Центр светочувствительности

Были исследованы процессы формирования глубинных центров светочувствительности в процессе химического созревания и кристаллизации [c.94]

Как следует из фотографий, серебряные центры светочувствительности ( серебро созревания ) имеют аморфную структуру, так же как и центры скрытого изображения, получающиеся при сравнительно небольших экспозициях. При больших экспозициях, близких к тем, которые приводят к соляризации, начинается переход серебряных центров в кристаллическое состояние. Тот факт, что количество освещения, необходимое для перехода аморфных центров в кристаллическое состояние, совпадает с количеством, вызывающим начало соляризации, приводит к выводу, что инактивация центров при соляризации и объясняется переходом серебряных частиц в кристаллическое состояние. [c.182]

Для обнаружения центров светочувствительности Кляйн [20, 21] применил различные варианты их проявления. Один и них состоял в том, что экспонированные зерна помещали в раствор, в котором происходило лишь физическое проявление (подробнее о физическом проявлении см. далее). При этом зародыш быстро отделялся от зерна и затем вырастал благодаря отложению на нем восстанавливаемого серебра из раствора [c.174]

О природе центров светочувствительности можно сказать, что она может быть различной. Во-первых, центры светочувствительности могут появляться на дислокациях, где выход ионов серебра наиболее вероятен. Во-вторых, центры чувствительности образуются атомами различных металлов серебра, золота. В высококонтрастных эмульсиях (хлоросеребряных) центры чувствительности иногда образует родий. Возможны случаи образования центров светочувствительности палладием и платиной, но главным образом в эмульсиях, приготовленных на поливиниловом спирте и его производных. [c.123]

Экспериментальные результаты показывают, что плотность электронных ловушек в кристаллах бромида серебра максимальна в областях с искаженной структурой. Такие области служат центрами светочувствительности. [c.16]

Повторение этих процессов, каждый из которых доставляет атом серебра к центру светочувствительности, ведет к образованию группы атомов серебра, представляющей субцентр скрытого изображения. [c.16]

С этого момента группы атомов и молекул сенсибилизирующего слоя начинают выполнять свою вторую функцию. Группы, расположенные вблизи центров светочувствительности, служат центрами конденсации для атомов серебра субцентра и увеличивают его размер до размера устойчивого центра скрытого изображения. [c.16]

На первых стадиях образования скрытого изображения в химически сенсибилизированных кристаллах не происходит фотолиза бромида серебра и бром не выделяется в окружающую среду. Результаты опытов приводят нас к выводу, что скрытое изображение образуется путем выделения некоторого, определяемого экспозицией, количества серебра на центрах светочувствительности и реагирования химически эквивалентного количества сенсибилизатора с бромом. В случае восстановительной сенсибилизации, примером которой в настоящей работе является напыление тонкого слоя серебра на поверхность кристалла, этот процесс влечет за собой перераспределение серебра сенсибилизирующего слоя, состоящее в его концентрировании на центрах светочувствительности под действием света. Электроны захватываются ионами серебра, связанными с локальными структурными нарушениями. Положительные дырки захватываются главным образом группами атомов или молекул сенсибилизатора, и после истощения последнего поверхностное скрытое изображение уже не образуется с высоким квантовым выходом, характеризующим химически сенсибилизированные кристаллы. [c.39]

Прежде всего следует рассмотреть природу центров светочувствительности в химически несенсибилизированных и химически сенсибилизированных кристаллах. Согласно экспериментальным результатам, эти центры в обоих случаях представляют собой те же самые нарушения структуры. В кристаллах, исследованных в настоящей работе, этими нарушениями являются границы внутренней трехмерной сетки полиэдрических элементов и двумерная многоугольная сетка, образованная пересечениями этой полиэдрической структуры с наружной поверхностью кристалла. В других случаях столь детальная модель может оказаться невозможной. Однако внутренние скопления дислокаций [c.40]

Образующиеся объемные заряды нейтрализуются в результате перемещения дырок, электронов и ионов серебра в поле этих зарядов. Движение электронных носителей может привести только к рекомбинации. Однако ионы серебра, диффундирующие к внутренним поверхностям, нейтрализуют объемный заряд, образуя атомы серебра на границе раздела. Следовательно, эффективность образования внутреннего скрытого изображения будет определяться соотношением между скоростью поглощения фотонов и скоростью, с которой объемные заряды, созданные путем захвата дырок электронов, могут нейтрализоваться в результате перемещения дефектов решетки, образуемой ионами серебра. В химически несенсибилизированных кристаллах, в которых образуется внутреннее скрытое изображение, образование скрытого изображения на поверхностных центрах светочувствительности может происходить лишь с весьма малой эффективностью. [c.42]

В несенсибилизированных кристаллах электрон захватывается на центре светочувствительности подвижным ионом серебра или ионом серебра на изломе. Обычно это происходит внутри кристалла, поскольку там имеется значительно большее число ловушек. Положительная дырка рекомбинирует, если только она не будет захвачена ионом брома, занимающим излом на поверхности. В последнем случае бром покидает поверхность. Так как освещение создает отрицательный объемный заряд внутри кристалла и положительный заряд на его поверхности путем только что описанных процессов, то захват дырок на поверхности будет редким явлением. Скорость образования внутреннего скрытого изображения будет определяться скоростью диффузии ионов серебра от поверхности в глубину кристалла, где происходит нейтрализация отрицательного объемного заряда. [c.43]

Электроны и дырки могут продолжать захватываться на поверхности, поскольку это не создает разности потенциалов между поверхностью и глубиной кристалла, а только интенсивные поля на самой поверхности. Серебро легче образуется на поверхности, чем внутри кристалла по следующей причине. Прежде чем новые электроны смогут быть захвачены внутренними центрами светочувствительности с образованием новых атомов серебра, необходимо, чтобы ионы серебра, в основном поверхностные, продиффундировали к этим центрам светочувствительности расстояние, проходимое ионами, сравнительно велико, а эффективное поле мало. Напротив, на поверхности ионы серебра движутся в значительно сильнее локализованных и поэтому в более интенсивных полях между местами захвата электронов и местами захвата дырок. Понятно, что нейтрализация объемных зарядов путем перемещения ионов будет протекать на поверхности значительно скорее, чем внутри кристалла. Поэтому в освещенном химически сенсибилизированном кристалле атомы серебра смогут выделяться на поверхностных центрах светочувствительности с большей скоростью, чем на внутренних центрах. [c.43]

Предложенная схема теряет силу начиная с момента, когда на центрах светочувствительности выделилось некоторое количество атомов серебра, химически эквивалентное количеству [c.43]

Окончание двух рассмотренных стадий образования скрытого изображения приведет к переходу атомов серебра из участков, близких к группам атомов или молекул сенсибилизатора, к центрам светочувствительности, где они образуют локализованные субцентры скрытого изображения. Атомы серебра, образующие субцентры, будут далее медленно конденсироваться путем диффузии, образуя более крупные агрегаты. [c.44]

Хотя экспериментальные данные показывают, что при комнатной температуре ионы серебра, связанные со структурными нарушениями, способны захватывать электроны, а группы атомов или молекул сенсибилизатора не обладают этой способностью, не следует заключать, что если такие группы связаны с центрами светочувствительности (в случае химической сенсибилизации фотографических эмульсий они, повидимому, действительно образуются на этих центрах ), то их роль в образовании поверхностного скрытого изображения ограничивается захватом дырок и [c.44]

Можно предполагать, что светочувствительный микрокристалл 1 алоидного серебра должен обладать, по крайней мере, одной зоной интенсивной местной деформации, например линией, вдоль которой сходятся различные полиэдрические элементы. Приведенные ниже соображения позволяют предполагать, что атомы серебра, образующие поверхностное скрытое изображение, с наибольшей вероятностью выделяются в том месте, где эта область максимальной деформации встречается с внешней поверхностью кристалла. Основная масса серебра внутреннего скрытого изображения выделяется под поверхностью внутри той же области в пространстве, содержащем ряды и сетки из линий дислокаций. Эта область в целом ответственна за локализованное выделение серебра и, таким образом, служит центром светочувствительности несенсибилизированного кристалла. Кроме того, атомы серебра с меньшей вероятностью могут выделяться вдоль линии пересечения поверхностей полиэдрической субструктуры с внешней поверхностью кристалла и на самих внутренних поверхностях этой субструктуры. [c.56]

Хим. сенсибилизация-повышение собств. светочувствительности микрокристаллов AgHal к лучам с длиной волны X 520 нм. Суть хим. сенсибилизации заключается в создании на микрокристаллах AgHal эффективных центров светочувствительности, захватывающих генерированные светом электроны или дырки, что препятствует их рекомбинации. [c.317]

Сенсибилизация восстановителями (т. наз. восстановит, сенсибилизация) связана с образованием серебряных центров светочувствительности нри взаимод. ионов Ag с восстановителями, напр. Sn lj, гидразином, (диметилами-но)бораном или газообразным Н . Принято считать, что центры восстановит, сенсибилизации играют роль акцепторов дырок. [c.318]

Ионы Ag, расположенные вблизи центров светочувствительности, притягиваются к ним и восстанавливаются до нейтральных атомов. В результате вокруг ловушки образуется фуппа атомов Ag, формирующая элемент скрытого изображения. Процесс формирования центров скрытого изображения представляет собоймногоюатное повторение описанных выше элементарных актов образования элек- [c.168]

При дальнейшем увеличении выдержки скорость образования своб. электронов за счет фотоэффекта уменьшается, отдельные акты поглощения квантов (при той же экспозиции) становятся более редкими, хотя общее число квантов не изменяется. При этом одиночные атомы Ag превращаются в ион Ае и своб. электрон еще до того, как образуется след, электрон и возникнет возможность роста центра светочувствительности. В результате образование крупных центров замедляется и свето 5гвствительность уменьшается. [c.169]

Несколько иной путь решения того же вопроса был принят в работах советских и немецких исследователей. Для обнаружения центров светочувствительности Картужанский [19] под- [c.173]

При действии света на светочувствительный слой фотографич. материалов нек-рые электроны микрокристаллов AgBr возбуждаются и переходят на более высокий уровень проводимости. Затем, двигаясь в пределах этого уровня проводимости, вступают в контакт с зародышем серебра центра светочувствительности и попадают в ловушку. В результате серебряный центр заряжается отрицательно этот отрицательный заряд притягивает нек-рые из междуузель-ных ионов серебра, к-рые приближаются к серебряному центру и нейтрализуются электронами, образуя атомы серебра, присоединяющиеся к уже имеющемуся центру. В результате центр светочувствительности вырастает до размера центра проявления, состоящего из 3—20 атомов серебра. [c.269]

Весьма перспективным является метод декорирования — выявление на объектах неоднородностей структуры атомного масштаба посредством отложения на них частиц тяжелых металлов или их соединений, различимых в электронном микроскопе. Такпм спосо-бОлМ выявлены ступени атомной высоты на поверхности кристаллов, примесные центры в легированных кристаллах Si, центры светочувствительности в экс-нонированных зернах фотоэмульсий, активные места > на поверхносттг коллоидных частиц и т. д. [c.478]

Образование твердой фазы галогенида серебра Э. ф. происходит в присутствии желатины. Эмульси-фикация и первое созревание являются определяющими стадиями для достижения желаемых конечных показателей Э. ф. В процессе первого созревания Э. ф. выдерживается при перемешивании в течение 10—60 мин. при 35—80°. После этого для перехода от первого созревания ко второму в полученную после промывки или после диспергирования в р-ре желатины Э. ф. вводят различные добавки второго созревания (сенсибилизирующие, стабилизирующие, регулирующие концентрацни электролитов и др.) и ее подвергают химич. созреванию путем выдерживания при перемешивании в течение 2—3 час. при 40—50°. В результате на поверхности микрокристаллов галогенида серебра или близко от нее, в местах выхода дислокаций, образуются центры светочувствительности (примесные центры) включения коллоидного, металлич. и сернистого серебра или металлич. золота, платины и др. благомдных металлов в фотографически активном (аморфном) состоянии (см. Сенсибилизация химическая). От условий изготовления Э. ф. зависят ее гра-нулометрич. характеристики, гранулярность, уровни светочувствительности, разрешающей способности и контрастности. После второго созревания эмульсию стабилизируют органич. стабилизаторами, обрабатывают антисептиками, студенят, измельчают и хранят при 4—6° до подготовки к поливу на подложку (см. Фотографические светочувствительные материалы). [c.503]

При воздействии света на кристаллы галоидосеребряных солей происходит образование скрытого изображения, которое возникает в результате разложения соли на ион серебра и ион галоида. В отдельных местах кристалла — центрах светочувствительности, представляющих собой деформации кристалла, — происходит скопление ионов серебра. Образование и наращивание центров светочувствительности служит основой скрытого фотоизображения. [c.119]

Моттом [5,6], химическая сенсибилизация рассматривается только как причина образования поверхностных частиц, служащих ловушками для электронов. При разработке этой теории Гёрни и Мотт использовали для объяснения образования поверхностного скрытого изображения двухстадийный механизм фотохимических процессов в галоидном серебре, при помощи которого они объяснили наблюдаемое выделение серебра в форме дискретных частиц ка поздних стадиях фотолиза. Они основывали этот механизм на опытных данных о том, что галоидное серебро обладает как электронной фотопроводимостью, так и ионной проводимостью при комнатной температуре. В применении его к образованию поверхностного скрытого изображения они принимали, что электроны, освобожденные фотонами в галоидном серебре, захватываются центрами светочувствительности — частицами серебра или сульфида серебра, расположенными на поверхности кристаллов, и затем нейтрализуются междоузельными ионами серебра, диффундирующими к центрам захвата. Таким образом, эта теория дает механизм перемещения вещества, объясняющий локализованное выделение атомов серебра на центрах светочувствительности, постулированное еще в теории центров концентрирования [7]. Ни в одной из этих теорий не рассматривается достаточно подробно поведение положительных дырок (или атомов брома), которые, согласно исходным положениям этих теорий, должны освобождаться одновременно с фотоэлектронами или атомами серебра. Обычно принималось, что они покидают поверхность кристалла и реагируют с молекулами окружающей среды. Однако в настоящее время пмеются достаточные основания считать, что электрон, захваченный поверхностным центром светочувствительности шеппардовского типа, притянет дырку и рекомбинирует с ней еще до приближения междоузельного иона серебра и образования атома серебра [8]. Хотя были предприняты попытки снять это возражение путем введения дополнительных гипотез [9], оно осталось основным слабым местом теории образования поверхностного скрытого изображения Гёрни и Мотта. [c.12]

Эти опытные данные, очевидно, требуют пересмотра теории образования поверхностного скрытого изображения в кристаллах бромида серебра, на поверхности которых присутствует сенсибилизатор. Вывод о неспособности частиц сульфидов металла захватывать электроны на первый взгляд трудно согласовать с данными Лоуэ, Джонса и Робертса [16], которые нашли, что сернистая сенсибилизация изменяет распределение скрытого изображения между поверхностью и объемом Эхмульсконного микрокристалла. Указанные авторы объясняли этот результат тем, что центры светочувствительности, созданные сернистой сенсибилизацией, служат более глубокими поверхностными электронными ловушками, чем любые ловушки, присутствующие в несенсибилизированных эмульсионных микрокристаллах. Теперь ясно, что следует искать другое объяснение для этого эффекта химической сенсибилизации, а также для других фотографических явлений, которые, как это раньше казалось, удовлетворительно объясняются теорией Гёрни и Мотта. [c.40]

Выводы из настоящего экспериментального исследования показывают, что, несмотря на отсутствие детального механизма в теории центров концентрирования Шеппарда и в теории образования поверхностного скрытого изображения Гёрни и Мотта, конечный результат освещения микрокристаллов, поскольку дело идет об образовании поверхностного скрытого изображения, одинаково интерпретируется и в нашей теории и в теориях, указанных выше. Старое представление о центрах светочувствительности, как о частицах серебра или сульфида серебра, основная роль которых заключалась в захвате электронов, заменено новым представлением, согласно которому эти центры являются локализованными, но в то же время протяженными областями поверхностных нарушений структуры или структурами роста в случае микрокристаллов фотографических эмульсий. Ионы серебра этого протяженного центра светочувствительности захватывают электроны. Кроме того/> в случае микрокристаллов в эмульсиях эти поверхностные нарушения структуры будут наиболее активными участками для химического воздействия различных веществ и адсорбции крупных молекул. Следовательно, наиболее крупные группы атомов или молекул сенсибилизатора, вероятнее всего, образуются на этих активных участках. Как было указано выше, эти группы могут концентрировать фотолитиче-ские атомы серебра, образуя скрытое изображение, состоящее из [c.46]

Смотреть страницы где упоминается термин Центр светочувствительности: [c.267] [c.151] [c.521] [c.709] [c.317] [c.166] [c.168] [c.640] [c.151] [c.521] [c.709] [c.174] [c.721] [c.65] [c.503] [c.398] [c.73] [c.103] [c.13] [c.34] [c.41] [c.45] [c.46]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология