К вопросу о псевдоморфизме при эпитаксии

К вопросу о псевдоморфизме при эпитаксии [c.220]

Новые идеи, выдвинутые в это время Финчем и Квореллом на основании своих экспериментальных результатов, заключались в признании псевдоморфизма плоскости срастания , т. е., другими словами, образования первоначального слоя осадка с решеткой, соответствующей по величине параметров решетке подложки. Представления о поверхностном псевдоморфизме при эпитаксии получили очень широкое распространение несмотря на совершенно недостаточный экспериментальный материал. На основании этих представлений были выдвинуты принципы и построены теории ориентированной кристаллизации (в частности, теория Франка и Ван-дер-Мерве). Последующее экспериментальное изучение процесса заставило, однако, полностью пересмотреть первоначальную точку зрения о поверхностном псевдоморфизме и отказаться от представлений об изменении параметров решеток в тонких кристаллических пленках осадков. В этом вопросе большую роль сыграли работы Лукаса, Райзера, Шишакова, Ньюмена, Пэшли и других авторов. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология