ТОНКИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ПОЛЕ

Тонкие взаимодействия и кристаллическое поле [c.391]

В настоящее время нет количественных данных по относительным величинам взаимодействия с кристаллическим полем лантанидов и актинидов, но большое число работ по спектроскопии твердых соединений этих элементов даст эти сведения в ближайшем будущем. Эта информация может представить удовлетворительное объяснение некоторым из наиболее тонких различий в химии элементов этих двух серий. [c.122]

Все сказанное относится к сверхтонкой структуре спектра. Тонкая структура возникает в кристаллах вследствие анизотропии gf-фактора. При суммарном электронном спине, большем /г. зеемановские уровни перестают быть эквидистантными, спектр меняется из-за спин-орбитального взаимодействия. Вместо одной линии наблюдается группа линий, положения и интенсивность которых зависят от ориентации поля Но относительно кристаллических осей. В жидкостях и растворах тонкая структура не разрешается, имеется лишь некоторое уширение линии. [c.343]

Движение адсорбированной воды под действием электрического поля может привести к коррозии подложки. Возможные механизмы могут включать активные материалы, увеличивающие образование новых соединений на поверхности, предпочтительное растворение одной составляющей подложки или полное растворение с непрерывным очищением свежего материала [57]. Вредными также могут оказываться и другие атмосферные газы, кроме паров воды, которые воздействуют, в основном, на стекла. Например, щелочные ионы, образованные во влажных условиях, могут взаимодействовать с углекислым газом или двуокисью серы. Получающиеся кристаллические карбонаты и сульфаты отрицательно влияют на адгезию и стабильность пленки и должны быть обязательно удалены перед ее осаждением. Ввиду большого практического значения стабильности подложек часто пытаются определить срок службы стекол посредством ускоренных лабораторных испытаний в атмосферных условиях. Однако результаты имеют тенденцию быть специфическими для выбранных условий и не всегда позволяют экстраполяцию к условиям, предполагаемым при фактическом использовании. При подготовке к осаждению тонких пленок [c.523]

Условия (5.4) и (5.5) означают, что в кубических кристаллах нет взаимодействия между поперечными электромагнитными и продольными упругими волнами. Это правильно лишь тогда, когда верна исходная предпосылка расчета, т. е. реальный кристалл можно рассматривать как периодически повторяющийся элемент бесконечного кристалла. Из-за сильного же поглощения обычно приходится пользоваться очень тонкими кристаллическими пластинками. В этом случае возможно взаимодействие продольного полярного колебания с электромагнитным полем (практически однородным по толщине пластинки) при не равном нулю угле падения (гл. 11, 4, а). [c.211]

Приведенные выше пп. 1 и 3 относятся к сравнению структур свободных молекул и молекул в кристалле. Вбзможно, они дают наиболее непосредственную информацию, поскольку структура свободной молекулы определяется исключительно внутримолекулярными взаимодействиями. Таким образом, любое надежно установленное различие содержит информацию о действии кристаллического поля на структуру молекулы. Однако перед обсуждением более тонких структурных различий в молекулярных кристаллах по сравнению со свободными молекулами следует указать на ряд существенных различий между ионными кристаллами и соответствующими молекулами в газе. [c.470]

Спектр электронного парамагнитного резонанса описывается спиновым гамильтонианом, отражающим все взаимодействия, которые испытывают неспаренные электроны в кристалле взаимодействие с внешним магнитным нолем, кристаллическим полем (эти члены дают тонкую структуру спектра), с ядерными моментами соседних ионов (суперсверхтонкая структура). [c.6]

В реальных ферромагнитных вешествах этот тонкий энергетический баланс уменьшения дипольной энергии и увеличения обменной энергии на гранипах доменов приводит к достаточно сложной доменной структуре, и под действием даже малых внешних магнитных полей размеры доменов и ориентапия намагниченности в них могут изменяться сушественным образом. Кроме того, в кристаллах при взаимодействии магнитных ионов с кристаллическим полем энергия спинов зависит не только от их взаимной ориентапии, но и от ориентапии относительно кристаллографиче- [c.294]