Рентгеновская литография

Рентгеновская литография — технология будущего. Для нее можно использовать квазиточечный источник мягкого (0,25— [c.40]

Рис. I. 22. Разрез маски для рентгеновской литографии

В то время как при оптической литографии пропускание для прозрачной и непрозрачной областей различается па несколько порядков, для масок рентгеновской литографии достаточно отношение пропусканий около 10. Для достижения хорошей контрастности абсорбционный материал — золото — наносится слоем толщиной 0,1—1,0 мкм. [c.41]

Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования субмикронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком электронов, которая ограничивает скорость всего процесса производства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов в остальных слоях применять фотолитографию. Для такой комбинации литографических приемов используется термин смешанная (гибридная) литография [68]. Комбинация может включать и рентгеновскую литографию с фотолитографией. Основной проблемой смешанной литографии является достижение качественного совмеш,ения. Принципиально эта проблема может быть решена, поэтому смешанная литография является перспективным направлением развития технологии производства микроэлектронных приборов [69]. [c.44]

Существует симбатность между чувствительностью резистов при электронной и рентгеновской литографии (рис, VII. 27). Рентгеновские спектры поглощения могут быть рассчитаны из табличных значений атомных коэффициентов поглощения и эмпирическим [c.264]

Для усовершенствованной рентгеновской литографии описано применение высокочувствительных новолачных резистов с использованием тех же средств проявления, что и для оптической и электроннолучевой литографии [137]. [c.266]

Поскольку выбор материалов для однослойной системы существенно ограничен взаимоисключающими требованиями, дальнейшее улучшение чувствительности этих систем будет зависеть от создания новых материалов. Ограничение влияния стоячей волны при фотолитографии, эффекта близости в электронной литографии, косого профиля в рентгеновской литографии или малого пробега ионов в ионной литографии возможно только при использовании МСР [29]. Наиболее перспективными представляются двухслойные системы, хотя трехслойные системы и более универсальны, до сих пор неизвестно, будут ли высокие затраты на их создание окупаться стоимостью конечных изделий. [c.278]

Рис. I. 21. Схема рентгеновского литографа

Изготовление джозефсоновских контактов и сквидов методами вакуумного напыления и электронной или рентгеновской литографии требует очень совершенного технологического оборудования и высокой культуры производства, характерных для микроэлектронной промышленности. Это, ко всему прочему, еще и весьма дорогостоящее производство. С другой стороны, описанный процесс изготовления контактов вполне пригоден для массового выпуска сквидов - например, на стандартной кремниевой пластине ( модуле ) в одном процессе можно получить сразу до 100 сквидов. Кроме того, вся инфраструктура микроэлектронной технологии уже существует, поэтому не требуется больших капитальных затрат. Это означает, что уже в недалеком будущем сквид перестанет быть достоянием небольшого числа лабораторий и широко войдет в практику самых разнообразных исследований методами сквид-магнитометрии, как в технике, так и в биологии. [c.15]

Наиболее узким местом всей системы рентгеновской литографии является маска [57]. Мембрана, имеющая рисунок микросхемы в виде слоя рентгеновского абсорбента, должна быть очень тонксй, сделанной из материала с низким атомным номером для сведения к минимуму абсорбции рентгеновского излучения, и одновременно должна обладать достаточной механической прочностью, чтобы сохранять все элементы рисунка. В большинстве случаев мембрана натянута на твердом ровном кольце, коэффициент термического расширения которого такой же, как и у кремния (см. рис. 1.22) Необходимо корректировать расстояние между маской и пластиной в зависимости от температуры, так как абсорбционный материал, образующий маску, и кремниевая пластина могут иметь разные коэффициенты термического расширения [58]. [c.41]

В больщинстве случаев резисты, созданные для электронной литографии, ие удовлетворяют требованиям, предъявляемым к резистам для рентгеновской литографии. В 1977 г. Тейлор описал [пат. США 4061829] хлор- и бромсодержащие полимерные негативные ре-зисты для рентгеновской литографии. % [c.265]

Сверхпроводящий мостик. Мостики принципиально отличны от туннельных контактов, хотя технологические приемы их изготовления очень схожи - это та же техника вакуумного напыления с электронной (или рентгеновской) литографией. Мостик по сути своей — всего-навсего очень тонкий перешеек между двумя массивными берегами сверхпроводника (рис, 26). Важно то, что размер этого перешейка должен быть близок к длине когерентности о, т.е. около 0,1 мкм. Это и требует применения сложных литографических методик. Иногда альтернативой литографии может служить внешне примитивный метод процарапывания , т.е. комбинация напьшения с нанесением царапин, разделяющих берега перехода, хотя этот способ, видимо, годится лишь для лабораторного, но отнюдь не серийного изготовления контактов. Исследование свойств мостиков пока- [c.14]

В конце 70-х годов проводятся исследования и разработка электронно-литографического оборудования. Установка электронной проекционной литографии Вертикаль явилась первой отечественной промышленной установкой этого класса оборудования. Позднее в 80-х годах развертываются работы по исследованию и разработке оборудования ионной и рентгеновской литографии, позволяющих перейти к формированию структур СБИС с размерами элементов около 1 мкм. В это же время выполняются разработки компактного источника синхро-тронного рентгеновского излучения (СРИ) с диаметром накопительного кольца 2,2 м и 21 каналом вывода СРИ. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология