Зародыш кристаллический одномерный

Теория послойного роста кристалла исходит из различной вероятности присоединения частиц к разным участкам кристаллической решетки. Неодинаковое пересыщение раствора у этих участков на грани кристалла способствует образованию двухмерных зародышей с последующим присоединением к ним одномерных зародышей и отдельных ионов (молекул). Это приводит к разрастанию зародыша по всей грани и к послойному ее росту — каждый новый слой образуется после завершения роста предыдущего слоя. Края незавершенных слоев — ступени — движутся при росте вдоль грани. Это так называемый тангенциальный рост, скорость которого значительно больше нормальной скорости роста [210]. [c.245]

Идеальный кристаллический зародыш в фазе с т. п. характеризуется, таким образом, величиной (л, представляющей собой среднее значение т. п. 1) строительных элементов каждой из имеющихся плоскостей решетки-, 2) строительных элементов каждого края двумерного зародыша на этих плоскостях решетки-, 3) величины т. п. углового строительного элемента одномерного зародыша (И. П. Странский и Р. Каишев [71]). [c.106]

Структура растущей грани кристалла неоднородна (рис. 15.4). На ней, кроме кристаллических плоскостей I, имеются ступени 2 растущего нового двухмерного (атомной тол-шины) слоя металла, а также выступы, 3, образованные растущим вдоль ступени одномерным рядом атомов металла. При нарушении равномерности роста зародыша могут образоваться плоскостные 4 или реберные вакансии 5. [c.303]

Рост зародышей. Образовавшиеся зародыши начинают расти. Принято считать, что рост зародышей может быть одномерным, двумерным или трехмерным. При этом образуются соответственно стержни, диски или сферы. Линейные размеры г растущих кристаллических образований увеличиваются во времени, и полагают, что [c.110]

При достаточно больших г (или к), как видно, из рис. 29, п = 1. При этом на кинетических кривых часто отсутствует индукционный период. Случай, при котором п = 1, соответствует одномерному росту кристаллов на готовых зародышах или зародышеобразованию без роста (см. табл. 1). Можно поэтому полагать что под действием деформации (или напряжения) изменяется морфология кристаллических образований. [c.93]

Несомненно, это был большой успех. Однако на этом этапе предлагаемая теория еще не была свободна от ряда недостатков. Так, из-за невозможности дефинировать термодинамическим путем одномерные и нульмерные зародыши на ее основе не могли быть рассмотрены процессы на кристаллических гранях, растущих без необходимости образования двумерных зародышей. Кроме того, предэкспоненциальные множители в ее формулах оставались неопределенными, что придавало ей полуколичествен- [c.4]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология