Спектры радикалолюминесценции

Появление фотолюминесценции у прокаленного не-люминесцирующего силикагеля после смачивания его водой наблюдала также Н. Е. Веденеева [46]. Интенсивность и вид спектра сильно зависели от температуры. Автор связывает наблюдаемую люминесценцию с поверхностными группами ОН. Появление дополнительной полосы отмечалось также в работе Ф. И. Вергунас и Г. А. Коновалова [47], наблюдавших в случае мелкодисперсной окиси цинка появление дополнительной полосы у 414—430 нм. В некоторых с случаях наблюдалась дополнительная полоса у 480 нм [48]. Ниже будет описано появление новых полос в спектрах радикалолюминесценции (по сравнению со спектрами фотолюминесценции). [c.33]

Этот аргумент показывает, что авторы недопоняли наш механизм, полагая, что, согласно этому механизму, центрами свечения являются не атомы активатора, а локальные уровни хемосорбированных частиц. В действительности же последним мы отводим роль лишь поставщиков (в результате процессов адсорбции и рекомбинации) свободных электронов и дырок, которые переносят энергию рекомбинации к атомам активатора. За основные полосы люминесценции, по нашему мнению, при возбуждении радикалами ответственными являются те же центры, которые отвечают за свечение в случае фотолюминесценции, поэтому совпадение основных полос спектров фото-и радикалолюминесценции с точки зрения нашего механизма является закономерным. Уровни хемосорбированных частиц, как будет указано ниже, по-видимому, можно рассматривать как центры свечения, обусловливающие появление в спектре радикалолюминесценции дополнительных по сравнению со спектрами фотолЮ минесценции полос. [c.113]

Установка (рис. 38) предназначена для возбуждения и регистрации спектров радикалолюминесценции порошков, пленок и монокристаллов в широком [c.123]

Экспериментальные наблюдения спектров радикалолюминесценции (независимо от метода получения радикалов) показывают, что в спектрах радикалолюминесценции наблюдаются те же полосы, что и в спектрах других видов люминесценции (например, при фотовозбуждении, возбуждении катодными лучами и т. д.) [68, 83, 86, 87, 92, 93, 148, 172, 188]. [c.127]

Доводами, подтверждающими предлагаемый механизм появления дополнительной полосы в спектре радикалолюминесценции, служат [c.130]

Отмечается также четко выраженная зависимость спектров радикалолюминесценции от времени экспозиции, т. е. от времени действия на люминофор свободных атомов и радикалов, вызывающих люминесценцию. На рис. 48 по данным Сансайера [149] при- [c.134]

Полученные результаты показывают, что интенсивность радикалолюминесценции окиси цинка обнаруживает, в отличие от фотолюминесценции, максимум при температуре около 100°С (рис. 59). Следует заметить, что при наличии в спектре радикалолюминесценции дополнительной полосы температурная зависимость интенсивности в этой полосе также имеет иногда мак- [c.150]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология