Скорость роста двойника под нагрузкой

Предполагается, что нагрузка превышает критическую, а скорости распределены согласно (4.18). В результате выражение для определения скорости роста двойника в ограниченном кристалле можно представить в виде [c.112]

Совершенно очевидно, что шютность дислокаций в движущемся скоплении главным образом определяется движущей силой процесса (в случае роста двойника под нагрузкой - это внешнее упругое поле, в случае выхода двойника из кристалла — это сила поверхностного натяжения), а не силой торможения. Чтобы иметь возможность получать количественные закономерности, следует рассматривать тот диапазон скоростей движения двой-ника в котором либо > р (в случае двойника, растущего под воздействием внешнего поля), либо р > р (в случае двойника, выходящего из кристалла под действием сил поверхностного натяжения), Б этом случае система основных уравнений становится линейной и появляется возможность получения информации о движущемся скоплении. Подставляя (4.8) (без учета р ) в (3.57), можно определить у (х, Г), а затем из (3.54) и функцию X ( ). [c.109]

Сравним полученные результаты с зкспериментальными данными Купера [198]. Наблюдавшиеся скорости роста двойника соответствовали таковым, при которых имеет место вязкое торможение дислокаций. На рис. 4.15 отложена теоретическая зависимость безразмерной длины двойника Ь14 от безразмерного времени /г. Точками обозначены экспериментальные данные Купера для случая практически не изменяющейся во времени внешней нагрузки. Рисунок показывает, что соотношение (4.34) правильно описывает кинетику развития упругого двойника в ограниченном кристалле. На основании данных Купера оценим адС/ 10 Н/см, (1 I см, а также, оценивая В 10" Пз, Ь 10 см, получаем, согласно (4.34), для полного времени пробивагая полосы т 10" с. Экспери- [c.112]

Что касается сопоставления данамической теории с экспериментом, то ранее его можно бьшо в основном провести лишь с результатами о "пробивании двойником кристалла в однородном упругом поле [57, 199—202]. Этот процесс протекает с большой скоростью и регистрируется высокоскоростной киносъемкой. В рамках динамической теории удается описать все основные стадии двойникования, в том числе и в случае приложения сосредоточенных нагрузок как для больших, так и для малых скоростей движения двойника, образованного плоским скоплением прямолинейных дислокаций. Определенную информацию об этом можно извлечь из экспериментов [198, 203, 70] на кальците, В [198, 203] изучалась динамика роста двойника под сосредоточенной нагрузкой в расширенном интервале температур. В [70] исследовалась динамика выхода двойника из кристалла. Эти эксперименты проводились над линзовидными двойниками. Большой вклад сил поверхностного натяжения приводил к настолько большим скоростям движения двойника, что он не успевал полностью подстраиваться к изменяющейся нагрузке, так что, по существу, была получена информация лишь о временном характере изменения нагрузки [196]. [c.92]

Динамика роста двойника под сосредоточенной нагрузкой рассмотрена в [224]. Изучение производилось методом скоростной киносъемки на той стадии, когда двойник уже яьлялся макроскопическим скоплением дислокаций на первом же кадре после появления двойника его длина была не меньше 0,05 см. Такой двойник вполне может описываться в терминах динамической теории. Кинокамера СКС-Ш включалась в момент нагружения кристалла, воздействие на кристалл осуществлялось сосредоточенной нагрузкой - шаром небольшого диаметра, а двойник состоял из прямолинейных отрезков двойникующих дислокаций. Максимальные скорости конца двойника составляли порядка 10 см/с. [c.122]

Величина 5 определялась. также путем сопоставления экспериментальных данных о росте двойника под сосредоточенной нагрузкой с соотношением (4.19) в широком диапазоне температур. Результаты измерений представлены на рис. 4.28. Выбор координат диктовался удобством сопоставления с соотношением (4.19). Скорости перемешения кончика двойника в области комнатных температур сравнительно невелики и находятся в области, промежуточной межх термоактивируемым и вязким движе- [c.129]

Отметим, что максимальную АЭ в виде интенсивных импульсов следует ожидать при образовании двойников под сосредоточенной нагрузкой, их вьхходе из кристалла при разгрузке или при превращении упругих двойников в остаточные, т.е. на первых трех начальных стадиях двойникования, тогда как АЭ на четвертой стадии, дающей основной вклад в пластическую деформацию двойникованием, характеризуется сигналами существенно меньшей амплитуды. АЭ при двойниковании велика, поскольку рост двойника, согласно динамической теории, сопровождается непрерывным возникновением новых дислокаций, со сравнительно большой скоростью входящих в кристалл. [c.208]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология