Температура вырождения

Несмотря иа большую энергию электронного газа, теплоемкость его равна нулю, так как вследствие вырождения эта энергия не зависит от температуры. По мере повышения температуры вырождение будет сниматься и энергия электронного газа начнет медленно увеличиваться с повышением температуры. [c.238]

Уровень легирования велик (содержание примесей может доходить до Ю см ). Возникшая в таком кристалле большая плотность свободных носителей заряда вызывает уже необходимость пользоваться статистикой Ферми—Дирака. А так как газ частиц, подчиняющихся этой статистике, называется вырожденным, то часто термин сильно легированный полупроводник отождествляют с названием вырожденный полупроводник . Однако это не совсем правильно, ибо, например, кристалл может содержать такое количество примесей, что при комнат ной температуре электронный газ вырожден, а при высокой температуре вырождение снимается вследствие появления собственной проводимости в полупроводнике. [c.245]

Рис. 8. Фазовая диаграмма для системы метанол—нитробензол—изооктан (14° чуть ниже температуры вырождения).

Рис. 9. Фазовая диаграмма для системы метанол—нитробензол—изооктан (15° чуть выше температуры вырождения).

Схема, предложенная Норришем [40], значительно отличается от только что приведенной схемы реакциями инициирования и разветвления. Он считает, что при более низких температурах вырожденные разветвления состоят из реакций [c.466]

Таким образом, энергия Ферми зависит от массы электрона т и концентрации электронов N/V. Это соотношение для V = I см мы использовали ранее, при выводе температуры вырождения, без доказательства (разд. 6.6.2, часть 1). [c.255]

Отсюда следует, что температура Ферми, или температура вырождения электронного газа, зависит только от конпентрапии электронов в твердом теле. [c.207]

Поскольку в знаменателе соотношения (8.110) для температуры Ферми фигурирует достаточно малая величина — масса электрона, — то для конпентрапий электронов, типичных для металла (102 м 3), температура вырождения будет иметь порядок 10 К (в табл. 8.3 приводятся результаты, характерные для металлов и полупроводников). [c.208]

Таблица 8.3. Температура вырождения электронного газа в зависимости от концентрации свободных электронов в твердом теле

В большинстве теоретических работ по вычислению температурного хода сопротивления предполагается, что температура вырождения электронного газа значительно выше характеристи- [c.207]

Особыми связующими прямыми являются и стороны треугольной диаграммы, соответствующие трем фазам (твердым или жидким или твердым и жидким), находящимся в равновесии. С изменением температуры такой треугольник может при определенном значении температуры (температуры вырождения ) превратиться в особую, вырожденную связующую прямую [58]. Она заканчивается в особой критической точке — неритектической, если система содержит твердую фазу [51м], или вырожденной — в случае трех жидких фаз [581-Подобные связующие прямые наблюдаются при 34,8° в одной рассмотренной в литературе системе [131 ] и в изучавшихся ранее системах того же типа [506 51з, 56а, бОе). [c.238]

Чтобы объяснить огромное расхождение между величиной магнитной восприимчивости—7,0-10 для углерода в виде графита и значением восприимчивости —0,5-10 , которое следует ожидать из формулы Паскаля после суммирования средних вкладов в расчете на бензольное кольцо, Гангули и Кришнан [319] предположили, что л-электроны в графите ведут себя как двумерный электронный газ. При этом каждый атом углерода дает один электрон, поэтому электронный газ имеет очень низкую температуру вырождения. [c.98]

Пако и Маршан [763] использовали для описания гипотетического двумерного газа в графите статистику Ферми— Дирака и пришли к заключению, что диамагнетизм газовой сажи и графита сводится, во-первых, к независящей от температуры диамагнитной восприимчивости Ха и, во-вторых, к зависящей от температуры диамагнитной восприимчивости, которая анизотропна и направлена перпендикулярно плоскости слоев графита. Изменение этой характеристики с температурой выражается соотношением АхМхо = 1 —ехр(—Го/Г), где Дх — диамагнитная анизотропия углерода при температуре Т (°К), А/о — значение Ах при 0°К, а Го—температура вырождения гипотетического электронного газа в углероде. Предельная анизотропия Ахо, зависящая от температуры, и температура вырождения Го являются константами, характеризующими углерод. Пако и Маршан предполагают, что не зависящая от температуры Ха представляет собой минимальную удельную восприимчивость, которой обладает углерод при уменьшении диаметра слоя. С помощью соответствующих значений Го они описали поведение газовой сажи и кристаллического графита в температурной области от—196 до + 1000° С по их данным, для газовых саж Ха = 0,8-10 С08М1г. Критические размеры кристаллитов в газовых сажах составляют около 40А [764]. [c.102]

В процессе полимеризации изопрена в ТГФ с LI 2H5 при низких температурах наблюдалась вырожденная передача цепи через ТГФ, которая, по-видимому, протекала по второму направлению, т. е. путем металлирования тетрагидрофуранового кольца. При повышении температуры вырожденный характер реакции пе редачи цени снимался [108]. Вырой денная реакция передачи цепи через полярный растворитель наблюдалась также при полимеризации стирола с амидом калия в жидком аммиаке [11, 12]. [c.199]

Состояние электронного газа в полупроводниках и металлах существенно различно. Прежде всего, для больщинства полупроводников при любых температурах реализуется ситуапия, когда электронный газ невырожден. Такое условие выполняется, когда конпентрапия электронов в зоне проводимости мала. Эта возможность существует в полупроводниках практически во всем возможном диапазоне конпентрапий носителей — от минимальной в собственном полупроводнике (при конечных температурах) до максимально возможной (Ю м ) в сильно легированном примесном полупроводнике (табл. 8.3). Действительно, в этом случае температура вырождения очень мала, и при нормальных температурах и стандартных конпентрапиях электронов (дырок) (Ю м ) мы сталкиваемся с ситуапией существования невырожденного электронного газа (исключение — существование вырождения электронного газа в полупроводнике — составляет случай сильно легированного полупроводника при низких температурах). Очевидно, что в этом случае будут существовать электроны, энергия которых должна быть значительно больще уровня Ферми. Тем самым условие невырожденного электронного газа в полупроводнике при конечных температурах может быть записано так [c.247]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология