Монокристаллов кристаллов контейнерное

Метод горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) представляет собой разновидность метода Бриджмена — Стокбаргера в горизонтальном варианте. Этот метод широко развит в нашей стране благодаря работам X. С. Багдасарова и его коллег по созданию ростового оборудования и разработке технологий выращивания на нем крупных монокристаллов высокотемпературных соединений иттрий-алюминиевого граната и корунда [3, 4, 5]. К достоинствам этого метода можно отнести возможность использования в качестве контейнерного материала молибдена — менее дорогостоящего и дефицитного по сравнению с иридием, применяемым в методе Чохральского возможность получения крупных пластинообразных монокристаллов относительную техническую и технологическую простоту исполнения. Основной недостаток метода ГНК —наличие контакта выращиваемого монокристалла с контейнером, с чем связано загрязнение расплава и возникновение в кристалле остаточных напряжений, трещин. [c.169]

Выращивание монокристаллов из вещества некоторого определенного исходного состава в незамкнутой системе, находящейся почти целиком в зоне постоянной температуры. Контейнерные схемы выращивания кристаллов. Очень распространены контейнерные схемы выращивания монокристаллов соединений переменного состава (рис. VI.50, Ъ). Кристалл 81С и т. п. растет внутри камеры, стенки которой состоят из вещества монокристалла. В камеру помещается монокристаллическая затравка или она сама образуется нри медленном перемещении паров и несколько менее нагретым точкам. При этом разность температур зоны испарения и зоны роста может составлять всего несколько градусов. Образование холодных точек в таких случаях определяется расположением экранов, конструкцией нагревателей и т. п. Впуском (допустим, при выращивании карбида кремния) газов (например, азота) или паров (например, бора) можно осуществлять легирование монокристаллов одновременно с их ростом. В советских работах по получению карбида кремния этим путем, напри-лгер в [87], [88], [89], были получены интересные результаты благодаря тщательному установлению точного аппаратурного режима и созданию надежного оборудования, которое, как видно из рис. VI.50, Ъ, достаточно сложно подробное описание см. в оригинальных работах. [c.454]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология