Дефекты строения Вагнера

Несмотря на отсутствие детальных сведений о строении поверхностного слоя, можно тем не менее установить качественную связь между природой структурных дефектов в окисле-полупроводнике и его каталитическими или адсорбционными свойствами. Так, свойства полупроводника можно модифицировать, добавляя определенные количества примесей. Если предположить, что, по крайней мере качественно, свойства образца в объеме и на поверхности меняются в одном и том же направлении, то, сравнивая окислы, приготовленные разными способами, можно выявить некоторые тенденции, интересные в связи с той или иной поверхностной реакцией. Впервые этот метод применил Вагнер [27], а затем он был разработан одним из авторов данной статьи [28, 28а]. [c.65]

Изучение причин влияния свободных электронов на каталитическую активность полупроводниковых катализаторов в настоящее время составляет один из важнейших предметов исследования в гетерогенном катализе. В 1936 г. Вагнер и Хауффе [3] начали изучение гетерогенно-каталитического разложения N2O и окисления СО на катализаторах NiO и СиО. С помощью измерений электропроводности удалось показать роль свободных электронов в этих каталитических реакциях. Позднее Вагнер [4] изучил разложение N2O на чистой окиси цинка и на окиси цинка, содержащей малые добавки ОзгОз. Доуден [5] дал обзор предшествующих работ и указал на существование параллелизма между активностью катализаторов-полупроводников р- и л-типа и строением их электронных дефектов. На основе работ Андерсона [6] и Гарнера с сотрудниками [7] Доуден, используя упрощенную зонную теорию полупроводников, предложил механизм газовых и электронных реакций на поверхности катализаторов. Однако трактовка носит качественный характер и еще недостаточно разработана, чтобы вывести из нее конкретный механизм реакции. Работая в этой же области, Гарнер с сотрудниками [8] получили ряд интересных сведений, касающихся механизма процессов адсорбции и десорбции. К их работам мы еще вернемся. [c.243]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология