Смешанная литография

Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования субмикронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком электронов, которая ограничивает скорость всего процесса производства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов в остальных слоях применять фотолитографию. Для такой комбинации литографических приемов используется термин смешанная (гибридная) литография [68]. Комбинация может включать и рентгеновскую литографию с фотолитографией. Основной проблемой смешанной литографии является достижение качественного совмеш,ения. Принципиально эта проблема может быть решена, поэтому смешанная литография является перспективным направлением развития технологии производства микроэлектронных приборов [69]. [c.44]

Как возможное решение рассматривались сетки или решетки из тонких проволок, получаемые методом литографии или гальванопластики [3.23]. Такие сетки применялись главным образом для упрочнения структуры спеченных или прокатанных пористых фильтров. Сообщалось также о нанесении на проволочную сетку окиси или нитрида алюминия, распыляемых в электрическом разряде [3.213]. Исследовалась также холодная прокатка политет-рафторэтиленового (тефлонного) порошка, смешанного со связы-ва ющим агентом и нанесенного на проволочную сетку [3.182, [c.126]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология