Эпитаксия

Эпитаксия - направленный рост кристаллов одного вещества на подложке другого. [c.408]

Матричным синтезом было положено начало конструированию и сборке молекул любой сложности. Однако, чтобы перейти к синтезу твердого тела, необходимо использовать матрицу не для роста на ней синтезируемой цепи, а для сборки структурных единиц в монослои — двухмерные структуры, а затем и для сборки системы монослоев — трехмерной структуры. Если первая операция была подготовлена теорией и практикой сорбции, то последняя может исходить из результатов изучения эпитаксии. [c.193]

Образование твердого зародыша облегчается присутствием твердой фазы [см. уравнение (62.5)] и притом тем значительнее, чем меньше величина 012 на границе имеющейся и вновь образующейся фаз. Таким образом, появление кристаллического зародыша облегчается при эпитаксии (структурном соответствии) обеих фаз. [c.315]

Рис. 88. Схема установки (а) и температурный профиль печи (б) для иодидной эпитаксии германия (ампульный метод)

Мы кратко рассмотрели принцип действия р—п-перехода в гомогенном по составу полупроводнике. Дальнейшие исследования [20, с. 61 ] показали, что многие свойства полупроводниковых приборов можно улучшить, используя так называемые гетеропереходы — контакты двух различных по химическому составу полупроводников. Энергетическая зонная модель и инжекционные свойства гетероперехода, а также область применения его определяются опять же условиями изготовления. Успехи в этой области связаны прежде всего с успехами физико-химии и технологии эпитаксиального выращивания кристаллов. Среди большого числа различных методов эпитаксиального роста полупроводниковых кристаллов широкое распространение получил метод жидкостной эпитаксии [21 ]. Он стал основным при изготовлении многих важных полупроводниковых приборов [20, с. 61 и 92]. [c.464]

Эпитаксия—образование ориентированного кристалла иа гранях кристалла другого вещества (см. гл. X). [c.464]

Учитывая современные требования и возможности науки и техники, разработан ряд компьютерных информационно-расчетных программ, позволяющих моделировать основные технологические процессы получения полупроводниковых материалов(такие как процессы зонной плавки, эпитаксии и др.). Эти программы могут быть использованы как для научно-технических расчетов, так и в учебном процессе. [c.159]

К данному виду относятся графиты МПГ-6 и МПГ-8, подвергнутые очистке и дегазации в вакууме с последующим поверхностным уплотнением пироуглеродом. Материалам присвоены марки МПГ-бу и МПГ-8у. Изделия (нагреватели, диски, лодочки и др.) используются при получении пленок кремния методом газовой эпитаксии. [c.57]

Действительно, концентрация насыщения раствора при неизменной дисперсности минерала (влияние упругой деформации на поверхностную энергию пренебрежимо мало) зависит только от температуры, и кратковременное пересыщение в прилегающем тонком слое раствора, вызванное приложенным напряжением вследствие увеличения химического потенциала кристалла, приводит к немедленному обратному осаждению всей растворившейся твердой фазы в виде осадка с ненапряженной решеткой (эпитаксия скажется только на первых моноатомных слоях, что имеет значение для равновесного потенциала металла и скорости растворения минерала в ненасыщенном растворе, но несущественно для минерала в пересыщенном растворе в связи с быстрым образованием толстого слоя осадка). В результате на поверхности кристалла, покрытого этим осадком, восстановится прежнее фазовое равновесие, и влияние напряжений не удастся зафиксировать. Поэтому механохимическое растворение минералов следует изучать в растворах, далеких от насыщения, используя нестационарные кинетические методы. [c.35]

Если с помощью уравнений (16) и (17) рассчитать величины <Уа, то можно обнаружить, что при любых значениях Уд (за исключением случая исчезающе тонких оксидных пленок) получаются значения порядка единиц и десятков мегапаскаль, а в отдельных случаях — до тысяч мегапаскалей. Столь высокие напряжения должны были бы неизбежно вызывать разрушение подложек и оказывать существенное влияние на поверхностное растрескивание, однако в действительности разрушения массивных образцов под действием рассматриваемых напряжений не наблюдается. Факт получения аномально высоких значений при использовании стандартных уравнений для напряжений роста с определенностью свидетельствует о том, что сами эти уравнения недостаточно хорошо описывают реальные системы. При высоких температурах может происходить аккомодация деформаций, связанных с ростом оксида, путем локализованного пластического течения в сплаве или даже в самом оксиде, что приведет к снижению напряжений в обеих фазах до уровня напряжений пластического течения при данной температуре. Одна из основных причин неадекватности уравнений, описывающих напряжения роста, состоит в том, что в них неявно предполагается когерентность межфазной границы между окислом и металлической подложкой. Это означает, что имеет место либо эпитаксия, либо, по крайней мере, когерентное согласование кристаллических решеток фаз, расположенных по обе стороны границы, причем различия атомных объемов должны быть скомпенсированы за счет согласующихся деформаций и напряжений. Хотя определенная степень когерентного согласования на самых ранних стадиях окисления вполне возможна, все же толстые пленки окалины, кристаллическая структура и химический состав которых так сильно отличается от структуры и состава металлов, скорее всего будут отделяться от подложек некогерентной межфазной границей. В этом случае расчеты оа нельзя проводить с помощью уравнений (16) и (17). В действительности аккомодация даже очень существенных различий атомных объемов должна осуществляться в основном в некогерентной границе, в результате чего напряжения роста как в оксиде, так и в подложке будут невелики. [c.30]

ЭПИТАКСИЯ, ориенти рованная кристаллизация в-ва на пов-сти кристал- [c.711]

Установлено, что структурные единицы легче всего встраиваются в места выхода на поверхность дислокаций. Если это винтовые дислокации, то встраивание идет непрерывно до завершения кристаллизации, причем образуются спиральные ступени роста, часто прямоугольные и очень сложные благодаря наложению друг на друга различных дислокаций. Если кристаллизация происходит на поверхности постороннего кристалла, то энергия взаимодействия структурных единиц с подложкой зависит от структуры и состава последней. При определенных условиях наблюдается эпитаксия. Этот процесс происходит, при некотором подобии кристаллических решеток, путем ориентации плотнеупакованных слоев кристаллизующего вещества и подложки. Имеет также значение соот- [c.152]

В практикуме описаны лабораторные работы по химии и технологии полупроводни ков. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химического ис следования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построенИ Р—7— -диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различны. методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристаллов полу проводниковых соединений, а также зтгакомит с основными технологическими опера днями в производстве полупроводниковых приборов (окисление, диффузия, эпитаксия травление). [c.2]

Такая последовательность операций в планарной технологии полупроводниковых приборов является универсальной и в принципе может быть применена не только для кремния, но и для других полупроводниковых материалов. Только вместо окисления в оби.1ем случае 1готребуется процесс осаждения диэлектрика на поверхность полупроводника, а эпитаксия может осуществляться не только на своем, но и на чужом монокристалле (гетероэпитаксия). [c.100]

Процесс эпитаксии. Эпитаксиальным процессом называется получение монокристаллических полупроводниковых пленок на монокрис-таллической основе, когда растущая пленка ориентирована в том же кристаллографическом направлении, что и подложка. [c.139]

С увеличением навески иода возрастает скорость осаждения эпитакси- [c.146]

Возможно, в образовании таких пространственных структур играет большую роль фактор упрочнения ориентированными цепочками молекул вследствие движения диффузионных потоков и поляризации воды, о котором как об электрическом факторе твердения минеральных вяжущих сообщается в работах [139, 140]. В дальнейшем при интенсивном образовании и выпадении из раствора зародышей кристаллов, их распределении в объеме системы, эпитаксии на негидратированных зернах и адгезионном взаимодействии с частицами песка первоначальная слабая структура упрочняется. [c.102]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

В рамках выполняемой НИР проводятся исследования по получению таких гетероструктур на основе полупроводников А В методами газофазной и жидкофазной эпитаксии. Для случая газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений проанализировано влияние технологических условий ее проведения на концентрационные профили распределения легирующих примесей в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе арсенида галлия и выработаны рекомендации по рационализации технологических режимов, обеспечивающих формирование резких гетерограниц. Исследовано влияние упругих напряжений на сегрегационные явления при формировании гетероструктур на основе (А1)1пОаА8/ОаАз с одиночными и множественными квантовыми ямами, предназначеннь[х для изготовления излучающих и фотоприемных устройств. Предложена расчетная модель для описания наблюдаемых явлений. Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными позволяет сделать вывод о существенном вкладе упругой составляющей в суммарную свободную энергию системы в гетороструктурах с докритиче-ской толщиной эпитаксиальных слоев. [c.157]

Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные гетероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Яп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев 25-30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [c.157]

На примере антимонида галлия изучены особенности сложного (примесями РЗМ и элементами II и IV групп) легирования соединений А В при формировании гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Установлены зависимости спектров фотолюминесценции от изменения [c.157]

Были изучены и оптимизированы процессы кристаллизации и сенсибилизации гетероконтактных Т-кристаллов А Вг с угловыми эпитаксами А С1 [3]. Показано, что полученные гетероконтактные системы обладают двукратным преимуществом в светочувствительности, по сравнению с традиционными Т- кристаллами А Вг. [c.95]

На основании проведенных исследований можно заключить, что использование в фотографической технологии гетероконтактных систем в виде Т- кристаллов AgBr с угловыми эпитаксами А С1, имеет несомненные преимущества, по сравнению с обычными Т-кристаллами А Вг. К этим преимуществам относятся повышенная светочувствительность (в 2 раза), меньшая продолжительность ХС (в 3 раза), меньшее количество сенсибилизатора (в 10 раз) для достижения оптимальных сенситометрических характеристик (см. рис.З). [c.95]

К. прои.чводится в кристаллизаторах и м. б. непрерывной (при прои.чводительности не менее 0,5 т/сут) или периодической. Наиб, распространена К. при охлаждении р-рон н непрерывном нх перемешивании (рис. 1). К. тгри испарении р-рителя осуществляется в вакуум-кристаллизаторах (рис. 2). К. из расплавов часто производят в барабанных кристаллизаторах со съемом осадка с помощью ножей (рис.З). Об ориентированной К. в-ва на иов-сти кристалла-подложки см. Эпитаксия. [c.287]

Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме ( 0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Hj. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Аг, Не, N,) или Hj либо в вакууме ( 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10 Па с послед, осаждением на нагретую до 400-500 °С Подложку) методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме 10 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. а. полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности. [c.230]

Физика и химия твердого состояния (1978) -- [ c.464 ]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.711 ]

Экспериментальные методы в химии полимеров - часть 2 (1983) -- [ c.2 , c.94 ]

Неорганические люминофоры (1975) -- [ c.147 ]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.42 ]

Экспериментальные методы в химии полимеров Ч.2 (1983) -- [ c.2 , c.94 ]

Выращивание кристаллов из растворов Изд.2 (1983) -- [ c.54 ]

Высокомолекулярные соединения (1981) -- [ c.440 ]

Основы адгезии полимеров (1974) -- [ c.140 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.711 ]

Водородная связь (1964) -- [ c.0 ]

Энциклопедия полимеров Том 3 (1977) -- [ c.0 ]

Энциклопедия полимеров том 1 (1972) -- [ c.0 ]

Энциклопедия полимеров Том 1 (1974) -- [ c.0 ]

Энциклопедия полимеров Том 3 (1977) -- [ c.0 ]

Возможности химии сегодня и завтра (1992) -- [ c.91 ]

Физика макромолекул Том 2 (1979) -- [ c.59 , c.66 , c.72 , c.84 , c.356 , c.363 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.336 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.260 , c.261 ]

Кристаллография (1976) -- [ c.374 ]

Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.99 , c.103 , c.115 ]

Кинетика гетерогенных процессов (1976) -- [ c.116 , c.139 ]

Стереодифференцирующие реакции (1979) -- [ c.138 ]

Химия и технология ферритов (1983) -- [ c.167 ]

Новейшие методы исследования полимеров (1966) -- [ c.249 ]

Коррозия (1981) -- [ c.341 ]

Краткая химическая энциклопедия Том 2 (1963) -- [ c.0 ]

Высокомолекулярные соединения Издание 3 (1981) -- [ c.440 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология