Фотоэлементы тыловые

Рис. 36. Схе.ма тылового (а) и фронтового (б) фотоэлементов

В зависимости от условий взаимодействия света с полупроводниками различают тыловые (рис. 36, а) и фронтовые (рис. 36, б) фотоэлементы. [c.82]

Тыловые купроксные фотоэлементы на практике обычно не применяются из-за их малой чувствительности к лучам видимой части спектра. [c.83]

Рис. 46. Спектральные характеристики фото-элементов с запирающим слоем /—фронтового купроксного фотоэлемента 2—тылового купроксного фотоэлемента 5—селенового фотоэлемента 4—сульфидно-серебряного фотоэлемента 5—кривая чувствительности человеческого глаза.

Схемы вентильных фотоэлементов изображены на рис. 46, где а — тыловой фотоэлемент и б — фронтовой / — металлическая подложка, 2 — запирающий слой, 5 — полупроводник, [c.80]

Рис. 49. Спектральная характеристика фотоэлементов Сз — сурьмя-но-цезиевый 5е — селеновый Си20 (I) — купроксный с фронтовым фотоэффектом СигО (II) — купроксный с тыловым фотоэффектом

Кроме описанных селеновых фотоэлементов с фронтальным фотоэффектом имеются также селеновые фотоэлементы с тыловым фотоэффектом, у которых электроны выбиваются под действием света на границе между селеном и железом. Эти фотоэлементы обладают большим внутренним сопротивлением, вследствие чего дают меньшую силу тока во внешней цепи. Однако они обладают более постоянными характеристиками. К тому же типу фотоэлементов с запирающим слоем относятся и меднозакисные (запирающий слой — закись меди), серносеребряные (запирающий слой — сернистое серебро) и серноталлиевые (запирающий слой — сернистый таллий). Первый из названных фотоэлементов не выдерживает сравнения с селеновым ввиду большой чувствительности к изменениям температуры и малой интегральной чувстви- [c.120]

Описанный выше меднозакисный (купроксный) фотоэлемент называют заднестеночным или тыловым фотоэлементом с запирающим слоем. В другой разновидности тех же фотоэлементов на медную пластинку нанесён слой закиси меди, достаточно тол- [c.211]

И верхнего полупрозрачного металлического электрода. В процессе изготовления фотоэлемента образуется запирающий слой (л — р-переход), который может находиться в районе верхнего полупрозрачного электрода либо в районе подложки. В первом случае фотоэлемент называется фронтальным (или передне-стеночным), во втором — тыловым (или заднестеночным). Селеновый фотоэлемент имеет следующее строение (рис. 89). Металлическая подложка 1 (обычно железная, толщина 1—2 мм) [c.178]

Изложенный выше принцип фотореле оказался весьма трудно осуществимым на практике. Основной причиной малой эффективности подобных устройств оказалась резкая зависимость их работы от влияния колебаний грунта и конвекционных потоков воздуха, а также несовершенство компенсирующего действия второй термопары, входящей в приемник излучения. На основе теоретического рассмотрения действия таких устройств Б. П. Козыревым разработан прибор, названный фотоэлектрооптическим усилителем (ФЭОУ). В ФЭОУ гальванометр является основным элементом, он определяет чувствительность и быстроту действия всего прибора. Для эффективной работы ФЭОУ необходим гальванометр с хорошо отбалансированной рамкой на растяжках, поставленный в условия переуспокоенного режима. Схема модели ФЭОУ-15, выпускаемой в настоящее время промышленностью, дана на рис. 100. Маломощная низковольтная лампочка (0,3а, Зе) (/) освещает сразу четыре конденсора (2), на тыловые плоские стороны которых нанесены отражающие алюминиевые полосы (растр). Эти конденсоры проектируют изображение нити накала лампы на зеркала (5) гальванометров (Г, и Гг) перед зеркалами гальванометров расположены объективы, проецирующие изображения растров на неподвижные решетки (5), установленные перед фотоэлементами. Самый малый поворот рамки с зеркалом (Г]) влечет за собой перемещения границ света и тени изображения растра по поверхности фотоэлементов, увеличивая световой поток в одном из них и уменьшая в другом. В цепи фотоэлементов первого каскада потечет ток. В эту цепЬ включен гальванометр Гг. Его показания усиливаются вторым каскадом фотоэлементов, ток которых питает гальванометр записывающего устройства. [c.211]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология