Анизотропия диамагнетизма в графите

Фактически движение электронов в кристаллич. решетке металла или полупроводника значительно сложнее, чем это описывается данной теорией. Чем сильнее отличается кристаллич. решетка металла от кубической, тем своеобразнее ее влияние на магнитные свойства свободных электронов. Вот почему именно такие металлы, как ЗЬ и В1, полупроводники, графит и др., кристаллизующиеся в гексагональной, ромбической и тригональной системе, обнаруживают аномально большой диамагнетизм и притом очень значительную анизотропию магнитных свойств. Так, у кристаллов графита диамагнетизм в направлении, параллельном оси, превосходит примерно в 6 раз диамагнетизм, перпендикулярный оси кристалла. [c.509]

Монокристаллический графит диамагнитен и обладает очень большой анизотропией. В направлении, перпендикулярном плоскости слоя графита, диамагнетизм аномально велик. Это объясняется тем, что диаметр слоя графита велик и электроны при своем движении описывают орбиты очень большого радиуса. [c.231]

Пако и Маршан [763] использовали для описания гипотетического двумерного газа в графите статистику Ферми— Дирака и пришли к заключению, что диамагнетизм газовой сажи и графита сводится, во-первых, к независящей от температуры диамагнитной восприимчивости Ха и, во-вторых, к зависящей от температуры диамагнитной восприимчивости, которая анизотропна и направлена перпендикулярно плоскости слоев графита. Изменение этой характеристики с температурой выражается соотношением АхМхо = 1 —ехр(—Го/Г), где Дх — диамагнитная анизотропия углерода при температуре Т (°К), А/о — значение Ах при 0°К, а Го—температура вырождения гипотетического электронного газа в углероде. Предельная анизотропия Ахо, зависящая от температуры, и температура вырождения Го являются константами, характеризующими углерод. Пако и Маршан предполагают, что не зависящая от температуры Ха представляет собой минимальную удельную восприимчивость, которой обладает углерод при уменьшении диаметра слоя. С помощью соответствующих значений Го они описали поведение газовой сажи и кристаллического графита в температурной области от—196 до + 1000° С по их данным, для газовых саж Ха = 0,8-10 С08М1г. Критические размеры кристаллитов в газовых сажах составляют около 40А [764]. [c.102]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология