Индий распределение электронов в атоме

Электрон и дырка всегда могут быть захвачены вблизи одного места и рекомбинировать. Такова судьба большого числа пар электрон—дырка в иесенсибилизированном микрокристалле. С другой стороны, существуют четыре возможности для захвата электронов и дырок в начале освещения 1) они могут захватываться в различных местах на внешней поверхности 2) электрон может быть захвачен ионом серебра на внутренней поверхности, а дырка — ионом брома на внешней поверхности 3) электрон может быть захвачен ионом серебра на внешней поверхности, а дырка — ионом брома на внутренней поверхности и, наконец, 4) как электрон, так и дырка могут быть захвачены ионами на внутренней поверхности. В случаях 1 и 2 образуются атом серебра и атом брома, который может покинуть кристалл. В случаях 3 и 4 атом брома может диффундировать вдоль внутренней поверхности к внешней поверхности и улетучиться из последней он мо жет также рекомбинировать с атомом серебра либо вскоре, либо через значительное время после его образования, вызывая регрессию скрытого изображения. После образования небольшого числа атомов серебра последние смогут захватывать дырки, создавая тем самым четыре новые возможности 5, 6, 7 и 8, соответствующие случаям 1, 2, 3 и 4, но с той разницей, что дырка захватывается атомом серебра, а не ионом брома. Конечным результатом такого захвата является перемещение атома серебра от места захвата дырки к месту захвата электрона. Этот процесс может иметь существенное значение, поскольку он способен привести к концентрированию атомов серебра на центре светочувствительности на более поздней стадии освещения и тем самым повысить эффективность образования скрытого изображения. Распределение скрытого изображения между поверхностью и внутренностью кристалла и суммарная квантовая эффективность процесса в инди- [c.60]

При образовании этих соединений имеет место некоторое смещение электронной плотности от атомов-доноров (Аз, 5Ь) к атомам-акцепторам (Оа, 1п). Так, для 1п5Ь дается следующее распределение эффективных зарядов (в е-единицах) -1-0,17 у 5Ь и —0,17 у 1п. Под давлением в 30 тыс. ат антимоннд индия изменяет свою кристаллическую структуру, что сопровождается увеличением его электропроводности в миллион раз. Известен и двойной арсенид состава ЫзОаАза. [c.224]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология