Противофазная ориентация

Большой практический интерес представляют слоистые материалы, углеродные волокна в которых противофазно ориентированы (при параллельном расположении волокон ориентация равна нулю) относительно стеклянных. В табл. У.7 приведены показатели физико-механических свойств трехкомпонентного пластика с противофазной ориентацией углеродных волокон относительно стеклянных на 7, 15, [c.231]

Существенным преимуществом композиционных материалов является возможность более широкого, по сравнению с монолитными материалами, варьирования свойств за счет последовательной укладки слоев с различной ориентацией волокна. В работах [51, 52] показано, что применение схем армирования с противофазной укладкой при малых углах (90 15°) взаимной ориентации углеродных волокон в соседних слоях приводит к увеличению модуля сдвига и модуля упругости в 1,2—2,7 раза. Схему армирования изделия определяют условия его нагружения [10]. [c.166]

Мы легко можем проанализировать воздействие приведенной выше последовательности иа систему АХ с константой J (рис. 6.4). Задержка т выбирается равной 1/4J, и компоненты дублета (прецсссирующие во вращающейся системе координат с частотой +J/2 Гц) успевают за это время пройти 1/8 полиог о цикла. тс-Импульс на частоте ядра S переносит эти компоненты во вторую половину плоскости х-у, а импульс на частоте ядра I предохраняет его от рефокусировки с помощью изменения направления прецессии. Во время второй задержки т химические сдвиги и неоднородность поля рефокусируются, и в дальнейшем их можно не учитывать. В конце второй задержки компоненты дублета ядра S находятся на осях х. Два заключительных л/2-импульса на ядрах S и I обычно производятся одновременно, но для облегчения понимания мы будем считать, что сначала производится S-импульс. Будучи (7с/2) .-имиульсом, он помещает находящиеся на осях х компоненты на ось г одна из них оказывается направленной вверх, а другая вниз. В результате мы получили требующуюся противофазную ориентацию компонент дублета и после л /2-импульса на ядре I можем регистрировать более интенсивный сш нал, как и в случае SPI (рис. 6,5). [c.194]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология