Совмещение масок для осаждения

Системы непрерывного действия более целесообразно использовать для нанесения пленок на всю площадь поверхности подложки, например, для металлизации лент, плоских заготовок и пластиковых изделий или для изготовления оптических покрытий линз. Если требуется определенная конфигурация слоя, то в процессе напыления применяют маски или используют метод травления уже напыленного слоя. Однако метод дифференциального травления, вообще говоря, не применим для получения многослойных пленочных структур методом напыления, ради которых, собственно, и были созданы рассматриваемые высокомеханизированные системы. Поэтому для изготовления многослойных микроэлектронных схем приходится применять маски и устройства для их смены. Большие трудности возникают при прецизионном совмещении последовательно серии масок с подложкой внутри вакуумной системы. Непосредственный контакт маски с подложкой может привести к нежелательному изменению маски из-за теплового расширения или коробления. Однако еще более существенно то, что по мере миниатюризации тонкопленочных элементов техника напыления оказывается уже не в состоянии обеспечить требуемую точность размеров, реализуемую лишь с помощью прецизионных фотолитографических методов (см. гл. 7). Именно поэтому в последние годы использование автоматизированных напылительных систем для микроэлектронных применений заметно снизилось. Растущий объем производства полупроводниковых микросхем, изготавливаемых методами полупроводниковой технологии, делает с экономической точки зрения все более привлекательным применение простых систем непрерывного действия для осаждения лишь одного слоя. Хотя стоимость таких систем пока еще в несколько раз больше, чем у обычных установок последовательного типа, их производительность выше. По мере накопления опыта работы с уже применяемыми в настоящее время такими элементами систем, как входные вакуумные шлюзы, испарители большой емкости и устройства для контроля процессов осаждения, представляется все более и более осуществимой идея использования вычислительных машин для контроля всем процессом изготовления объектов. [c.310]

Вся конструкция маско- и подложкодержатели, предназначенная для использования прямоугольной стеклянной подложки, показана на рис. 5. Металлическая или стеклянная маска крепится в рамке. Подложка крепится с нижней стороны подложкодержателя и с помощью стопорной шпильки и нажимного штифта устанавливается над маской. Совмещение производится под микроскопом через рамку маскодержателя, а перемещение маски или подложки — с помощью боковых установочных винтов. Оба устройства для напыления (рис. 4 и 5), состоящие из маскодержателя с маской и подложкодержателя с подложкой, для улучшения условий осаждения пленок при повышенных температурах, подвергаются нагреванию от спирали, установленной над подложкодержателем. [c.565]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология