Дислокация винтовая

Дислокации (винтовые) в них мало подвижны даже при повышенных температурах. Поэтому уровень напряжений на стадии легкого скольжения повышенный. Вторая стадия практически отсутствует. Это объясняется свойством ОЦК металлов блокирования дислокациями одной системы скольжения всех остальных. Поликристаллы обычно имеют более высокий предел упругости и модуль упрочнения. В поликристаллах практически не бывает 1 стадии, так как у границ зерен образуются скопления дислокаций и большие деформации возникают только тогда, когда напряжения, создаваемые скоплениями будут релаксированы. [c.41]

IV.8. Винтовые дислокации противоположного знака. Как и в случае краевых дислокаций, винтовые дислокации могут перемещаться параллельно самим себе. По аналогии с данными раздела IV.6 можно сказать, что край разреза AD будет проникать дальше в кристалл. [c.123]

К линейным (одномерным) дефектам кристаллической решетки относятся дислокации. Простейшими видами дислокаций являются краевые и винтовые. Если одна из атомных плоскостей обрывается внутри кристалла, то место ее обрыва образует краевую дислокацию. Винтовые дислокации плоскостей представляют собой систему, похожую на винтовую лестницу. [c.454]

Иллюстрированный данными табл. 1 полный параллелизм между величинами и величинами поверхностей, определенных по БЭТ, если учесть очень медленный обмен, выраженный участком кривой ВА на рис. 2, почти не оставляет сомнения в том, что как п , так и величина поверхности по БЭТ достаточно близки к истинной величине поверхности окислов, соприкасающейся с газовой фазой. В настоящее время хорошо известны слабые стороны теории, лежащей в основе метода БЭТ. Однако считается, что во многих случаях данный метод дает удовлетворительные сведения о величине истинной поверхности твердого тела дальнейшим подтверждением этого служат результаты настоящей работы. Из табл. 1 следует, что, хотя при насыщении поверхности кислородом ее заполнение в процессе обмена мало (для N 0, СггОз, РегОз) или очень мало (для MgO, 2пО), обменная реакция протекает на всей поверхности. Эти факты, а таклсе возрастание энергии активации адсорбции при увеличении заполнения и обнаруженное другими авторами соответствующее падение теплоты адсорбции неоспоримо свидетельствуют о неоднородности поверхности окислов, содержащей некоторую долю участков с повышенной реакционной способностью. В самом деле, никакое другое представление о поверхности, по-видимому, не в состоянии объяснить результаты, представленные на рис. 3—6. Наиболее активными участками могут быть либо углы и ребра кристаллических граней, либо дислокации — винтовые и сдвинутые плоскости, либо другие деформации, с которыми, вероятно, связаны дефекты, обусловливающие электрические свойства этих веществ. [c.252]

Существует три типа простых дислокаций винтовая (рис. 4.23), краевая с плоскостью скольжения 100 (рис. 4.24) и 60-градусная дислокация с плоскостью скольжения 111 —вектор Бюргерса, который образует угол 60° с осью дислокации (рис. 4.25). [c.231]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

Но вернемся к анализу структуры копья и проблеме его моделирования. Равновесная форма копья может бьпь описана с помощыо дислокационной модели, предложенной в работе [306]. Анализируется плоская задача, в которой контур копья изображает сечение мартенситного включения, бесконечно протяженного в направлении, перпендикулярном плоскости рисунка. Половинкам мартенситного клина сопоставляются пло-кие скопления прямолинейных дислокаций превращения противоположного знака (рис. 5.11). Отвлекаясь от выбора направления вектора Бюргерса отдельной дислокации, согласованного с описанной вьпие известной структурой копья, можно считать дислокации винтовыми (мы не претендуем на количественные результаты, а качественным выводам это упрощение не повредит). . [c.157]

Под влиянием внешних воздействий сдвиг одной тасти кристалла по отношению к другой мол-сет деформировать кристалл таким образом, что его можно представить состоящим из атомных плоскостей, закрученных в виде винтовой лестницы (рис. 4.17). Границу зоны сдвига называют винтовой дислокацией она характеризуется тем, что параллельна вектору сдвига (рис. 4.18). На рис. 4.19 схематически показано расположение атомов в двух атомных плоскостях, расположенных выше и ниже плоскости скольжения. В отличие от краевой дислокации, винтовая дислокация может образовываться при сдвиге по любой атомной плоскости, т. е. она не определяет однозначно плоскость скольжения. [c.224]

Этому вопросу посвящено несколько недавно вышед-щих работ Рида [23], Коттрелла [24] и Фриделя [25]. Два основные вида дислокации — дислокация угловая (краевая), или Тейлора — Орована [26, 27] и дислокация винтовая, или иначе называемая [c.34]

Краткий курс физической химии (1979) -- [ c.200 ]

Физическая химия (1987) -- [ c.360 , c.364 ]

Химия (1978) -- [ c.509 ]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.260 ]

Выращивание кристаллов из растворов Изд.2 (1983) -- [ c.6 ]

Электрохимическая кинетика (1967) -- [ c.315 ]

Физическая механика реальных кристаллов (1981) -- [ c.187 ]

Химический анализ (1979) -- [ c.168 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.266 , c.268 ]

Общая химия (1974) -- [ c.533 , c.534 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.107 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.123 ]

Структура и симметрия кристаллов (0) -- [ c.322 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология