Сверхбольшие интегральные схем

Вакуумные технологии стали определяющими во всем цикле изготовления интегральных схем (ИС). Получение сверхчистых металлов и полупроводниковых материалов, выращивание ленточных монокристаллов, молекулярно-лучевая эпитаксия, получение тонких пленок полупроводниковых материалов и металлов, ионно-плазменное и плазмохимическое травление рабочих материалов, ионная имплантация, радиационная обработка, электронная и ионная литография и другие -далеко не полный перечень вакуумных процессов в технологии производства ИС. Из примерно 200 операций современной технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) 160 осуществляют в вакууме. [c.10]

Нанесение резиста на подложку является важнейшей операцией. Ее цель — получить однородный слой с хорошей адгезией к поверхности и не имеющий дефектов. Допустимая погрешность толщины слоя резиста в производстве больших и сверхбольших интегральных схем составляет 0,015 мкм, в производстве офсетных форм в полиграфии 1 мкм. В этих пределах можно получить как воспроизводимые размеры линий, так и воспроизводимое время проявления. При создании слоя резиста учитывают противоположные требования толщина слоя резиста должна была бы быть как можно большей для сохранения целостности покрытия и уменьшения пористости. С другой стороны, для обеспечения высокой разрешающей способности толщина резиста должна быть как можно меньше. [c.17]

В контактном методе шаблон максимально приближен к поверхности слоя резиста (рис. 1.3). В бесконтактном методе ( контактная печать с зазором ) между слоем резиста и маской остается зазор. В проекционном методе плоскости шаблона и слоя резиста оптически сопряжены с помощью проекционной системы (объектива). Первые два метода находят применение вследствие относительно низкой цены аппаратуры и простоты работы, возможности экспонирования больших площадей, что обеспечивает высокоэффективные групповые методы обработки изделий. Эти методы используют и в производстве сверхбольших интегральных схем для запоминающих устройств [22]. Проекционный метод более производителен и надежен, дает меньшую плотность дефектов и поэтому также широко используется в микроэлектронике. Существует ряд способов проекции, важнейшими из которых являются проекция в масштабе 1 1, сканирующий перенос щелью в масштабе 1 1, мультипликация (фотоповторение) в масштабах 1 1, 1 10 и др. [23, 24]. [c.23]

Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования субмикронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком электронов, которая ограничивает скорость всего процесса производства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов в остальных слоях применять фотолитографию. Для такой комбинации литографических приемов используется термин смешанная (гибридная) литография [68]. Комбинация может включать и рентгеновскую литографию с фотолитографией. Основной проблемой смешанной литографии является достижение качественного совмеш,ения. Принципиально эта проблема может быть решена, поэтому смешанная литография является перспективным направлением развития технологии производства микроэлектронных приборов [69]. [c.44]

Сейчас полупроводниковая техника находится на уровне производства, соответствующем 64 кбит разрабатываются микро ЭВМ, в которых на кремниевой пластине размером не более кончика пальца умещается до нескольких сотен тысяч транзисторов. В недалеком будущем предполагается перейти на уровень 1 Мбит. В развитие та ких сверхбольших интегральных схем (СБИС) огромный вклад сделает прогресс в области химии фтора. [c.232]

Система автоматизированного проектирования. Микросхемы полупроводниковые. Фотошаблоны. Термины, определения и буквенные обозначения Система автоматизированного проектирования. Язык описания логической схемы БИС Организация работ по созданию гибких производственных систем. Основные положения Кристаллы специализированных больших и сверхбольших интегральных схем. Состав и требования к конструкторской документации при автоматизированном проектировании Альбомы рабочих чертежей унифицированных изделий. [c.112]

Развитие микроэлектроники, повышение уровня интеграции элементов на одном кристалле, создание больших и сверхбольших интегральных схем высокой плотности привело к появлению микропроцессоров. Микропроцессор — это одно из основных устройств персональных ЭВМ. [c.20]

На базе разработанных вакуумно-технологических процессов и оборудования для нанесения и травления слоев, ионной имплантации, электронной литографии и новейшей вакуумной техники в 1985 г. была создана первая в стране интегрированная автоматическая линия, предназначенная для изготовления сверхбольших интегральных схем запоминающих устройств на ЦМД. Это был поистине революционный скачок в развитии технологии и техники микроэлектроники. Только через много лет после этого в мировой практике появились установки-кластеры аналогичного назначения. [c.12]

В качестве управляемых Д. используют сегнетоэлектрики (титанат бария, ниобат лития, сегнетокерамика и др ). В микроэлектоонных устройствах на полупроводниках, в частности больших и сверхбольших интегральных схемах на кремнии и арсениде галлия, используются в качестве как пассивных, так и активных элементов тонкие (0,002-2,0 мкм) аморфные диэлектрич. пленки ЗгОз, SIзN4, бор- и фосфорсиликатных стекол. Перспективными являются диэлектрич. пленки оксида алюминия, нитридов бора и галлия. [c.109]

Для оценки практического приложения НСС укажем ее технологические характеристики (проект "Выбору, максимальное число иерархических слоев 40, число N-элементов в слое до 10 покрываемое НСС ИП, определяемые как сумма ИП смежных слоев, ИПндс 10 8 Образов производительность аппаратной реализации НСС 10 -Ю S-образов/с занимаемый объем - 1м (включая устройства ввода-вывода одномерного и двумерного информационных потоков -"речь-ухо" и "рука-изображение"). Элементная база и технологии сверхбольших интегральных схем (СБИС) - отечественные. [c.105]

Ионы металлов, входящие в состав проявителя, могут адсорбироваться на поверхности подложки и при последующей термодиффузин примесей в подложку вызывать дефекты полупроводниковых структур. Для сверхбольших интегральных схем отрицательное влияние удерживания подвижных нонов металлов особенно велико и повышается с ростом плотности элементов схемы. Поэтому необходнмо, чтобы максимальное содержание ионов Na+ и К в резисте составляло 0,2—5 млн . Поскольку проявление позитивных резистов проводится растворами щелочей, требуется хорошая промывка подложки после проявления. Заметна тенденция использовать растворители, не содержащие ионов металлов, и для проявления позитивных резистов, так как прн этом меньше вносится всевозможных загрязнений. Примером таких проявителей могут служить MF-314 Shipley, а также системы на основе водных растворов аминов [2] и смесей этаноламинов с глицерином [79]. [c.51]

Это лишь несколько примеров систем сбора данных на основе микрокомпьютеров. К сожалению, использование сверхбольших интегральных схем в обычном измерительном оборудовании не обходится без проблем. Так, например, Вонсиевич [73] пишет ...говоря, автоматизированная лаборатория , мы представляли себе следующее ЭВМ управляет работой приборов, осуществляет сбор данных, проводит их анализ и выдает его результаты. Экспериментатор, которому, наконец, удалось ос- [c.231]

Переход к машинам четвертого поколения произошел в 70-е годы. Установить более четкие границы трудно, так как переход к БИС происходил неодновременно для различных устройств ЭВМ и машин разных классов (их требования к характеристикам БИС существенно различались), В оперативной памяти БИС стали использоваться раньше, чем в арифметических и логических устройствах. В первой половине 70-х годов на одном кристалле кремния формируются модули памяти (со схемами управления) емкостью от 1 до 4 тыс. бит, а во второй половине 70-х годов — от 8 до 16 тыс. бит. Благодаря БИС в начале 70-х годов создается новый класс ЭВМ — мяк-роЭВМ в середине 70-х годов БИС используются в мини-ЭВМ, а во второй половине —в системах высокого класса. Если критерием перехода к новому поколению машин считать его доминирующее положение в мировом выпуске ЭВМ (оценивая последний не только по числу машин, но и по их производительности), то период машин четвертого поколения начинается только с конца 70-х годов. Одновременно закладываются технологические основы нового, уже пятого по счету поколения — машин на сверхбольших интегральных схемах, типичный уровень сложности которых составляет порядка миллиона элементарных схем в одном кристалле полупроводника (кремния или, возможно, арсенида галлия). [c.138]

В последние годы роль границ зфен и межфазных границ выдвигается на пфвый план в материалах новой техники, в частности в материалах тсижопленочной металлизации для элшштной базы сверхбольших интегральных схем. [c.9]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология