Температурная зависимость интенсивности радикалолюминесценции

Таким образом, исследование температурной зависимости интенсивности радикалолюминесценции позволяет сделать вывод о согласии полученных экспериментальных данных с выдвинутыми теоретическими представлениями. [c.153]

Полученные результаты показывают, что интенсивность радикалолюминесценции окиси цинка обнаруживает, в отличие от фотолюминесценции, максимум при температуре около 100°С (рис. 59). Следует заметить, что при наличии в спектре радикалолюминесценции дополнительной полосы температурная зависимость интенсивности в этой полосе также имеет иногда мак- [c.150]

Воспользовавшись температурной зависимостью фотолюминесценции, можно учесть изменение интенсивности радикалолюминесценции, обусловленное уменьшением вероятности излучательных переходов. Для этого при каждой температуре надо взять отношение интенсивностей радикало- и фотолюминесцен ции. Полученную таким образом величину [c.151]

На рис. 61 дана температурная зависимость приведенной интенсивности радикалолюминесценции пленки окиси цинка при возбуждении радикалами, [c.151]

Среднее значение и, вычисленное на основе экспериментальных данных по температурной зависимости приведенной интенсивности радикалолюминесценции ZnO, оказалось равным 0,45 эв. Этот результат находится в хорошем согласии со спектроскопическими данными Эйшенса и сотрудников [69], обнаруживших пик 0,432 эв в спектре поглощения, который они приписали водороду, хемосорбированному на кислороде окиси цинка (донорная связь) и связали с электрон-цыми переходами [c.152]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология