Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Зародыш двумерный, образование его

    При электролитическом осаждении металлов скорость реакции определяется вероятностью возникновения центров кристаллизации, которая тем больше, чем больше величина перенапряжения. Прямолинейный характер зависимости 1п I от 1/г] доказывает, что затруднения всего процесса обусловлены замедленностью стадии образования трехмерных зародышей. Такая зависимость была получена при выделении некоторых металлов на монокристаллах. После возникновения трехмерных зародышей рост металлической фазы происходит в условиях повторяющегося шага прикреплением новых структурных элементов в местах, энергетически наиболее выгодных, а скорость роста определяется энергией, необходимой для образования двумерного зародыша. Для этого случая характерна прямолинейность зависимости 1п I от 1/т]. [c.137]


    Рассмотрим процесс катодного осаждения металла на идеально гладкой поверхности электрода. М. Фольмер и Т. Эрдей-Груз высказали предположение о том, что в этих условиях медленной стадией выделения металла является стадия образования кристаллических трехмерных или двумерных зародышей на поверхности электрода. Под двумерными зародышами понимают образования, имеющие толщину одного атомного слоя. Предполагалось, что двумерный зародыш, разрастаясь, заполняет всю поверхность, затем на образовавшемся слое возникает новый двумерный зародыш и т. д. [c.313]

    Лз —энергия образования зародыша (двумерного, трехмерного). [c.5]

    Если несколько частиц адсорбируется в соседних позициях, то образованный ими островок может оказаться стабильным и дать начало новому слою. Эти островки называются двумерными зародышами. Закономерности образования двумерных и трехмерных зародышей в объеме раствора ( 1.4) аналогичны. [c.36]

    При этом предполагается, что единственно возможная толщина двумерных зародышей равна межатомному расстоянию в кристалле, и в слое л идкости, находящемся на расстоянии, большем чем а от перемещающейся грани, никаких изменений не происходит. В действительности же за время Тож на уже существующих двумерных образованиях могут появиться новые и, таким образом, возникнет переходная область между кристаллом и жидкостью. Процесс в каждом слое этой области связан с тем, что происходит в лежащих под ним слоях. Ниже описывается попытка учета влияния процесса кристаллизации в первом слое на зарождение двумерных зародышей во втором, прилегающем к нему. [c.174]

    В главе XV были рассмотрены выражения для работы образования трехмерных зародышей новых фаз. Приведем аналогичные выражения для двумерных зародышей. Рассмотрим образование новой фазы на плоской поверхности при постоянстве энтропии и массы системы, внешнего давления и величины поверхности. Для начального двумерно-гомогенного состояния имеем [c.368]

    Очевидно, скорость образования зародышей кристаллов пропорциональна вероятности образования трехмерного зародыша, умноженной на вероятность того, что этот зародыш растет. Для случая роста трехмерного кристаллического зародыша вследствие образования и роста на его плоских гранях двумерных равновесных зародышей можно получить выражение для скорости образования центров п (число центров, образующихся в единице объема за 1 с)  [c.132]


    Напомним, что оба параметра (G и N) характеризуют скорость протекания процессов одного типа, а именно зародышеобразования. Скорость вторичного зародышеобразования должна быть выше скорости образования первичных зародышей, если последний процесс происходит во времени. Если вторичные зародыши двумерны, то образование их должно происходить преимущественно на границе раздела фаз. Если же зародыши трехмерны, то напряжения, развивающиеся перед фронтом роста, должны приводить к развитию зародышей именно в этих областях. Если учесть, что G и N определяются сходными по своей природе процессами, то вполне возможно, что обе эти величины связаны с температурой одним и тем же образом, а отношение G/N не зависит от температуры. Вопреки распространенному мнению, что при высоких температурах кристаллизации образуются крупные сферолиты, имеют место случаи, когда G/N, а значит, и размеры сферолитов действительно не зависят от температуры кристаллизации. Отклонения от этой закономерности, очевидно, обусловлены тем, что зародышеобразование перестает быть спорадическим. Если образование зародышей происходит мгновенно, размеры сферолитов не зависят от скорости роста [уравнение (14)]. В этом случае часто наблюдаемое повышение концентрации зародышей при понижении температуры (см., например, табл. 4) определяет соответствующее уменьшение размеров сферолитов. [c.136]

    При построении количественной теории образования трехмерных и двумерных зародышей в процессе электрокристаллизации металлов исходят из представлений о механизме возникновения новой фазы из пересыщенных раствора или пара, согласно которым работа образова- [c.313]

    Так как поверхностная работа твердых тел часто значительно превышает поверхностную работу жидкостей, то наблюдаются существенные количественные различия при образовании жидких и твердых трехмерных зародышей. Большое значение имеет также различие в условиях роста жидкой и твердой фаз. При возникновении жидкой фазы присоединение частиц к образовавшемуся зародышу происходит практически беспрепятственно, тогда как, например, при послойном росте кристалла образование каждого нового слоя требует возникновения двумерного зародыша. [c.315]

    Используя уравнение Нернста и соотношения (62.13) — (62.15), точно таким же способом, как и для трехмерных зародышей, можно показать, что при медленном образовании двумерного зародыша должна наблюдаться линейная зависимость между lg / и 1/т]  [c.316]

    Если поверхность электрода не идеальна, то электрокристаллизация может происходить и без образования двумерных зародышей. Рассмотрим, например, некоторые особенности электрокристаллизации в присутствии винтовых дислокаций, которые часто встречаются в реальных кристаллах. Представим, что кристалл разрезан наполовину, а затем обе половины сдвинуты параллельно разрезу на размер диаметра атома (рис. 172). [c.318]

    При построении количественной теории образования трехмерных и двумерных зародышей в процессе электрокристаллизации металлов М. Фольмер и Т. Эрдей-Груз исходили из представлений о механизме возникновения новой фазы из пересыщенных раствора или пара, согласно которым работа образования зародыша новой фазы тем меньше, чем меньше его размеры. Однако с уменьшением размеров зародыша возрастает химический потенциал слагающего его компонента, поскольку при малых размерах зародыша относительно велико число поверхностных атомов, обладающих повышенной энергией. При образовании новой фазы в равновесных условиях химические потенциалы каждого компонента в обеих фазах должны быть равны. Для выполнения этого условия необходимо повысить химический потенциал компонента в материнской фазе, что достигается при пересыщении раствора или пара по данному компоненту. Пересыщение — главная особенность процесса образования новой фазы. Степень пересыщения и размеры элемента новой фазы, который при этом может возникнуть и служит зародышем для роста больших кристаллов или капель, оказываются взаимосвязанными. Так, при образовании капель жидкости из пересыщенного пара радиус г капли определяется соотношением Томпсона  [c.328]

    Можно показать, что при медленном образовании как жидкого, так и твердого двумерного зародыша должна наблюдаться линейная зависимость между Ig / и 1/т)  [c.331]

    Рассмотрим процесс катодного осаждения металла на идеально гладкой поверхности электрода. М. Фольмер и Т. Эрдей-Груз (1931 г.) высказали предположение о том, что в этих условиях медленной стадией выделения металла является стадия образования кристаллических трехмер11ых или двумерных зародышей на поверхности электрода. Под двумерными зародышами понимают образования, имеющие [c.327]

    Можно считать, что этими наблюдениями доказан слоевой характер отложения плоскостей решетки, даже если мономолеку-лярпые слои не всегда могли быть выявлены. Экспериментальным подтверждением представления о двумерном образовании зародышей служит и тот факт, что для роста кристалла необходимо некоторое конечное пересыщение, в противоположность процессу на жидких каплях, который происходит даже при самом минимальном отклонении от равновесия. [c.116]


    Фазовое перенапряжение, однако, не исчерпывается затоуднениями образования трехмерного и двумерного зародышей. Большие затраты энергии, кроме того, могут быть связаны с частичной или полной дегидратацией иона 5 - 23 ,3  [c.137]

    Исходя из выражения для макоимяльной работы образования двумерного зародыша (36,1), можно получить вероятность разряда нонов с образованием Л вумерных зародышей. [c.91]

    Создание условий, при которых процесс электроосаждения определяется стадией образования двумерных зародышей, оказывается еще более сложной задачей. Для этого необходимо получить бездислока-ционную монокристаллическую грань того металла, электрокристал- [c.317]

Рис. 171. Зависимость lgт образования двумерного зародыша от 1/т) при электроосаждении серебра на бездислокаци-оннои монокристаллической грани серебра Рис. 171. Зависимость lgт образования двумерного зародыша от 1/т) при <a href="/info/66787">электроосаждении серебра</a> на бездислокаци-оннои монокристаллической грани серебра
    Создание условий, при которых процесс электроосаждения определяется стадией образования двумерных зародышей, оказывается еще более сложной задачей. Для этого необходимо получить бездис-локационную монокристаллическую грань того металла, электрокристаллизация которого изучается, и предотвратить возможность медленной диффузии адатомов по поверхности. Условия опыта, в которых процесс электроосаждения металла контролируется скоростью образования двумерного зародыша, были реализованы Р. Каишевым, Е. Будевским и сотр. Для этого в широкую часть стеклянной трубочки, оканчивающейся капилляром, впаивали монокристалл серебра. Затем на монокристаЛл катодно осаждали серебро так, чтобы зарастить [c.332]

Рис. 171. Зависимость Igx образования двумерного зародыша от l/t] ири электроосаждении серебра на беэдислокационной монокристалли-ческой грани серебра (ио данным Е. Булевского и др.) Рис. 171. Зависимость Igx образования двумерного зародыша от l/t] ири <a href="/info/66787">электроосаждении серебра</a> на беэдислокационной монокристалли-ческой <a href="/info/379701">грани серебра</a> (ио данным Е. Булевского и др.)
    М. Фольмер и Т. Эрдей-Груз (1931) высказали предположение, что на идеальной твердой поверхности при катодном осаждении металла медленной является стадия образования кристаллических трехмерных и двумерных (имеющих толщину одного атомного слоя) зародышей и перенапряжение т) связано с работой образования таких зародышей. При медленном образовании трехмерных зародышей долж- [c.207]


Смотреть страницы где упоминается термин Зародыш двумерный, образование его: [c.316]    [c.331]    [c.316]    [c.316]    [c.117]    [c.155]    [c.167]    [c.351]    [c.274]    [c.316]    [c.318]    [c.319]    [c.330]    [c.330]    [c.333]    [c.316]    [c.318]    [c.319]    [c.208]   
Кинетика образования новой фазы (1986) -- [ c.0 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Двумерные

Зародыш

Зародыш двумерный

Образование зародышей



© 2024 chem21.info Реклама на сайте