Зависимость ширины области гомогенности от температуры

Зависимость ширины области гомогенности от температуры [c.483]

Высокие потенциальные барьеры в координационных кристаллах, что при значительной зависимости ширины области гомогенности от температуры (как следствие хода О -кривой, рис. VH.IO) влечет за собой при разных режимах охлаждения и закалки разные значения X однофазной области. [c.492]

Состав твердого раствора термоэлектрического материала обычно подбирается таким образом, чтобы можно было получить максимальное значение отношения подвижности к теплопроводности решетки. Однако зависимость этого отношения от состава, как правило, довольно слабая. Изменяя составы твердого раствора, можно достичь попутно и других целей, например увеличить ширину запрещенной зоны, оптимизировать эффективную массу, сдвинуть область гомогенности твердого раствора с целью упрощения получения оптимальных для данных температур концентраций носителей заряда. [c.73]

Зависимость изменения подвижности носителей тока от температуры обработки неграфитирующихся материалов носит иной характер. Данные расчетной подвижности и концентрации носителей тока для сахарного кокса приведены на рис. 6 и 7 (2). Зависимость и = I ( обр) указывает на то, что подвижность носителей тока линейно растет с повышением температуры обработки во всем интервале от 1300 до 2700° С, однако величина подвижности неграфитирующегося материала мала и составляет 3—10 см 1сек-в Максимальная подвижность носителей тока неграфитирующегося материала в несколько раз меньше подвижности гомогенно графитирующегося материала. Концентрация носителей тока снижается (рис. 7, 2) в области температур обработки 1000—1700° С, а затем мало меняется вплоть до высоких температур (2700° С). Отсутствие-максимума термо-э.д.с. на кривой зависимости а = f ( обр) в области температур порядка 2000° С указывает на то, что характер проводимости не изменяется. Носители тока в валентной зоне при комнатной температуре находятся в вырожденном состоянии, и вырождение не снимается даже при температурах обработки 2700° С, тогда как для гомогенно графитирующихся материалов вырождение снимается при температурах обработки выше 2200° С. Для неграфитирующегося материала во всем интервале температур обработки (1300—2700° С) ширина запрещенной зоны АЕ кТ и при комнатной температуре концентрация носителей тока — Пр Р определяется концентрацией носителей (Р) в. материале после термической обработки. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология