетическим потенциалом, во-вторых, она разделена трещинами, различными дислокациями и другими геометрическими нарушениями, превышающими по протяженности междуузельные расстояния. На отдельных образцах, в зависимости от их химической природы или истории получения, может превалировать тот или другой тип неоднородности. Рассмотрим два возможных случая влияния этих двух типов неоднородности на адсорбцию и катализ. [c.341]

Линейные дефекты структуры называются дислокациями. Простейший вид днслокации — краевая дислокация. Она представляет собой край одной из атомных плоскостей, обрывающейся внутри кристалла. Дислокации возникают как в процессе роста кристаллов, так и при местных механических, тепловых и других воздействиях на кристаллы (см., например, рис. 142, а, б на стр. 538). На рис. 02 изображена краевая дислокация (линия АВ), возникшая в результате сдвига части кристалла по плоскости АВСО в направлении, указанном стрелкой. [c.163]

Подобно точечным дефектам, лислокации подзижны. Их подвижность особенно велика в случае металлических кристаллов. Механические свойства металлов сильно зависят от плотности дислокаций (т. е. от их числа в единице объема) и от их способности к перемещению по кристаллу (см. стр. 537, 538). [c.163]

П какой-то момент будет имегь место положение, представленное п ) с. I 12, т В итоге же дислокация выйдет иа поверхность и исчезнет, как н казаио на i h , 142, г. [c.538]

Таким бразом, пластический сдвиг в реальном металле присходит не путем олио зре.ме [ио о дв,1га B eii ато.мной плоскости, что потребовало бы за-т аты гораздо Со/идней эиергии, а путем перемещения дислокации вдоль плоскости скольжения. [c.538]

Механические свойства медленно охлажденной углеродистой стали сильно зависят от содеря.ания в ней углерода. Медленно охлажденная сталь состоит из феррита и цемсстита, причем количество цементита пропорционально содержанию углерода. Тпердость цементита намного выше твердости феррита. Поэтому при увеличении содержания углерода в стали ее твердость повышается. Кроме того, частицы цементита затрудняют движение дислокаций в основной фазе — в феррите. По этой причине увеличение количества углерода снижает пластичность стали. [c.685]

Соответствует ли численность газоспасательных подразделений требованиям правил и утвержденному списку ( 3 Положения о ГСС и ДГСД, Дислокация ГСС и ДГСД). [c.364]

Наиболее крупным из числа отдельных газовых месторождений является месторождение Дагестанские Огни, расположенное в И КЛ4 к северо-западу от г. Дербента, в 1,5 клют станции Дагестанские Огни железнодорожной линии Махачкала—Баку. Здесь имеется асимметричный купол, осложненный взбросом и рядом более мелких дизъюнктивных дислокаций, благодаря которым образовалась система трещин, дающих выход газам из глубины. Месторождение, начатое разработкой в 1924—1925 гг., дало с глубины порядка 170—280 м мощные газовые фонтаны. На газе Дагестанских Огней работает стекольный завод. [c.35]

Если ядро штока вь1ходит на поверхность, вызванная поднятием его система дислокаций типа взбросов располагается или концентрически, охватывая ядро, или расходясь от него в виде радиальных разломов. [c.245]

Сбросом, следовательно, называется оседание более или менее значительных частей зелшой коры вдоль треш,пн. Сброс представляет один из видов вертикальных (радиальных и др.) дислокаций земной коры. Если оседание происходит в значительном масштабе в местности с однородным и простым геологическим строением, например на равнине, сложённой горизонтально лежащими или слабо наклоненными пластами, мы можем различить несколько типов расположения трещин и сбросов. Например, иногда вся область опускания или бассейн ограничивается дугообразно изогнутыми или пересекающимися под углом сбросами. Это — сбросы периферические. Их следует отличать от радиальных, сходящихся в виде лучей к наиболее осевшему месту, и от непра-вил ьно расположенных диагональных сбросов. [c.285]

Существенным является учет зоны дислокации оборудования, что отражается в первую очередь на выборе конструкционных материалов, смазочных системах, защитных покрытиях и т. п. Исполнения машин, приборов и других технических изделий, а также категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды устанавливает ГОСТ 15150—69 (соответствует СТ СЭВ 460—77 в части климатичееких исполнений изделий). Стандартом руководствуются при проектировании и изготовлении изделий, в частности ири составлении технических заданий, разработке ГОСТов и ТУ на новые изделия. [c.26]

Для силикатных пород нет точной информации о снижении о под действием воды. Обзор сведений по кварцу содержится в книге [257] и в работе [258], из которых видно, насколько велик разброс литературных данных. Однако можно считать, что свободная энергия негидратированной силоксановой поверхности кварца, обнажающейся при образовании ступеньки, вряд ли успевает сильно снизиться при физической адсорбции воды или при смачивании, а термоактивируемая химическая модификация поверхности с образованием силанольных связей требует большего времени. В то же время известно, что движение дислокаций в кварце может значительно облегчаться под действием воды. По схеме, разработанной Григгсом [259], в результате диффузии воды вдоль дислокаций образуются силанольные мостики =51—ОН. .. НО—51 =, которые легко рвутся в самом слабом месте (по водородной связи). Сопротивление движению дислокаций уменьшается, и поэтому диффузия ОН-групп (или, возможно, ионов Н+ или НзО+) контролирует подвижность дислокаций и, следовательно, скорость деформации. По сути, здесь мы имеем дело с явлением, близким к адсорбционному пластифицированию, только облегчение разрыва межатомных связей происходит в другом координационном окружении — не на поверхности, а в объеме. По-видимому, такой механизм возможен и в случае многих других силикатных минералов (оливин [260] и др.). [c.89]

Краткий курс физической химии (1979) -- [ c.194 ]

Физическая химия (1987) -- [ c.357 , c.358 ]

Химия (1978) -- [ c.0 ]

Методы получения особо чистых неорганических веществ (1969) -- [ c.21 ]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.259 ]

Биофизика (1988) -- [ c.354 ]

Краткий курс физической химии Изд5 (1978) -- [ c.142 , c.143 ]

Физическая механика реальных кристаллов (1981) -- [ c.185 , c.188 , c.248 ]

Общая химия (1964) -- [ c.404 ]

Нестехиометрические соединения (1971) -- [ c.30 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.0 ]

Кристаллография (1976) -- [ c.308 , c.315 ]

Курс физической химии Том 2 Издание 2 (1973) -- [ c.319 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.0 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.116 , c.117 , c.121 , c.125 , c.150 , c.492 , c.509 , c.583 , c.585 , c.586 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.81 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.81 ]

Предмет химии (0) -- [ c.81 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология