Двойник роста

Выделяют двойниковые границы когерентные и некогерентные. Когерентной граница называется в том случае, если соприкасающиеся решетки двух индивидов двойника обладают общим атомным слоем в противном случае границы некогерентные (рис. 1-4). В случае некогерентной границы вдоль нее имеется деформированная область приспособления . Граница между индивидами двойников роста может представлять собой индукционную поверхность, и вдоль нее могут располагаться включения раствора (например, у двойников винной кислоты). [c.10]

Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате слипания индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают типичный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых посадка частиц при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении. Поэтому двойники развиваются в плоскости срастания по направлению входящих углов. Облик двойниковых кристаллов отличен от монокристаллов, их объем и масса превышают таковые одиночных кристаллов в 1,5—2 раза. [c.60]

Механизм образования двойников роста изучен еще недостаточно, но он должен предусматривать отложение определенных группировок атомов углерода, существующих в пересыщенном растворе в двойниковом положении. Например, тетраэдрическая группировка углеродных атомов может присоединяться к грани (111) алмаза в двух позициях. В одном случае она расположится над октаэдрической пустотой, не нарушая геометрии кубической плотнейшей упаковки, в другом — под гранью заселенного тетраэдра, повернутого на угол 60°, т. е. в двойниковом положении по отношению к первому. В последнем случае и возникает гексагональная плотнейшая упаковка, типичная для двойниковой границы. Энергетическая разница между нормальной и двойниковой конфигурацией алмазной решетки невелика. При этом вероятность образования двойников роста должна возрастать с увеличением пересыщения, поскольку возрастет степень ассоциации атомов углерода в растворе и скорость кристаллизации также должна зависеть от присутствия определенных примесей в среде кристаллизации. [c.392]

В связи с недостаточной изученностью трудно рекомендовать надежные пути борьбы с ними. Поскольку установлено известное сходство в закономерностях расщепления и двойникования, по-видимому, меры борьбы с двойниками сходны с мерами борьбы с расщеплением. Замечено, что двойники образуются реже при малых пересыщениях. Имеются работы, в которых указывается на возникновение двойников роста под действием механических или [c.130]

Полукаров Ю. М., Семенова 3. В. Возникновение двойников роста при электрокристаллизации меди на поверхности грани (111) монокристалла меди.— Электрохимия, 1966, т. 2, вып. 2, с. 184—188. [c.193]

Рис. 64. Двойник роста 2-го порядка с двумя системами непараллельных плоскостей 1001 [211].

Двойники образуются механическим путем или при кристаллизации в результате слипания индивидов в двойниковом положении. Двойники роста приобретают характерный облик, обусловленный наличием входящих углов, в которых при росте кристалла наиболее выгодна в энергетическом отношении посадка частиц. Поэтому двойники развиваются в плоскости срастания по направ-.лению входящих углов. [c.41]

Если два разориентированных участка монокристалла идентичны, но соединены между собой таким образом, что граница блоков представляет зеркальную плоскость симметрии, они образуют двойник. Двойник может быть асимметричным и относительно оси вращения. Известно несколько способов образования двойников. Двойники роста могут возникать при выращивании кристаллов. За счет двойникования могут осуществляться переходы из низкотемпературных в высокотемпературные модификации кристалла и наоборот. Двойники могут образовываться также и при механической обработке кристаллов, например их резании. [c.67]

По происхождению двойники разделяются на двойники роста и механические двойники. Двойники роста образуются путем срастания или взаимного прорастания одиночных кристаллов в процессе роста. Механические двойники образуются под действием механических нагрузок в процессе пластической деформации. [c.371]

Двойниковые кристаллы можно классифицировать по способу их образования. Двойники, образовавшиеся в процессе выращивания, называют двойниками роста. Двойники могут возникать и при механической деформации, например при скольжении одной части кристалла кальцита или нитрата натрия относительно другой по плоскости скольжения. [c.31]

В двойниках один кристаллический агрегат либо повернут относительно другого на 180° вокруг воображаемой прямой, либо связан с ним зеркальной плоскостью. Для двойников роста характерны входящие углы, которых нет в монокристаллах и присутствие которых обусловливает быстрый рост дендритных лент из переохлажденных расплавов (например, производство дендритных лент германия, выращиваемых со скоростью 5—10 см мин) [6]. [c.235]

К двойникам, связь которых с автодеформацией не является очевидной, относят собственно двойники роста и их разновидность — двойники зарождения. К последним причисляют кристаллы, сдвойникованные уже к тому моменту, когда они становятся различимыми в оптический микроскоп. [c.60]

Если одна из двойниковых структур занимает незначительную часть кристалла, ее называют двойниковой прослойкой или включением, остальную часть материнским кристаллом Кртсталл, пронизанный параллельными двойниковыми прослойками называют полисинтетическим двойником. Двойники возникают в процессе роста кристаллов (двойники роста), под действием внешних нагрузок (Механические двойники), при нагревании деформированных кристаллов (двойники отжига или рекристаллизации), при фазовых превращениях (особенно мартенситного и сегнето- [c.13]

Двойники также принадлежат к двухмерным дефектам структуры. Они могут возникать различными способами, например, во время роста кристаллов (двойники роста) и при механическом воздействии (деформационные двойники, механическое двой-никование). [c.231]

Если два разориентированных участка монокристалла идентичны, но соединены между собой таким образом, что граница блоков представляет зеркальную плоскость симметрии, они образуют двойник. Угол разориентации в этом случае может быть определен исходя из симметрии решетки кристалла. Двойник может быть асимметричным и относительно оси вращения. Известно несколько способов образования двойников. Двойники роста могут возникать при росте кристаллов или процессах рекристаллизации. Деформационные двойники появляются при механическом нагружении кристалла. При этом, несмотря на радикальную разори-ентацию двух областей кристалла друг относительно друга, истинные смещения атомов при таком двойниковании не превышают межатомные и совершаются кооперативно, т.е. одновременно для всей двойникующейся области. Это в свою очередь означает пластическую деформацию кристалла в целом. Если в пластичных кристаллах основной механизм пластической деформации — скольжение дислокаций, то пластическая деформация хрупкого кристалла осуществляется главным образом путем двойникования. За счет двойникования могут также осуществляться и переходы из низкотемпературных в высокотемпературные модификации кристалла и наоборот. [c.150]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология