Монокристалл

Дополнительно очищают кремний зонной плавкой. Монокристаллы кремния с соответствующими добавками служат для изготовления различных полупроводниковых устройств (выпрямителей переменного тока, фотоэлементов и пр.). Из кремниевых фотоэлементов (преобразователи световой энергии п электрическую), в частности, построены солнечные батареи, обеспечивающие питание радиоаппаратуры на космических аппаратах. [c.412]

В промышленных процессах депарафинизации в зависимости от типа этих процессов применяют разные скорости охлаждения сырья при кристаллизации. В процессах кристаллизации, основанных на монокристаллическом выделении парафина, а именно в процессах кристаллизации без растворителей или при применении углеводородных растворителей-разбавителей, применяют наиболее низкие скорости охлаждения. В процессах депарафинизации, основанных на агрегатной кристаллизации (например в процессах с применением полярных растворителей, содержащих растворители-осадители, в которых малый размер выделяющихся отдельных монокристаллов компенсируется в известной мере их агрегированием в более крупные образования), допускаются более высокие скорости охлаждения. В основных промышленных процессах депарафинизации применяют следующие скорости охлаждения (в град/час). [c.114]

Под кристаллической сеткой подразумевается пространственная сетка, состоящая из соединенных между собой или переплетающихся кристаллов, пронизывающая маточный раствор кристаллической решеткой именуется сочетание молекул вещества, расположенных в строго определенном для данного вещества повторяющемся порядке и образующее монокристалл этого вещества. [c.68]

Измерения, проведенные с монокристаллами различных металлов (меди, висмута, хрома, кадмия, никеля, олова и свинца), показали, что водородное перенапряжение в значительной степени зависит от символа грани монокристалла, на которой катодно выделяется водород. Поэтому величины водородного перенапряжения, найденные для твердых катодов с поликристаллической структурой, представляют собой некоторые усредненные значения. Они могут [c.398]

Сравнение реакционной способности ступенчатых поверхностей кристалла с реакционной способностью нанесенных Р1-катализаторов показывает, что структура полидисперсных частиц Р1 в катализаторе может быть с успехом воспроизведена ступенчатыми поверхностями. Установлено, что атомарные ступени играют определяющую роль при превращениях углеводородов, а также при диссоциации Н2 и других двухатомных молекул с большой энергией связи [237]. Показано, что реакция дегидрирования циклогексана до циклогексена не зависит от структуры поверхности монокристалла Р1 (структурно-нечувствительная реакция). В то же время реакции дегидрирования циклогексена и гидрогенолиза циклогексана структурно-чувствительны. В свете полученных результатов предложена [238] расширенная классификация реакций, зависящих от структуры поверхности металла. А именно, предложено отнести к особому классу реакции, скорость которых зависит от размера активных частиц катализатора или от плотности атомарных ступенек и выступов на них, и реакции, скорость которых зависит от вторичных изменений структуры поверхности катализатора (например, из-за образования в ходе реакции углеродистых отложений, а также других эффектов самоотравления). На основе проведенного анализа предложена модель каталитически активной поверхности Р1, учитывающая атомную структуру поверх- [c.165]

Под монокристаллическим образованием подразумевается структура, состоящая из отдельных монокристаллов более или менее правильно выраженной формы, либо свободно взвешенных в растворе, либо соединенных между собой в пространственную [c.67]

В отличие от монокристаллов и составленных из них различных монокристаллических образований могут существовать агрегатные кристаллические образования, являющиеся скоплением или группой монокристаллов, соединенных между собой без какого-либо порядка, а также дендритные кристаллические образования. [c.68]

В результате такого ценного течения процесса кристаллизации из раствора выделяются не монокристаллы парафина, выросшие из единого центра кристаллизации единой молекулярной кристаллической решеткой, а сросток монокристаллических элементов, которые вырастали на многих центрах кристаллизации. Для ряда веществ, а в некоторых случаях и для парафинов эти кристаллические сростки приобретают внешнюю форму ветвистых, перистых или шарообразных образований, вследствие чего им и было присвоено наименование дендритов (от греческого слова дендрон — дерево) или дендритных кристаллов , а процессу кристаллизации, дающему образование дендритов, — дендритная кристаллизация . [c.71]

Возможен также и процесс агрегатной дендритной кристаллизации, где отдельными образованиями, входящими в агрегат, являются не монокристаллы парафина, а его дендриты. [c.76]

Изучена [101] каталитическая активность в реакциях гидрирования бензола и этилена граней монокристаллов никеля и кристаллографически хорошо определенных частиц нанесенного Ni-катализатора диаметром 5,0 нм. Химически полированные кристаллы никеля, ориентированные по граням (110), (111), (100) очищали последовательным окислением и восстановлением прн 495 и 439°С. Показано, что каталитическая активность грани (111) несколько выше, чем для других граней. Активность ориентированного по грани (111) нанесенного катализатора несколько меньше, чем для случайно ориентированного. Эффективная энергия активации равна 46 кДж/моль. На основании этих данных был сделан вывод [101], что реакция гидрирования этилена более [c.55]

Такие реакции известны достаточно давно [1—4]. Они успешно проходят на двух группах катализаторов. К первой относятся катализаторы с чисто металлической поверхностью (монокристаллы, пленки, черни), а также катализаторы, содержащие один или несколько металлов на носителях, не имеющих своей особой функциональной активности, например на активированном угле. К другой группе принадлежат катализаторы, состоящие из металла, чаще всего переходного, отложенного на каталитически активном веществе, выполняющем особую каталитическую функцию. Такие катализаторы называют бифункциональными. [c.87]

Поверхность твердого тела. Твердое тело обладает жесткостью и способно сопротивляться приложенному к нему давлению. Поверхность твердых тел имеет весьма сложное строение. Поскольку возможны самые разнообразные типы расположения и связи поверхностных атомов, то на разных участках поверхности деталей двигателей и механизмов могут быть и разные химические свойства. С другой стороны, даже на монокристаллах различные грани, ребра и углы обладают разными свойствами. Все это предопределяет различие во взаимодействии разнородных фаз на отдельных участках поверхности. [c.179]

Кристаллическая поверхность твердого тела неоднородна. На ней всегда имеются микроскопические участки, занятые химически активными группами атомов и так называемые поверхностные активные центры, служащие центрами адсорбции. Одной из причин их появления может служить выход разных кристаллических плоскостей на поверхность. Роль такого центра может играть также поверхностный атом основной кристаллической решетки со свободной связью. Появление активных центров может быть связано с неустранимыми дефектами поверхности, например с местом выхода на поверхность дислокаций, где кристаллическая решетка сильно возмущена и где в результате этого возникают очень активные поверхностные атомы. Причиной неоднородности поверхности могут стать способ и характер предварительной ее обработки, приводящей к образованию на монокристаллах ступеней, уступов, широких террас и других подобных дефектов, а также микроскопические примеси постороннего вещества, загрязняющего поверхность. [c.181]

Дайте структурное объяснение тому факту, что кварц образует прочные монокристаллы, асбест имеет волокнистое строение, а слюда-чешуйчатое. [c.643]

Причина столь резкого изменения картины рассеяния после аварии состояла в образовании в результате отжига монокристаллов никеля, которые служили своего рода дифракционными решетками. Если де Бройль прав и электрон обладает волновыми свойствами, то картина рассеяния должна напоминать рентгенограмму Лауэ. Д рассчитывать рентгенограммы к тому времени уже умели, формула Брэгга была известна. Так, для случая, представленного на рис. 5, угол а между плоскостями Брэгга и направлением, максимального рассеяния электронов составляет 65°. Измеренное рентгенографическим методом расстояние а между плоскостями в монокристалле Ni равно 0,091 нм. Уравнение Брэгга, описывающее положение максимумов при дифракции, имеет вид пХ = 2а sin а (п — целое число). Принимая п = 1 и подставляя экспериментальные значения а и а, получаем для Ъ Я = 2 0,091 sin 65° = 0,165 нм Формула де Бройля [c.22]

Суш ественным источником неоднозначности и неопределенности кинетики и механизма реакций с участием твердых тел, даже в случае монокристаллов, является фактор неоднородности, т. е. различие свойств атомов и ионов, расположенных на вершинах, ребрах и гранях кристал-пов различия свойств атомов и ионов граней с разными индексами различия, обусловленные дефектами — вакансиями, междоузельными атомами и ионами, дислокациями, ионами с аномальной валентностью, примесными центрами, растворенными в кристаллах или адсорбированными на их поверхности [14]. [c.12]

Для исследований ЭПР не следует выбирать такие растворители, кяк вода, спирты и т.д., так как они отличаются высокой диэлектрической проницаемостью и сильно поглошают энергию микроволнового излучения. Их можно использовать только в тех случаях, когда образец дает сильный сигнал и помещается в специальную ячейку (с очень небольшим диаметром ампулы для образца). Методом ЭПР можно изучать газы, растворы, порошки, монокристаллы и замороженные растворы. Проводить исследование замороженных растворов удобнее всего, когда [c.6]

Поскольку 5 ,, 5,, и 5 , как и Н , и определяются в терминах молекулярной системы координат х, у и г, то их можно заменить на те се самые направляющие косинусы. Молекулярная система координат, которая приводит к диагональному виду д-тензор, может п. совпадать с произвольными осями, связанными с морфологией кристалла. Поскольку описываемый эксперимент осуществляется с использованием легко регистрируемых осей монокристалла, приведенное выше уравнение следует переписать в недиагональном виде [c.33]

Мы начали предыдущий раздел с описания анизотропии д-фактора, наблюдаемой при исследовании методом ЭПР N02, захваченного монокристаллом КМОз, при различных ориентациях относительно поля. Величины а этой системы также очень анизотропны. Если молекулярная ось второго порядка параллельна приложенному полю, наблюдаемая [c.34]

Полученные выражения применимы к любой ориентации молекулы относительно приложенного поля. Если исследуется монокристалл, кристаллографические и молекулярные оси которого не совпадают, определить все компоненты тензора СТВ можно так же, как и при расчете д-тен-зора. Система координат, которая приводит к диагональному виду д-тензор, не обязательно совпадает с той системой координат, которая приводит к диагональному виду тензор А, и ни одна из этих систем координат может не быть молекулярной системой координат [176]. Если молекула характеризуется полной симметрией (т. е. в систему включаются все лиганды), тал что у нее есть ось вращения и-норядка, то эта же ось будет диагональной для д и А и она должна совпадать с молекулярной осью z. [c.37]

В результате исследования методом ЭПР анизотропного монокристалла при у = 9.520 ГГц удалось установить, как меняется 7-фактор при вращении монокристалла в плоскостях л г (1), уг (2) и. у (3). [c.60]

Эти же цепи при определенных условиях можно использовать для установления температуры аллотропического превращения. Если повысить температуру до значения, при котором а-модификация переходит в р-модификацию, то оба -)лектрода окажутся в одной и той же модификации и э.д.с. системы будет равна (или близка) нулю. Э.д.с. системы может отличаться от нуля потому, что свободная энергия двух электродов, изготовленных из металла одной и той же модификации, не обязательно должна быть одинаковой. Это наблюдается, например, в том случае, когда электроды различаются по размерам образующих их зерен или находятся под различным внутренним напряжением. Электрод, образованный более мелкими кристаллами или находящийся под избыточным механическим напряжением, играет роль отрицательного полюса элемента. Он растворяется, а на другом электроде происходит осаждение металла. Более того, разность потенциалов может возникать даже, если в качестве электродов использоЕ1аны разные грани монокристалла одного и того же металла, поскольку они обладают разным запасом свободной энергии. Электрод, образованный гранью с по-выщенным запасом поверхностной энергии, будет растворяться, а ионы металла — выделяться на грани с меньшей поверхностной энергией. Следует, однако, подчеркнуть, что во многих из этих случаев разность потенциалов, существующая между двумя различными образцами одного и того же металла, не должна отождествляться с обратимой э.д.с., поскольку она отвечает не равновесному, а стационарному состоянию элект[)0Д0в. Разности потенциалов, возникающие в рассмотренных случая , обычно малы, тем не менее в некоторых электрохимических процессах, в частности в процессах коррозии, их необходимо принимать во внимание. [c.195]

В заключение следует подчеркнуть, что если результаты расчетов, как в рассмотренном примере, зависят от отнесения полос, проведенное отнесение следует проверить, используя данные, полученные при изучении монокристалла поляризованным излучением (гл. 5). [c.118]

Уравнение (9.19) пригодно для расчета всех компонент тензора. Матрица симметрична, т.е. поэтому достаточно рассчитать только шесть независимых компонент. Удобнее ьсего ориентировать хри-сталл в магнитном поле относительно наблюдаемых осей кристалла, поэтому оси X, у и г определяются через наблюдаемые оси монокристалла. 5 , и как и Н и Н , определяются через эти оси. [c.33]

Исследуя восприимчивость монокристаллов, можно определить величину ее анизотропии [25—28]. Как мы увидим в главах, посвященных ЭПР и ЯМР комплексов ионов переходных металлов, эти данные применяются в нескольких важных областях. Анизотропию магнитной восприимчивости обычно определяют методом Кришнана, устанавливая критический момент вращения. В статье [31] рассматривается использование метода ЯМР для измерения магнитной восприимчивости веществ в растворе. Раствор парамагнитного комплекса, содержащий внутренний стандарт, вводят в объем между двумя концентрическими трубками. Раствор того же самого инертного стандарта в том же самом растворителе, в котором растворен комплекс, вводят во внешнюю часть конструкции. В этом случае наблюдаются две линии стандарта, причем линия вещества, введенного в раствор парамагнитного комплекса, соответствует более высокой частоте. Сдвиг линии внутреннего стандарта" в парамагнитном растворе относительно диамагнитного раствора АН/Н связывают с разностью объемной восприимчивости ДХ двух жидкостей [c.156]

В системах, имеющих одновременно и псевдоконтактный, и контактный вклады, пользуются тремя традиционными подходами. Если геометрия молекулы известна из рентгеноструктурного исследования монокристалла и если структура ее одна и та же в растворе и в твердом состоянии, а также если известна анизотропия восприимчивости , можно рассчитать [7] псевдоконтактный вклад. Рассчитав величину псевдоконтактного вклада, можно из уравнения (12.21), используя измеренную величину изотропного сдвига, определить контактный вклад. Рентгеноструктурные исследования и измерения восприимчивости монокристалла требуют и много времени, и больших материальных затрат. Эквивалентность структур в твердом состоянии и в растворе доказать очень трудно, и часто она лишь допускается. В благоприятных ситуациях значительные изменения в структуре можно установить с помощью спектральных методов. [c.174]

Анизотропию параметров ЭПР можно наблюдать в монокристаллах, Информацию об анизотропии в системе можно также получить при исследовании порошков и стекол, поскольку результирующие спектры принадлежат системам, в которых нет усредняющего движения. Теперь посмотрим, почему информация об анизотропии получается из спектра, даже если молекулы в порошкообразном или стеклянном образце имеют исключительно большой набор ориентаций относительно направления приложенного поля. Рассмотрим молекулу с осью симметрии третьего или более высокого порядка, которую можно описать с помощью 3 и д . Как видно из рис. 13.2, в молекуле много осей, которые можно пометить как д . Поэтому в объеме образца со многими ориентациями ансамбля кристаллитов имеется больше возможных ориентаций для оси д , расположенной по полю, чем для оси д д-Фактор для любой ориентации выражается как [c.205]

Данные, приведенные в табл. 22.1, относятся к обычным условиям электролиза, когда металл выделяется на поликристаллической основе и дает отложения, также имеющие поликристаллическую структуру. Поверхность таких осадков образована гранями с различными кристаллографическими индексами. В зависимости от режима электроосаждеиия на поверхности осадка могут преобладать те или иные грани. Поэтому вал<но выяснить, зависит ли металлическое перенапряжение от того, на какой грани выделяется металл. Оиыты с монокристаллами ряда металлов, ориентированными по отношению к раствору различными граниями, подтвердили существование подобной зависимости (см. табл. 22.2). [c.460]

Таблица 22.2. Зависимость металлического перенапряжения (В10= ) от лрироды грани монокристалла (при 10 А-м- , =25° С)

По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц (атомов, ионов, молекул) друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных верияинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы — монокристаллы — встречаются в природе, а также их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого числа по-разному ориентированных мелких кристаллов неправильной внешней формы. [c.99]

Соморджай и соавт. [236—239] для выяснения механизма каталитических превращений углеводородов на ступенчатых поверхностях платины пытались идентифицировать атомные центры монокристаллов Р1, ответственных за разрыв связей С—С, С—Н и Н—Н. Структура и состав поверхности монокристаллов Р1 были исследованы методами Оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов. Полученные результаты сопоставлены с каталитическими свойствами Р1 ь реакциях О—Н-обмена, дегидрирования циклогексана в бензол и гидрогенолиза циклогексана с образованием н-гексана. [c.165]

Несомненный интерес представляет цикл работ Со-морджая и сотр. [174—177] по исследованию кинетики различных реакций (в том числе дегидроциклизации) на монокристаллах металлов (Р1, 1г, N1, Ag) с одновременным определением структуры и состава поверхности методом дифракции медленных электронов и Оже-спект-роскопии. Показано, что атомные ступеньки на поверхности монокристалла Р1 являются активными центрами процессов разрыва связей С—Н и Н—Н. Зависимость скоростей реакций дегидрирования и гидрогенолиза циклогексана и циклогексена от структуры поверхности Р1 свидетельствует о существовании изломов и выступов на атомных ступеньках. Такие дефекты структуры являются особенно активными центрами процесса расщепления С—С-связей. Установлено, что активная поверхность Р1 в процессе реакции покрывается слоем углеродистых отложений свойства этого слоя существенно влияют на скорость и распределение продуктов каталитических реакций. Показано, что дегидрирование циклогексана до циклогексена не зависит от структуры поверхности (структурно-нечувствительная реакция). В то же время дегидрирование циклогексена и гидрогенолиз циклогексана являются структурно-чувствительными реакциями. Полученные результаты позволили расширить классификацию реакций, зависящих от первичной структуры поверхности катализатора и от вторичных изменений поверхности, возникающих в процессе реакции. При проведении реакций на монокристаллах 1г показано, что ступенчатая поверхность 1г в 3—5 раз более активна в [c.252]

В нен 1 ралы1оГ части прибора под круглой крышкой на вращающемся столике расположены три призмы, выполненные из монокристаллов КВг, аС1 и Прнзмы имеют рабочий диапазон, который определяется дисперсией материала призмы и прозрачностью [c.52]

Метод Дебая—Шеррера. Первоначально для рентгенографических исследований применяли только крупные, хорошо сформпровап-ные одиночные кристаллы изучаемого вещества. Это было очень неудобно, так как не все вещества можно получить и виде крупных монокристаллов. Поэтому стали искать новый более доступный метод рентгенографического исследования. Такой метод, позвол5Пощий выполнять рентгеноструктурные исследования с порошкообразным веществом, был разработан Лебаем и Шер-рером. [c.113]

При замене монокристалла поликристаллическим веществом из-за беспорядочного расположения отдельтлх кристаллов всегда найдутся такие, у которых pa мaтpивae к)e семейстио плоскостей будет удовлетворять уравнению Вульфа—Брегга. [c.113]

Механическое поведение, соответствующее теории линейной упругости, — только приближенная модель поведения реальных горных пород. Даже в условиях быстрой нагрузки наблюдаются нарушения закона Гука. Один из таких примеров — затухание сейсмических волн, когда их амплитуда уменьшается по мере удаления от очага вследствие неупругого рассеяния энергии. Это явление наблюдается и в монокристаллах, но гораздо сильнее оно сказывается в поликристаллических агрегатах. Степень затухания выражается диссипативной функцией [c.87]

Если м0родом ЭПР исследуется монокристалл, то при наличии анизотропного д-фактора измеряемая величина д является функцией ориентации кристалла относительно направления поля, поскольку мы определяем эффективный д-фактор, ориентированный вдоль поля. Если мы определим молекулярные оси X, и 2, которые приводят к диагональному виду д-тензор, и возьмем в качестве примера такую систему, где они совпадают с осями кристалла, эффективная величина д-фактора для произвольной ориентации кристалла выражается как [c.32]

Теперь рассмотрим спектроскопию ЭПР молекул, а которых 1>. еет-ся более чем один неспаренный электрон. Примером может служить триплетное состояние нафталина, которое образуется при его УФ-облу-чении. Для регистрации спектра ЭПР использовали монокристалл дуро-ла, в кристаллическую решетку которого были внесены указанные частицы. Внедрению нафталина в решетку дурола помогает похожая форма этих молекул, при этом сильно увеличивается время жизни триплет-ного состояния нафталина. Спектр состоит из трех линий, причем [c.42]

Конкуренция квадрупольного электрического и магнитного полей приводит также к появлению дополнительных линий, которые обычно запрещены правилом отбора Аш = 0. Возможны также переходы Дш = 1 и Дш = 2 [22]. Константу ядерного квадрупольного взаимодействия дает анализ запрещенных линий. Для этого исследуют методом ЭПР монокристалл диамагнитного соединения, в решетку которого внесено изучаемое соединение. Спектр с такими переходами получен (рис. 9.24) для бис-(2,4-пентандионата) меди(П) [ Си(асас)2], внесенного в Pd(a a )2. Запрещенные переходы отмечены на рис. 9.2А,А стрелками, другие линии характеризуют четыре разрешенных перехода [c.46]

Со(теасасеп), изображенная на рис. 13.5,Л. Жидкокристаллический раствор этого низкоспинового комплекса Со(П) помещают в магнитное поле, чтобы дать возможность молекулам сориентироваться (как молекулам жидкого кристалла, так и молекулам растворенного вещества), а затем его охлаждают. Эта операция схематически показана на рис. 13.5 . Спектр ЭПР на рис. 13.5,Г [4а] характеризует образец, ориентированный относительно магнитного поля, как изображено на рис. 13.5,5, в то время как спектр на рис. 13.5,Д характеризует образец, повернутый на 90° вокруг оси г (т.е. ось у параллельна полю) относительно приложенного поля. При повороте интенсивность части спектра, соответствующей 02, увеличивается, но участок спектра, соответствующий 31, остается без изменения. Можно легко ошибиться, предположив, что мы имеем аксиальную систему с соответствующим оси 2 (т.е. оси д , перпендикулярной плоскости), и д2 и д , соответствующими где и д одинаковы. Однако для молекулярной системы координат, определенной на рис. 13.5, Л, д должен быть отнесен к 33, д — к д и д —к 2-Эти отнесения в дальнейшем были подтверждены результатами исследования спектров ЭПР монокристалла [46]. При изучении жидкокристаллических веществ могут возникнуть сложности, если не показано, что молекулы жидкого кристалла не координируются с исследуемым комплексом. [c.209]

Лабораторный практикум по теоретической электрохимии (1979) -- [ c.192 ]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.9 , c.11 ]

Химия твердого тела Теория и приложения Ч.2 (1988) -- [ c.8 , c.17 , c.26 , c.31 , c.34 , c.51 , c.58 , c.70 ]

Краткий курс физической химии Изд5 (1978) -- [ c.147 ]

Кристаллохимия Издание 2 (1960) -- [ c.9 ]

Курс коллоидной химии Поверхностные явления и дисперсные системы (1989) -- [ c.437 ]

Общая химия Издание 4 (1965) -- [ c.83 ]

Кристаллография (1976) -- [ c.6 ]

Физическая химия Том 1 Издание 4 (1935) -- [ c.212 ]

Электрохимия металлов и адсорбция (1966) -- [ c.0 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.18 , c.19 , c.32 , c.149 ]

Структуры неорганических веществ (1950) -- [ c.25 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология